KR970053443A - 소자격리영역의 형성방법 - Google Patents
소자격리영역의 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자간에 소자격리영역을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판상에 패드 산화막, 폴리 실리콘막, 질화막, 포토 레지스트막을 차례로 형성하고, 사진 식각 공정을 거쳐 패터닝된 포트 레지스트막을 마스크로 하여 그 하부의 질화막을 선택적으로 식각한 다음, 상기의 질화막 패턴의 측면에 폴리머를 형성한다. 이와 같은 기판상에 필드 산화막을 성장시켜 소자격리영역으로 형성하며, 제2버즈빅의 크기와 그의 미치는 영향을 최소화 하므로써, 향후의 반도체 장치의 고집적화에 따른 대응 기술을 확보하고, 반도체 장치의 품질을 높히게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 따라 소자격리영역을 형성하는 공정들을 보여주는 단면도.
Claims (5)
- 실리콘기판(100)상에 패드산화막(110), 폴리실리콘막(120), 질화막(130), 포토 레지스트막(140)을 차례로 형성하는 공정과, 상기의 포토 레지스트막(140)을 패터닝하고, 이를 마스크로 하여 그 하부의 질화막(130)을 선택적으로 식각하는 공정과 질화막(130)의 측면에 스페이서 형태의 폴리머(145)를 형성하는 공정과, 상기 의 폴리머(145)와 포토 레지스트막(140)을 마스크로 하여 노출된 폴리 실리콘막(120)의 일부를 식각하는 공정과, 필드 산화 공정을 실시하여 기판(100)상에 필드 산화막(150)을 성장시켜, 이를 소자격리영역으로 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자격리영역의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기의 폴리머(145)를 형성하기 위한 가스는 CHF3, CF4, Ar 가스인 것을 특징으로 하는 소자격리영역의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 패드 산화막(110)의 두께는 100~600Å인 것을 특징으로 하는 소자격리영역의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 폴리 실리콘막(120)의 두께는 300~1500Å인 것을 특징으로하는 소자격리영역의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 질화막(130)의 두께는 1000~3000Å인 것을 특징으로 하는소자격리영역의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059327A KR970053443A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 소자격리영역의 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950059327A KR970053443A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 소자격리영역의 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053443A true KR970053443A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66619923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950059327A KR970053443A (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 소자격리영역의 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053443A (ko) |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059327A patent/KR970053443A/ko not_active Application Discontinuation
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