KR900017141A - 반도체소자 제조 공정중의 버리드 콘택(Buried Contact) 형성방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

반도체소자 제조 공정중의 버리드 콘택(Buried Contact) 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 실리콘기판위에 필드산화막과 게이트 산화막 그리고 얇은 폴리실콘막을 증착시킨후 버리드콘택 마스크를 형성한 단면도,

제2도는 얇은 폴리실리콘과 게이트 산화막을 건식 또는 습식 식각후 버리드 콘택마스크를 제거한 단면도,

제3도는 폴리실리콘 또는 폴리사이드를 적당한 게이트 전극 형성 두께로 증착하고 폴리실리콘 또는 폴리사이드의 증착전 이온주입법 또는 증착후 상기의 도프된 폴리실리콘 또는 폴리사이드로부터 열적확산에 의한 확산층을 형성한 단면도.

Claims (2)

1. 실리콘기판(1)에 게이트 산화막(3)을 성정시킨후 버리드콘택 패턴으로 콘택홀을 형성하고 적당한 두께의 폴리실리콘 또는 폴리사이드 (6)를 증착하여 도프소스로부터 확산층 (7)을 형성하거나 이온주입으로 먼저 확산층(7)을 형성한후 상기의 폴리실리콘 또는 폴리사이드(6)을 형성하고 게이트전극선(6) 및 연결선(6")을 형성하도록 패턴을 형성한 다음 전체적으로 절연막 (8)을 형성하고 게이트 전극선 (6') 또는 연결선(6")에 콘택홀을 형성한 후 도체선(9)을 침착하여 접속시키는 공정방법에 있어서, 상기 게이트 산화막(3)의 특성을 보호하기 위하여, 게이트 산화막(3) 상부에 도프되기나. 도프되지 않은 얇은 폴리실리콘(4)을 증착하고 버리드콘택 패턴공정으로 콘택홀을 형성한 다음 전체적으로 폴리실리콘 또는 폴리사이드 (6)를 얇은 폴리실리콘 (4) 및 콘택홀에 형성하여 게이트 전극선(6') 및 연결선(6") 패턴을 형성할때 불필요한 부분의 얇은 폴리실리콘(4)은 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정중의 버리드콘택 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 게이트산화막(3) 상부의 얇은 폴리실리콘(4)을 보호하기 위하여, 얇은 폴리실리콘(4)을 증착한후 그 상부에 선택적으로 제거가 가능한 산화막 또는 질화막을 형성하고 버리드콘택 패턴으로 콘택홀을 형성한 다음, 다시 상기 산화막 또는 질화막을 제거하고 전체적으로 폴리실리콘 또는 폴리사이드(6)을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정중의 버리드콘택 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.