KR970053388A - 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 장치에 있어서 토폴로지 완화 및 아이솔레이션 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 패드산화막과 실리콘질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 실리콘질화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각마스크로 사용하여 상기 실리콘질화막과 패드산화막을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 식각마스크를 사용하여 기판에 쉘로우 트랜치를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 결과물 상부에 폴리실리콘을 침적하는 단계; 상기에서 침적된 폴리실리콘을 선택적으로 식각하여 상기 트랜치 측벽에 폴리스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물을 열산화하여 산화막을 성장시키는 단계; 및, 상기 실리콘질화막을 제거하고, 상장된 산화막의 일부를 선택적으로 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도.
Claims (4)
- 반도체 기판 상에 패드산화막과 실리콘질화막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 실리콘질화막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각마스크로 사용하여 상기 실리콘질화막과 패드산화막을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 식각마스크를 사용하여 기판에 쉘로우 트랜치를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 결과물 상부에 폴리실리콘을 침적하는 단계; 상기에서 침적된 폴리실리콘을 선택적으로 식각하여 상기 트랜치 측벽에 폴리스페이서를 형성하는 단계; 상기 결과물을 열산화하여 산화막을 성장시키는 단계; 상기 실리콘질화막을 제거하고, 상장된 산화막의 일부를 선택적으로 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 식각 깊이가 수백~1000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리스페이서는 트랜치 내부의 기판 및 패드산화막 전부와 실리콘질화막 일부 측벽에 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치는 NF3, CF4, SF6, O2, CHF3등의 가스를 이용한 플라스마 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050050A KR970053388A (ko) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050050A KR970053388A (ko) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053388A true KR970053388A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66594959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050050A KR970053388A (ko) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 반도체 장치의 쉘로우 트랜치 아이솔레이션 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053388A (ko) |
-
1995
- 1995-12-14 KR KR1019950050050A patent/KR970053388A/ko not_active Application Discontinuation
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