KR970053453A - 이온 주입을 이용한 필드 산화막 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 필드 산화막 씨닝 효과로 인한 소자 특성 저하를 방지하기 위하여, 필드 산화막 형성시 필드 산화막 길이가 서브 마이크론인 부위에 이온 주입하여 필드 산화막 씨닝 효과가 나타나는 부위의 산화막을 크게하는 필드 산화막 제조 방법에 관한 것이다. 실리콘을 형성한 다음, 열산화하여 패드 산화막을 형성하는 단계, 상기 패드 산화막 위에 질화막을 중착하는 단계, 상기 질화막 위에 감광액을 도포하는 단계, 필드 산화막이 형성될 부분의 감광액을 제거하고 상기 질화막을 식각하는 단계, 상기 질화막 위에 감광액을 모두 제거하는 단계, 필드 산화막 형성시 절연 영역이 서브 마이크로인 부분을 제외하고 감광액을 도포하는 단계, 전면에 이온 주입하는 단계, 감광액을 제거하여 필드 산화하는 단계를 포함하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)-(라)는 본 발명의 실시예에 따른 필드 산화막 제조공정에 따른 단면도이다.
Claims (2)
- 실리콘을 형성한 다음, 열산화하여 패드 산화막을 형성하는 단계, 상기 패드 산화막 위에 질화막을 중착하는 단계, 상기 질화막 위에 감광액을 도포하는 단계, 필드 산화막이 형성될 부분의 감광액을 제거하고 상기 질화막을 식각하는 단계, 상기 질화막 위의 감광액을 모두 제거하는 단계, 필드 산화막 형성시 절연 영역이 서브 마이크로인 부분을 제외하고 감광액을 도포하는 단계, 전면에 이온 주입하는 단계, 감광액을 제거하여 필드 산화하는 단계를 포함하는 필드 산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이온 주입시 아르곤을 사용하는 필드 산화막 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950061990A KR970053453A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 이온 주입을 이용한 필드 산화막 제조 방법 |
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| KR1019950061990A KR970053453A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 이온 주입을 이용한 필드 산화막 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053453A true KR970053453A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66620594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950061990A KR970053453A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 이온 주입을 이용한 필드 산화막 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053453A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950061990A patent/KR970053453A/ko not_active Application Discontinuation
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