KR970008483A - 반도체장치 제조방법 - Google Patents

반도체장치 제조방법 Download PDF

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KR970008483A
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KR
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forming
photoresist pattern
pattern
semiconductor substrate
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KR1019950023169A
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김윤기
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

반도체장치 제조방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체기판 전면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 산화층상에 활성영역이 형성될 부분의 산화층이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 400℃ 이하의 온도에서 플로우시키어 그 측벽이 경사진 형태를 갖는 변형된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 산화층을 식각하여 그 하부의 반도체기판이 노출되도록 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 노출된 반도체기판 상부에 실리콘으로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 산화층 패턴이 소자분리 영역의 역할을 하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.

Claims (3)

  1. 반도체기판 전면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 산화층 상에 활성영역이 형성될 부분의 산화층이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 산화층을 식각하여 그 하부의 반도체기판이 노출되도록 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 노출된 반도체기판 상부에 실리콘으로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 산화층 패턴이 소자분리 영역의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  2. 반도체기판 전면에 산화층을 형성하는 단계; 상기 산화층 상에 활성영역이 형성될 부분의 산화층이 노출되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트패턴을 400℃ 이하의 온도에서 플로우시키어 그 측벽이 경사진 형태를 갖는 변형된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 변형된 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 노출된 산화층을 건식 식각함으로써, 그 측벽이 경사진 산화층 패턴을 형성하는 단계; 상기 변형된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산화층 패턴에 의해 노출된 반도체기판 상에 폴리실리콘으로 이루어진 활성영역을 형성하는 단계를 구비하여, 상기 산화층 패턴이 소자분리 영역의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 활성영역은 선택 에피택시얼성장법(SEG)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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