KR920003467A - 필드산화막 형성방법 - Google Patents

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film
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KR1019900010431A
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오형석
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

필드산화막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 공정단면도.

Claims (1)

  1. 기판위에 질소성분의 산화막과 질화막 및 산화막을 차례로 형성하는 단계와, 포토공정에 의해 활성영역을 한정하여 상기 질화막과 산화막을 에치한 다시 1차 필드산화막을 형성하는 단계, 1차 필드산화막을 에치하여 제거하고 이 위에 다음 얇은 산화막을 질화막을 형성한 다음 필드 이온주입을 실시하는 단계, 이방성 에치법으로 상기 얇은 질화막과 산화막을 건식에치하여 측벽을 형성하는 단계, 상기 측벽을 블록킹 마스크로하여 2차 필드산화막을 형성하는 단계로, 이루어짐을 특징으로하는 필드산화막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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