KR970023975A - 반도체 소자의 트랜치 격리방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜치 격리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970023975A KR970023975A KR1019950033719A KR19950033719A KR970023975A KR 970023975 A KR970023975 A KR 970023975A KR 1019950033719 A KR1019950033719 A KR 1019950033719A KR 19950033719 A KR19950033719 A KR 19950033719A KR 970023975 A KR970023975 A KR 970023975A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- trench
- oxide film
- forming
- region
- film
- Prior art date
Links
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 격리방법에 관한 것으로, 특히 트랜치 격리에 있어서 후속 열처리 과정을 최소화 하고 제조방법을 간단히 하여 트랜치 에지 부분의 스트레스(Stress)를 최소화하여 신뢰성 및 우수한 소자 특성을 보장할 수 있는 반도체 소자의 트랜치 격리방법에 관한 것이다.
상기 반도체 소자의 격리방법은 반도체 기판 표면에 산화막과 제 1질화막을 순차적으로 형성하고 상기 질화막을 패턴닝하여 활성영역 및 트랜치 격리영역패턴을 형성하는 단계와; LOCOS 방법으로 상기 열산화막을 선택적으로 성장시키는 단계와; 상기 활성영역 상부를 마스킹 한 상태에서 노출된 질화막을 선택적으로 식각하고 이어서 필드산화막을 마스크로 하여 트랜치영역의 반도체기판을 식각하고 산화막을 성장한 상태에서 채널영역을 형성하는 단계와; 상기트랜치 내의 산화막을 제거하고 트랜치 내벽에 절연용 산화막을 성장시키고 반도체 표면에 제 2질화막을 형성하는 단계와; 상기 트랜치내에 폴리 실리콘을 채우고 평탄화를 실시하여 상기 활성영역 위의 질화막 만을 남긴 상태에서 열산화에 의해 트랜치 표면에 캡핑 산화막을 형성하는 단계로 구성 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도 (가)내지 (라)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜치 격리방법의 제조 공정도이다.
Claims (1)
- 반도체 기판 표면에 산화막과 제 1질화막을 순차적으로 형성하고 상기 질화막을 패턴닝하여 활성영역 및 트랜치 격리영역 패턴을 형성하는 단계와; LOCOS 방법으로 상기 열산화막을 선택적으로 성장시키는 단계와; 상기 활성영역 상부를 마스킹 한 상태에서 노출된 질화막을 선택적으로 식각하고 이어서 필드산화막을 마스크로 하여 트랜치영역의 반도체기판을 식각하고 산화막을 성장한 상태에서 채널영역을 형성하는 단계와; 상기 트랜치 내의 산화막을 제거하고 트랜치 내벽에 절연용 산화막을 성장시키고 반도체, 표면에 제 2질화막을 형성하는 단계와; 상기 트랜치내에 폴리 실리콘을 채우고 평탄화를 실시하여 상기 활성영역 위의 질화막 만을남긴 상태에서 열산화에 의해 트랜치 표면에 캡핑 산화막을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950033719A KR970023975A (ko) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 반도체 소자의 트랜치 격리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950033719A KR970023975A (ko) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 반도체 소자의 트랜치 격리방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970023975A true KR970023975A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950033719A KR970023975A (ko) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 반도체 소자의 트랜치 격리방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970023975A (ko) |
-
1995
- 1995-10-02 KR KR1019950033719A patent/KR970023975A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950015715A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 | |
KR960015739A (ko) | 반도체소자의 미세콘택 형성방법 | |
KR970053384A (ko) | 반도체장치의 소자분리 영역 형성방법 | |
KR960012359A (ko) | 실리콘 질화물의 에칭 방법 | |
KR960042931A (ko) | Soi 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법 | |
KR970023975A (ko) | 반도체 소자의 트랜치 격리방법 | |
KR960026588A (ko) | 반도체소자의 소자분리 방법 | |
KR970053388A (ko) | 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법 | |
KR970054242A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR960002714A (ko) | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 | |
KR960002744A (ko) | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 | |
KR970053423A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리 절연막 제조방법 | |
KR970008483A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
KR960019650A (ko) | 반도체장치의 격리방법 | |
KR950025954A (ko) | 반도체장치의 소자분리방법 | |
KR960043104A (ko) | 반도체 장치의 소자분리 방법 | |
KR970053430A (ko) | Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법 | |
KR960002640A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR960039272A (ko) | 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법 | |
KR920008890A (ko) | 반도체장치의 소자분리막 제조방법 | |
KR960019654A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
KR970053444A (ko) | 소자격리영역의 형성방법 | |
KR930017146A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
KR960026610A (ko) | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 | |
KR970030278A (ko) | 저압화학기상증착법에 의한 에피택셜 실로콘층 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |