KR950004413A - 반도체 소자의 콘택제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명의 상세한 설명은 고집적 반도체 소자의 콘택 제조방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 저부의 실리콘기판에 선택적으로 금속층을 성장시켜 금속 콘택 플러그를 형성한 다음, 절연층을 형성하고, 절연층의 일정부분을 식각하여 콘택 플러그를 노출시킨 다음, 도전층을 증착함으로써 도전층이 금속 플러그를 통해 하부의 실리콘기판에 콘택되도록 하는 반도체 소자의 콘택 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 자기정렬된 콘택제조단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자 콘택 제조방법에 있어서, 실리콘기판 상부에 소정간격 이격된 게이트 폴리를 형성하되, 게이트 폴리 상부 및 측벽에 마스크 산화막과 스페이서 산화막이 구비되도록 형성하는 공정과, 전체적으로 절연산화막을 증착한 다음, 그 상부에 콘택마스크용 감광막 패턴을 형성한 다음, 콘택영역의 절연산화막을 식각하여 실리콘기판인 노출된 콘택홀 형성하는 공정과, 상기 콘택마스크용 감광막 패턴을 제거한 다음, 노출된 실리콘기판에 선택적으로 금속층을 성장시켜 금속 콘택플러그를 형성하는 공정과, 전체적으로 평탄화용 절연층을 형성하고, 그 상부에 콘택 마스크용 감광막 패턴을 형성한 다음, 콘택영역의 평탄화용 절연층을 식각하여 금속 콘택플러그를 노출시키는 공정과, 콘택 마스크용 감광막을 제거하고 도전층을 증착하여 금속 콘택플러그를 통하여 실리콘기판에 콘택시키는 공정을 포함하는 반도체 소자의 콘택제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘기판이 노출된 콘택홀은 마스크 산화막과 스페이서 산화막에 의해 자기정렬된 콘택홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택적으로 성장되는 금속층은 텅스텐막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930014020A KR950004413A (ko) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 반도체 소자의 콘택제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930014020A KR950004413A (ko) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 반도체 소자의 콘택제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950004413A true KR950004413A (ko) | 1995-02-18 |
Family
ID=67143370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930014020A KR950004413A (ko) | 1993-07-23 | 1993-07-23 | 반도체 소자의 콘택제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950004413A (ko) |
-
1993
- 1993-07-23 KR KR1019930014020A patent/KR950004413A/ko not_active Application Discontinuation
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