KR970053564A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 소자분리막 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체기판의 상부에 소자분리영역을 노출하는 패드산화막패턴과, 패드질화막패턴을 형성하고, 노출된 반도체가판을 열산화하여 필드산화막을 형성하고, 상기 패드질화막패턴을 제거하고, 활성영역의 필드산화막을 식각하고, 상기 노출된 활성영역의 반도체기판 표면으로부터 실리콘 에피층을 형성하므로써, 소자분리막 형성공정에 용이하게 진행한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A도 내지 제4D도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체소자의 소자분리막 제조 공정도이다.
Claims (7)
- 반도체기판상의 상부에 소자분리영역을 노출하는 패드산화막패턴과, 패드질화막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 반도체가판을 열산화하여 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 패드질화막패턴을 제거하는 단계와,활성영역의 패드산화막을 제거하는 단계와, 상기 노출된 활성영역의 반도체기판 표면으로부터 실리콘 에피층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 100내지 300Å두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패드산화막은 1200 내지 2000Å두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드산화막은 1000내지 1100℃이상의 온도에서 열산화하여 4000내지 8000Å두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 활성영역의 필드산화막을 제거할 때, 불산용액을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘에피층은 필드산화막의 최고 상단에서 아래쪽으로 200 내지 300Å깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.
- 반도체기판의 상부에 패드산화막을 형성하는 단계와 단계와, 상기 패드산화막의 상부에 소자분리영역을 노출하는 폴리실리콘패턴과, 패드질화막패턴을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘패턴과, 패드질화막패턴이 형성된 부위의 반도체기판을 열산화하여 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 패드질화막패턴을 제거하는 단계와, 활성영역의 패드산화막을 제거하는 단계와, 상기 노출된 활성영역의 반도체 기판 표면으로부터 실리콘 에피층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066089A KR970053564A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066089A KR970053564A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053564A true KR970053564A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066089A KR970053564A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053564A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066089A patent/KR970053564A/ko not_active Application Discontinuation
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