KR930008952A - 반도체 기판 절단방법 - Google Patents

반도체 기판 절단방법 Download PDF

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KR930008952A
KR930008952A KR1019910017831A KR910017831A KR930008952A KR 930008952 A KR930008952 A KR 930008952A KR 1019910017831 A KR1019910017831 A KR 1019910017831A KR 910017831 A KR910017831 A KR 910017831A KR 930008952 A KR930008952 A KR 930008952A
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KR
South Korea
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substrate
cut
semiconductor substrate
cutting
mask
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Application number
KR1019910017831A
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Inventor
송진우
임시종
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판 절단방법에 관한 것으로, 기판상에 포토레지스틀르 코팅하고 그위에 절단하고자 하는 크기의 마스크를 정렬시킨후 노광, 현상 및 에칭을 행함으로써 기판에 절단홈을 형성하여 기판을 절단하는 것으로 되어있다.
이러한 본 발명은 기판을 크기 및 방향성에 맞추어 정확하게 자를 수 있으므로 기판 사용면적을 증대하고 소자의 특성을 향상할 수 있다.

Description

반도체 기판 절단방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (가)~(다)는 본 발명에 의한 절단방법을 보인 공정도,
제4도는 본 발명에 의하여 에칭된 기판의 평면도,
제5도 (가)(나)는 본 발명에 이용되는 마스크이 평면도.

Claims (4)

  1. 기판(1)상에 포토레지스트(2)를 코팅하고 그위에 절단하고자 하는 투과공이 구비된 마스크(3)을 재치시킨 후 노광, 현상 및 에칭을 행함으로써, 기판(1)에 절단홈(1a)을 형성하여 기판(1)을 절단함을 특징으로 하는 반도체 기판 절단방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크(3)는 절단홈(1a)을 형성하기 위한 선상의 투과공(3a)(3b)(3c)이 형성되고, 방향성을 맞추기 위한 직선상 기준선(3e)이 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 기판 절단방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 선상의 투과공(3a)(3b)(3c)은 좌우 또는 대칭형으로 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 기판 절단방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 마스크(3)는 기판(1)을 종방향 또는 횡방향으로 전체적으로 절단할 수 있도록 선상의 장투과공(3d)이 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 기판 절단방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910017831A 1991-10-10 1991-10-10 반도체 기판 절단방법 KR930008952A (ko)

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