KR970053489A - 반도체 소자 분리방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 분리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 로코스(LOCOS : local oxidation of silicon)에 의한 소자 분리시 버드빅(bird's beak)을 감소시킬 수 있는 반도체 소자 분리방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 분리막으로 쓰이는 LOCOS 제조 공정시, 소자 분리 예정 영역의 질화막을 식각한 다음, 식각이 이루어진 부분에 절연 산화막을 매립하고, 열산화 공정을 진행하여 소자 분리막을 형성하여 버드 빅이 존재하지 않고, 이로써 활성 영역을 넓힐 수 있는 장점이 있다.
선택도 : 제2도
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (가) 내지 (바)는 본 발명에 따른 소자 분리 방법의 각 제조공정을 보인 요부 단면도.
Claims (5)
- 반도체 기판상에 버퍼용 산화막을 중착하는 단계; 상기 버퍼용 산화막 상부에 질화막을 중착하는 단계; 상기 질화막의 소자 분리 예정 영역을 식각하여 하부의 버퍼용 산화막을 노출시키는 단계; 상기 식각이 이루어진 부위에 절연 산화막을 질화막 표면과 동일한 표면을 구비하도록 매립시키는 단계; 상기 절연 산화막이 매립된 웨이퍼를 열산화하여 소자 분리막을 형성하는 단계; 및 상기 웨이퍼상에 잔존하는 질화막과 버퍼용 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연 산화막은 TEOS막 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 산화막은 LPCVD 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연 산화막을 매립시키기 단계는, 절연 산화막을 결과물 상단에 중착하고, 하부의 질화막이 노출될 때까지 에치백하여 매립하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 매립된 절연 산화막의 두께는 1100 내지 1300Å 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069569A KR970053489A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자 분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069569A KR970053489A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자 분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053489A true KR970053489A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66639825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069569A KR970053489A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자 분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053489A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069569A patent/KR970053489A/ko not_active Application Discontinuation
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