KR960026542A - 트렌치 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체소자의 트렌치 형성방법에 관한 것으로, 특히 반도체기판의 일정깊이를 식각하여 트렌치를 형성할때 트렌치의 상부 모서리가 라운드되도록 트렌치를 형성하여 후속 공정에서 절연막 또는 도전층을 증착할때 모서리부가 취약한 것을 방지할 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제6도는 본 발명의 실시예에 의해 반도체소자의 트렌치를 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자의 트렌치 형성방법에 있어서, 반도체기판상부에 산화막, 질화막을 적층하는 단계와, 국부적으로 상기 질화막을 식각하여 질화막패턴을 형성하는 단계와, 열산화공정으로 노출된 산화막하부의 반도체기판에 소자분리산화막을 성장시키는 단계와, 상기 소자분리산화막을 습식식간으로 제거하는 단계와, 상기 질화막패턴을 마스크로 하여 노출된 반도체기판의 일정두께를 건식식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 질화막패턴과 산화막을 제거하는 단계를 포함하여 반도체기판에 상기 트렌치의 상부 모서리부가 완만하게 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 200~300Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막의 두께는 2000~3000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소자분리산화막은 3000~4000Å으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033686A KR100281274B1 (ko) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 트렌치 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033686A KR100281274B1 (ko) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 트렌치 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026542A true KR960026542A (ko) | 1996-07-22 |
| KR100281274B1 KR100281274B1 (ko) | 2001-03-02 |
Family
ID=66688288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940033686A KR100281274B1 (ko) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 트렌치 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100281274B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020060816A (ko) * | 2001-01-12 | 2002-07-19 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 트렌치 형성 방법 |
| KR100440266B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
-
1994
- 1994-12-12 KR KR1019940033686A patent/KR100281274B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440266B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
| KR20020060816A (ko) * | 2001-01-12 | 2002-07-19 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 트렌치 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100281274B1 (ko) | 2001-03-02 |
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