KR970053418A - 반도체 소자 분리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 분리 방법에 관한 것으로서, 특히 공정이 용이하고 고집적 소자에 알맞는 좁은 폭의 얕은 트렌치를 이용한 반도체 소자 분리 방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 반도체 소자 분리 방법은 좁은 트렌치를 얕게 형성할 수 있도록 트렌치의 기저부위에 채널 스톱 이온을 주입한 후 트렌치를 산화막과 폴리실리콘을 이용하여 채운 다음, 트렌치를 채우고 있는 폴리실리콘의 상부를 산화시켜 필드 산화막을 형성하여 소자 분리를 이룬다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도(가) 내지 (라)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 분리 방법을 공정순서대로 설명하기 위한 요부 단면도.
Claims (6)
- 반도체 기판에 P-웰 또는 N-웰을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판상에 산화막을 열적으로 성장시키는 단계; 상기 산화막이 형성된 기판상에 에치스톱 층으로써 질화막을 증착하는 단계; 상기 질화막이 증착된 기판상에 소자 분리가 형성될 영역에 감광막 패턴을 형성하고 이의 형태로 반도체 기판의 소정 깊이까지 식각하여 트렌치를 형성하는 단계; 상기 식각된 트렌치 내벽에 채널스톱 이온을 주입하는 단계; 상기 감광막 패턴을 제거하는 단계; 상기 트렌치의 내부 및 주변부 전면에 소정 두께의 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막 상에 트랜치 내부가 메워지도록 다결정실리콘층을 형성하는 단계; 상기 다결정실리콘층 표면 및 이것의 주변부 전면에 감광막을 도포하고 질화막을 에치스톱 층으로 하여 에치백을 실행하여 다결정실리콘층을 평탄화하는 단계; 상기 평탄화된 다결정실리콘층의 표면상에 필드 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 필드 산화막 형성시 마스크의 역할을 한 질화막과 산화막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각공정의 식각깊이는 산화막이 성장되기 전의 초기 반도체 기판의 표면으로부터 1~2㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각공정의 식각폭은 0.3~0.5㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 트렌치 내벽에 이온 주입하는 단계에서 특히, 트렌치 기저 부위에만 이온 주입을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 트렌치의 내부에 형성하는 산화막의 두께는 500~1000Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드 산화막의 두꼐는 500~2000Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055592A KR970053418A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자 분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950055592A KR970053418A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자 분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053418A true KR970053418A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66616955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950055592A KR970053418A (ko) | 1995-12-23 | 1995-12-23 | 반도체 소자 분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053418A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990060829A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
| KR20010061038A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 격리막 형성 방법 |
| KR100468674B1 (ko) * | 1997-07-24 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의소자분리방법 |
-
1995
- 1995-12-23 KR KR1019950055592A patent/KR970053418A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468674B1 (ko) * | 1997-07-24 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의소자분리방법 |
| KR19990060829A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
| KR20010061038A (ko) * | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 격리막 형성 방법 |
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