KR960026567A - 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것으로, 더블 질화막(Double Nitride Layer)을 사용하여 필드산화막을 형성하므로써 버즈비크(Bird's beak) 및 액티브(active) 영역으로의 산화물 침투를 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드산화막 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 산화막을 성장시키고 그 상부에 제1질화막을 형성하는 단계와, 상기 제1질화막의 설정된 영역을 식각하여 패턴을 형성한 후 제1질화막의 측벽에 질화막 스페어서를 형성하고 채널스톱영역을 형성하는 단계와, 산화공정을 실시하여 필드산화막을 형성하고 상기 제1질화막 및 질화막 스페이서를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막 스페이서를 형성하기 위해 상기 패턴화된 제1질화막 상부에 제2질화막을 형성하고 전면식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막 스페이서는 약 0.1㎛/side의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037318A KR960026567A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037318A KR960026567A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026567A true KR960026567A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940037318A KR960026567A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026567A (ko) |
-
1994
- 1994-12-27 KR KR1019940037318A patent/KR960026567A/ko not_active Application Discontinuation
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