KR950019917A - 폴리 실리콘막 식각 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 실리콘 기판상(1)에 패드산화막(2), 폴리실리콘막(3), 질화막(4)을 차례로 증착한후 감광막 마스크 패턴(5)을 이용하여 상기 질화막(4)을 선택 식각하고 폴리 실리콘막(3)을 절반 정도 제거한 다음, 필드산화막(6)을 형성한 후, 상기 질화막(4)및 폴리 실리콘막(3)을 제거하는 공정으로 이루어지는 폴리실리콘 완충 소자 분리막(poly Buffered LOCOS)형성시 사용되는 폴리실리콘과 식각 방법에 있어서;상기 필드산화막(6)을 형성후 폴리실리콘막(3)을 제거하는 공정은 산화막의 식각선택비를 50:1이상으로 하고, 동방성 식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘막 식각 방법에 관한 것으로, 폴리실리콘막을식각할 때 하부층인 패드 산화막에 전혀 손상을 주지 않고 또한 실리콘 기판에도 손상을 주지 않는 식각방법을 사용함으로써 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Description

폴리실리콘막 식각 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1F도는 종래의 일반적인 PBL구조 형성 공정도,

제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 폴리실리콘막 식각 방법에 따른 식각 방법에 따른 PBL구조 형성 공정도.

Claims (1)

1. 실리콘 기판상(1)에 패드산화막(2), 폴리실리콘막(3), 질화막(4)을 차례로 증착한후 감광막 마스크 패턴(5)을 이용하여 상기 질화막(4)을 선택 식각하고 폴리 실리콘막(3)을 절반 정도 제거한 다음, 필드산화막(6)을 형성한 후, 상기 질화막(4)및 폴리실리콘막(3)을 제거하는 공정으로 이루어지는 폴리실리콘 완충 소자 분리막(poly Buffered LOCOS) 형성시 사용되는 폴리실리콘과 식각 방법에 있어서;상기 필드산화막(6)을 형성후 폴리실리콘막(3)을 제거하는 공정은 산화막의 식각선택비를 50:1이상으로 하고, 등방성 식각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리 실리콘막 식각 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.