KR970008483A - 반도체장치 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체장치 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판 전면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 산화층상에 활성영역이 형성될 부분의 산화층이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 400℃ 이하의 온도에서 플로우시키어 그 측벽이 경사진 형태를 갖는 변형된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 산화층을 식각하여 그 하부의 반도체기판이 노출되도록 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 노출된 반도체기판 상부에 실리콘으로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 산화층 패턴이 소자분리 영역의 역할을 하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.
Claims (3)
- 반도체기판 전면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 산화층 상에 활성영역이 형성될 부분의 산화층이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 산화층을 식각하여 그 하부의 반도체기판이 노출되도록 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 노출된 반도체기판 상부에 실리콘으로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 산화층 패턴이 소자분리 영역의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 반도체기판 전면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 산화층 상에 활성영역이 형성될 부분의 산화층이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 400℃ 이하의 온도에서 플로우시키어 그 측벽이 경사진 형태를 갖는 변형된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 변형된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 산화층을 건식 식각함으로써, 그 측벽이 경사진 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 변형된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산화층 패턴에 의해 노출된 반도체기판 상에 폴리실리콘으로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 산화층 패턴이 소자분리 영역의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 활성영역은 선택 에피택시얼성장법(SEG)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950023169A KR970008483A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950023169A KR970008483A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체장치 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970008483A true KR970008483A (ko) | 1997-02-24 |
Family
ID=66541379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950023169A KR970008483A (ko) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 반도체장치 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970008483A (ko) |
-
1995
- 1995-07-31 KR KR1019950023169A patent/KR970008483A/ko not_active Application Discontinuation
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