KR950021365A - 반도체 장치의 소자분리막 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 소자분리막을 형성하는 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 필드 산화막 영역을 설정한 후에 전체구조 상부에 질화막을 증착하고, 상기 질화막상에 반구형 폴리실리콘을 형성한 후 반구형 폴리실리콘을 식각 마스크로 하여 반도체 기판에 다수의 흠(Trench)을 형성하여 필드 산화막을 형성하므로 버즈 비크(Bird's Beak)를 감소시키면서 평탄화된 필드 산화막을 얻을 수 있는 반도체 장치의 소자분리막을 제조하는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 장치의 소자분리막 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1F도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 소자분리막을 제조하는 단계를 도시한 단면도이다.

Claims (2)

1. 반도체 장치의 소자분리막 제조방법에 있어서, 반도체 기판(1)상에 패드 산화막(2), 제1질화막(3)을 형성한 후, 상기 질화막(3)상부에 포토레지스트(4)를 도포하고, 필드 산화막 마스크를 사용한 노광 및 현상공정으로 상기 포토레지스트(4)를 패턴화한 다음, 이를 이용한 식각공정으로 하부의 제1질화막(3)의 노출부분을 식각하되 패드 산화막(2A)도 일부 식각하여 표면을 얇게하여 필드 영역을 설정하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 포토레지스트(4)를 제거하고, 상기 필드 영역을 포함한 전체구조 상부에 제2질화막(5)을 얇게 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 제2질화막(5)상부에 반구형 폴리실리콘(6)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 반구형 폴리실리콘(6)을 블랭켓 건식식각공정으로 하부의 제2질화막(5)이 부분적으로 노출될 정도로 식각하여 잔여 반구형 폴리실리콘(6A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 잔여 반구형 폴리실리콘(6A)을 식각마스크로 한 건식식각방법으로 제2질화막(5A)과 패드 산화막(2)을 반도체 기판(1)이 노출될 때까지 식각하여 잔여 질화막(5)과 잔여 패드 산화막(2A)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 잔여 질화막(5A)과 잔여 패드 산화막(2A)을 식각 마스크로한 건식식각 방법으로 노출된 반도체 기판(1)을 식각하여 소정깊이를 갖는 다수의 흠(7)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 산화공정을 실시하여, 이후 잔여 질화막(5A), 제1질화막(3)및 패드 산화막(2)을 차례로 제거하여 소자분리막으로서의 필드 산화막(8)을 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2질화막(5)은 그 두께가 100~500A인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리막 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.