KR970053375A - 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 미세선폭의 토포리지(Topology)의 발생이 없고, 버즈 빅이 형성되지 않는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법이 개시된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 2E도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법. 실리콘 기판상에 소자 분리 마스크를 이용한 식각 공정에 의해 패터닝 된 패드 산화막, 폴리 실리콘 및 질화막이 형성되고, 상기 패터닝 된 필드 영역에 채널 스탑(Channel Stop)이온을 주입하는 단계와, 상기 필드 영역에 열 공정에 의해 필드 산화막이 성장되는 단계와, 상기 필드 영역에 형성된 필드 산화막이 제1차 식각 공정에 의해 소정 깊이 식각되는 단계와, 상기 질화막 및 폴리 실리콘을 제거한 후, 상기 필드 산화막을 제2차 식각 공정에 의해 평탄화시키는 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047333A KR970053375A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047333A KR970053375A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053375A true KR970053375A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047333A KR970053375A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053375A (ko) |
-
1995
- 1995-12-07 KR KR1019950047333A patent/KR970053375A/ko not_active Application Discontinuation
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