KR960002538A - 트윈 웰 형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판(21) 상에 제1절연막(22)을 형성하는 단계; 소자 동작에 사용되지 않는 반도체 기판(21) 소정영역의 상부에 형성된 제1절연막(2) 및 그 하부의 반도체 기판(21)을 일정 깊이로 식각하여 정렬키(23)를 형성하는 단계; 상기 정렬 키(23)에 정렬된 제1웰 마스크(25)을 이용하여 제1웰 이온주입(26)을 실시하는 단계; 상기 정렬 키(23)에 정열된 제2웰 마스크(25')을 이용하여 제2웰 이온주입(26')을 실시하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트윈 웰 형성 방법에 관한 것으로, 스크라이브 영역 또는 소자 동작에 사용되지 않는 여분의 기판을 일정깊이 식각하여 정렬 키를 형성하고 이 정렬 키를 사용하여 후속 웰 마스크 공정을 정렬하는 키를 형성하고 이 정열 키를 사용하여 후속 웰 마스크 공정을 절렬하는 것으로, 종래기술상에서 발생한 단차의 문제점을 해결하며, 후속 마스크 공정 및 식각공정의 선폭 및 선간격 조절의 난점을 해결하며, 고엉을 단순화시키는 효과를 가져온다.

Description

트윈 웰 형성 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2D도는 본 발명에 따른 웰 마스크 정렬 키를 형성하는 공정 및 트윈 웰 공정 단면도.

Claims (1)

1. 트윈 웰 형성 방법에 있어서,; 반도체 기판(21) 상에 제1절연막(22)을 형성하는 단계; 소자 동작에서 사용되지 않는 반도체 기판(21) 소정영역의 상부에 형성된 제1절연막(2) 및 그 하부의 반도체 기판(21)을 일정 깊이로 식각하여 정렬 키(23)를 형성하는 단계; 상기 정렬 키(23)에 정렬된 제1웰 마스크(25)을 이용하여 제1웰 이온주입(26)을 실시하는 단계; 상기 정렬 키(23)에 정열된 제2웰 마스크(25')을 이용하여 제2웰 이온주입(26')을 실시하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 트윈 웰 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.