KR970003708A - 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 미세한 게이트 전극을 형성하기 위하여 아모퍼스 실리콘층을 적층하여 나칭 현상이 방지할 수 있는 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 폴리실리콘으로 미세한 게이트 전극을 형성하기 위하여 게이트 전극을 위한 폴리실리콘 형성후, 인시튜로 결정이 없는 아모퍼스 실리콘을 증착하여 결정 경계면에 의한 포토레지스트의 나칭현상을 방지하고, 고온 공정을 진행하여 아모퍼스 실리콘을 폴리실리콘화하여 고집적 소자의 미세한 게이트 전극을 제조할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 (바)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 게이트 전극의 제조 방법을 나타낸 요부단면도.
Claims (5)
- 반도체 기판상에 게이트 절연막 형성후, 폴리실리콘을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘 상부에 아모퍼스 실리콘을 형성하는 단계; 상기 아모퍼스 실리콘 상부에 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴의 형태로 하부의 폴리실리콘 및 아모퍼스 실리콘을 건식 식각하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 고온 공정을 진행하는 단계; 및 상기 전체 구조 전면에 불순물 이온 주입을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 아모퍼스 실리콘의 두께는 1000 내지 3000A의 두께 범위로 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아모퍼스 실리콘은 상기 폴리실리콘 형성후, 인 시튜로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고온 공정은 600 내지 1000℃의 온도 범위에서 열처리하여 아모퍼스 실리콘을 폴리실리콘화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고온 공정 이후, 불순물 이온 주입은 공정은 상기 폴리실리콘 내부의 전도성 개선을 위한 이온 주입인 동시에 접합 영역을 형성하기 위한 이온 주입인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017584A KR970003708A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017584A KR970003708A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003708A true KR970003708A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017584A KR970003708A (ko) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003708A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481983B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-06-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이중 게이트 cmos에서의 n＋게이트 형성방법 |
-
1995
- 1995-06-26 KR KR1019950017584A patent/KR970003708A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481983B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-06-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이중 게이트 cmos에서의 n＋게이트 형성방법 |
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