KR960002559A - 반도체소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 금속 배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 제조공정 중 실리콘기판 상의 소정부위에 습식 및 건식식각 공정에 의해 금속 콘택홀이 형성된 상태의 금속 배선 형성방법에 있어서, 금속 콘택을 위해 드러나는 실리콘기판 상에 에피택시 공정을 통하여 상기 금속 콘택홀의 소정부위까지 콘택플러그를 형성하는 단계; 전체 구조 상부에 금속막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 기존의 금속 콘택 구조가 갖는 고종횡비 특성을 에피택시 성장 공정으로 콘택플러그를 형성함으로써 개선하여 금속막 증착시 기존 방법으로도 우수한 스텝-커버리지를 얻을 수 있어 반도체 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시키는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따라 금속 배선이 형성된 상태를 나타낸 단면도.
Claims (2)
- 반도체 제조공정 중 실리콘기판(10)상의 소정부위에 습식 및 건식식각 공정에 의해 금속 콘택홀이 형성된 상태의 금속 배선 형성 방법에 있어서, 금속 콘택을 위해 드러나는 실리콘기판(10)상에 에피택시 공정을 통하여 상기 금속 콘택홀의 소정부위까지 에피택시막(40)을 형성하는 단계; 전체 구조 상부에 금속막(50)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에피택시막(40)는 건식식각부위까지 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014082A KR960002559A (ko) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 반도체소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014082A KR960002559A (ko) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 반도체소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002559A true KR960002559A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014082A KR960002559A (ko) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 반도체소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002559A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334961B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-06-20 | 박종섭 | 반도체장치의 다층 금속배선 형성 방법 |
-
1994
- 1994-06-21 KR KR1019940014082A patent/KR960002559A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334961B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-06-20 | 박종섭 | 반도체장치의 다층 금속배선 형성 방법 |
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