KR960039269A - 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 소자분리막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 폴리실리콘층의 일부가 산화되는 것을 방지하기 위하여 질화막을 이용하여 폴리실리콘층을 밀폐(Sealing)시키고 실리콘기판에 소정깊이의 트랜치(Trench)를 형성한 후 노출된 실리콘기판을 질화시켜 얇은 질화막을 형성하므로써 버즈빅(Bird's Beak)의 길이를 최소화시킬 수 있도록 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 소자분리막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2I도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 소자분리막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 패드산화막, 폴리실리콘층 및 제1질화막을 순차적으로 형성한 후 소자분리마스크를 이용한 사진 및 식각공정을 거쳐 소자 분리영역의 실리콘기판이 노출되도록 상기 제1질화막, 폴리실리콘층 및 패드산화막을 순차적으로 제거하는 단계와, 상기 단계로 부터 등방성 식각방법을 이용하여 상기 패드산화막의 양측부를 소정깊이 식각한 후 재산화공정을 실시하여 상기 폴리실리콘층 하부의 노출된 부분 및 실리콘기판에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 등방성식각방법을 이용하여 상기 폴리실리콘층의 양측부를 소정깊이 식각한 후 전체상부면에 제2질화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 소자분리영역의 실리콘기판이 노출되도록 전면식각공정으로 상기 제2질화막을 식각하여 상기 제1질화막, 폴리실리콘층, 패드산화막 및 산화막의 측벽에 제2질화막스페이서를 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 전체면에 감광막을 도포하고 상기 제2질화막 스페이서 양측부의 실리콘기판이 소정부분 노출되도록 상기 감광막을 패터닝한 후 상기 패터닝된 감광막을 마스크로 이용한 식각공정을 통해 노출된 실리콘기판에 트랜치를 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 감광막을 제거하고 상기 트랜치를 포함하는 노출된 실리콘 기판의 표면을 질화시켜 얇은 제3질화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로 부터 고온에서 습식산화공정을 실시하여 소자분리막을 성장시킨 후 잔류되는 제1질화막, 제2질화막스페이서, 폴리실리콘층, 패드산화막 및 산화막을 순차적으로 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 100 내지 200Å, 폴리실리콘층은 400 내지 600Å 그리고 제1질화막은 1000 내지 1500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화막은 10 내지 30Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2질화막은 500 내지 1000Å의 두께로 형성되며, 상기 제3질화막은 15 내지 20Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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