KR970030643A - 반도체소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
반도체소자의 소자분리막 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체기판 전면에 완충용 산화막을 형성하는 단계, 완충용 산화막 상에 산화방지막을 형성하는 단계, 산화방지막을 패터닝함으로써 필드산화막이 형성될 영역의 완충용 산화막을 노출시키는 모양의 산화방지막 패턴을 형성하는 단계, 노출된 완충용 산화막을 습식식각함으로써 산화방지막 패턴과 반도체기판 사이에 언더컷을 형성하는 단계, 결과물 기판 전면에 옥시 나이트라이드막을 형성하는 단계, 언더컷에 형성되어 있는 것을 제외한 모든 옥시 나이트라이드막을 제거하는 단계 및 결과물 기판을 산화분위기에 노출시킴으로써 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 활성영역을 파고드는 형태로 발생하던 버즈비크를 옥시 나이트라이드막으로 방지하고, 질화막과의 식각선택성이 좋은 물질, 즉 완충용 산화막을 이용하여 반도체기판의 표면이 손상되는 것을 방지하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 일 실시예에 의한 소자분리막 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체기판 전면에 완충용 산화막을 형성하는 제1단계; 상기 완충용 산화막 상에 산화방지막을 형성하는 제2단계; 상기 산화방지막을 패터닝함으로써 소자분리막이 형성될 영역의 상기 완충용 산화막을 노출시키는 모양의 산화방지막 패턴을 형성하는 제3단계; 노출된 상기 완충용 산화막을 습식식각함으로써 상기 산화방지막 패턴과 반도체기판 사이에 언더컷을 형성하는 제4단계; 결과물 기판 전면에 옥시 나이트라이드막을 형성하는 제5단계; 상기 언더컷에 형성되어 있는 것을 제외한 모든 옥시 나이트라이드막을 제거하는 제6단계; 및 결과물 기판을 산화분위기에 노출시킴으로써 소자분리막을 형성하는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4단계 후, 상기 제4 단계에 의해 노출된 반도체기판 표면에 패드산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 패드산화막은 20Å-80Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 헝성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화방지막은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6단계는 습식식각 공정으로 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100440266B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
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- 1996-11-20 JP JP8309271A patent/JPH09172006A/ja not_active Withdrawn
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100440266B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법 |
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