KR950021718A - 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 트랜지스터 제조방법으로서, 먼저 (가)반도체기판위에 복수의 활성영역과 복수의 격리영역을 형성하는 단계와, (나)웨이퍼 전면에 제1절연막을 형성하는 단계와, (다)절연막 위에 제2절연막을 형성하는 단계와, 활성영역에 포함되는 부위의 제2절연막의 소정부위를 제거하여 메모리셀 형성부위로서 제1절연막 소정부위를 노출시키는 단계와, (라)노출된 복수의 제1절연막 소정부위에 제3절연막을 형성하는 단계와, (마)잔류하는 제2절연막을 제거하는 단계와,(바)웨이퍼 전면에 도전층을 형성하는 단계와, 도전층의 소정부위를 제거하여 활성영역에 도전층 패턴을 정의하는 단계와, (사)도전층 패턴측면의 활성영역에 불순물 이온매몰층을 형성하는 단계와, (아)불순물 이온 매몰층을 확산시키는 단계로 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체장치의 트랜지스터 제조방법.
Claims (11)
- 반도체소자 제조방법에 있어서, (가)반도체 기판 위에 복수의 활성영역과 복수의 격리영역을 형성하는 단계와, (나)웨이퍼 전면에 제1절연막을 형성하는 단계와, (다)상기 절연막 위에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 복수의 활성영역에 포함되는 부위의 상기 제2절연막의 소정부위를 제거하여 복수의 메모리셀 형성부위로서 복수의 제1절연막 소정부위를 노출시키는 단계와, (라)상기 노출된 복수의 제1절연막 소정부위에 제3절연막을 형성하는 단계와, (마)상기 잔류하는 제2절연막을 제거하는 단계와,(바)웨이퍼 전면에 도전층을 형성하는 단계와, 상기 도전층의 소정부위를 제거하여 상기 복수의 활성영역에 복수의 도전층 패턴을 정의하는 단계와, (사)상기 복수의 도전층 패턴측면의 상기 복수의 활성영역에 복수의 불순물 이온매몰층을 형성하는 단계와, (아)상기 복수의 불순물 이온 매몰층을 확산시키는 단계로 이루어진 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 열산화막으로 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 제1절연막과 식각선택시에 다른 절연물질로 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 질화막으로 증착하여 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항 및 제2항에 있어서, 상기 제3절연막은 상기 제1절연막과 같은 물질막으로 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, (라)단계에서 상기 노출된 복수의 제1절연막 소정부위에 메모리셀 패스트랜지스터가 형성되는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, (라),(마)단계에서 상기 제3절연막이 형성되지 않은 (마)단계에서의 노출된 복수의 제1절연막 부위에 복수의 페리(perri)소자가 형성되는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, (바)단계에서 상기 도전층을 폴리실리콘층을 증착하여 형성하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, (라)단계에서 상기 제3절연막의 두께조절이 문턱전압조절용 이온주입 공정을 대신하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, (바),(아)단계에서 상기 복수의 도전층 패턴은 복수의 게이트전극이 되고 상기 복수의 불순물 이온 확산층은 복수의 소스/드레인이 되는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 P형 기판을 사용하는 것이 특징인 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930026983A KR950021718A (ko) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930026983A KR950021718A (ko) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950021718A true KR950021718A (ko) | 1995-07-26 |
Family
ID=66826204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930026983A KR950021718A (ko) | 1993-12-09 | 1993-12-09 | 반도체 장치의 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950021718A (ko) |
-
1993
- 1993-12-09 KR KR1019930026983A patent/KR950021718A/ko not_active Application Discontinuation
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