KR970053429A - 반도체장치의 소자분리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 소자분리 방법에 관한 것으로, 반도체기판 상에 패드산화막을 형성하는 단계; 상기 패드산화막의 소정영역 상에 제1질화막 패턴 및 산화막 패턴이 차례로 적층된 활성영역 패턴을 형성하는 단계; 상기 활성영역 패턴 측벽에 제2질화막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 상기 산화막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산화막 패턴이 제거된 반도체기판을 열산화시키어 상기 제1질화막 패턴 및 상기 스페이서가 형성되지 않은 반도체기판 표면에 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 버즈비크 아래에 가해지는 스트레스 및 버즈비크의 길이를 크게 감소시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 소자분리 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체기판 상에 패드산화막을 형성하는 단계; 상기 패드산화막의 소정영역 상에 제1질화막 패턴 및 산화막 패턴이 차례로 적층된 활성영역 패턴을 형성하는 단계; 상기 활성영역 패턴 측벽에 제2질화막으로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 상기 산화막 패턴을 제거하는 단계; 및 상기 산화막 패턴이 제거된 반도체기판을 열산화시키어 상기 제1질화막 패턴 및 상기 스페이서가 형성되지 않은 반도체기판 표면에 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057101A KR970053429A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057101A KR970053429A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053429A true KR970053429A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66618415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057101A KR970053429A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 소자분리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053429A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057101A patent/KR970053429A/ko not_active Application Discontinuation
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