KR970023975A - 반도체 소자의 트랜치 격리방법 - Google Patents

반도체 소자의 트랜치 격리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970023975A
KR970023975A KR1019950033719A KR19950033719A KR970023975A KR 970023975 A KR970023975 A KR 970023975A KR 1019950033719 A KR1019950033719 A KR 1019950033719A KR 19950033719 A KR19950033719 A KR 19950033719A KR 970023975 A KR970023975 A KR 970023975A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trench
oxide film
forming
region
film
Prior art date
Application number
KR1019950033719A
Other languages
English (en)
Inventor
윤광준
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950033719A priority Critical patent/KR970023975A/ko
Publication of KR970023975A publication Critical patent/KR970023975A/ko

Links

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 격리방법에 관한 것으로, 특히 트랜치 격리에 있어서 후속 열처리 과정을 최소화 하고 제조방법을 간단히 하여 트랜치 에지 부분의 스트레스(Stress)를 최소화하여 신뢰성 및 우수한 소자 특성을 보장할 수 있는 반도체 소자의 트랜치 격리방법에 관한 것이다.
상기 반도체 소자의 격리방법은 반도체 기판 표면에 산화막과 제 1질화막을 순차적으로 형성하고 상기 질화막을 패턴닝하여 활성영역 및 트랜치 격리영역패턴을 형성하는 단계와; LOCOS 방법으로 상기 열산화막을 선택적으로 성장시키는 단계와; 상기 활성영역 상부를 마스킹 한 상태에서 노출된 질화막을 선택적으로 식각하고 이어서 필드산화막을 마스크로 하여 트랜치영역의 반도체기판을 식각하고 산화막을 성장한 상태에서 채널영역을 형성하는 단계와; 상기트랜치 내의 산화막을 제거하고 트랜치 내벽에 절연용 산화막을 성장시키고 반도체 표면에 제 2질화막을 형성하는 단계와; 상기 트랜치내에 폴리 실리콘을 채우고 평탄화를 실시하여 상기 활성영역 위의 질화막 만을 남긴 상태에서 열산화에 의해 트랜치 표면에 캡핑 산화막을 형성하는 단계로 구성 된다.

Description

반도체 소자의 트랜치 격리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도 (가)내지 (라)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜치 격리방법의 제조 공정도이다.

Claims (1)

  1. 반도체 기판 표면에 산화막과 제 1질화막을 순차적으로 형성하고 상기 질화막을 패턴닝하여 활성영역 및 트랜치 격리영역 패턴을 형성하는 단계와; LOCOS 방법으로 상기 열산화막을 선택적으로 성장시키는 단계와; 상기 활성영역 상부를 마스킹 한 상태에서 노출된 질화막을 선택적으로 식각하고 이어서 필드산화막을 마스크로 하여 트랜치영역의 반도체기판을 식각하고 산화막을 성장한 상태에서 채널영역을 형성하는 단계와; 상기 트랜치 내의 산화막을 제거하고 트랜치 내벽에 절연용 산화막을 성장시키고 반도체, 표면에 제 2질화막을 형성하는 단계와; 상기 트랜치내에 폴리 실리콘을 채우고 평탄화를 실시하여 상기 활성영역 위의 질화막 만을남긴 상태에서 열산화에 의해 트랜치 표면에 캡핑 산화막을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950033719A 1995-10-02 1995-10-02 반도체 소자의 트랜치 격리방법 KR970023975A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033719A KR970023975A (ko) 1995-10-02 1995-10-02 반도체 소자의 트랜치 격리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950033719A KR970023975A (ko) 1995-10-02 1995-10-02 반도체 소자의 트랜치 격리방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970023975A true KR970023975A (ko) 1997-05-30

Family

ID=66583108

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950033719A KR970023975A (ko) 1995-10-02 1995-10-02 반도체 소자의 트랜치 격리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970023975A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950015715A (ko) 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법
KR960015739A (ko) 반도체소자의 미세콘택 형성방법
KR970053384A (ko) 반도체장치의 소자분리 영역 형성방법
KR960012359A (ko) 실리콘 질화물의 에칭 방법
KR960042931A (ko) Soi 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법
KR970023975A (ko) 반도체 소자의 트랜치 격리방법
KR960026588A (ko) 반도체소자의 소자분리 방법
KR970053388A (ko) 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법
KR970054242A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR960002714A (ko) 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
KR960002744A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR970053423A (ko) 반도체 소자의 소자 분리 절연막 제조방법
KR970008483A (ko) 반도체장치 제조방법
KR960019650A (ko) 반도체장치의 격리방법
KR950025954A (ko) 반도체장치의 소자분리방법
KR960043104A (ko) 반도체 장치의 소자분리 방법
KR970053430A (ko) Sepox법을 이용한 반도체장치의 소자분리방법
KR960002640A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR960039272A (ko) 반도체 소자의 소자분리 산화막 형성방법
KR920008890A (ko) 반도체장치의 소자분리막 제조방법
KR960019654A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR970053444A (ko) 소자격리영역의 형성방법
KR930017146A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR960026610A (ko) 반도체 소자의 필드산화막 형성방법
KR970030278A (ko) 저압화학기상증착법에 의한 에피택셜 실로콘층 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination