KR970030644A - 반도체 소자의 스페이서 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 스페이서 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970030644A
KR970030644A KR1019950044904A KR19950044904A KR970030644A KR 970030644 A KR970030644 A KR 970030644A KR 1019950044904 A KR1019950044904 A KR 1019950044904A KR 19950044904 A KR19950044904 A KR 19950044904A KR 970030644 A KR970030644 A KR 970030644A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
layer
spacer
insulating layer
material layer
Prior art date
Application number
KR1019950044904A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0165488B1 (ko
Inventor
박영소
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950044904A priority Critical patent/KR0165488B1/ko
Publication of KR970030644A publication Critical patent/KR970030644A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0165488B1 publication Critical patent/KR0165488B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)

Abstract

반도체 소자의 스페이서 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체 기판 상에 제1물질층 및 절연층을 형성하는 제1단계, 반도체 기판 상에 적층된 절연층 및 제1물질층을 선택적으로 식각하여 기판의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 제2단계, 개구부가 형성된 제1물질층의 일부를 습식식각하여 절연층 하부에 언더컷(undercut)을 형성하는 제3단계, 언더컷이 형성된 결과물 상에 스페이서 형성을 위한 제2물질층을 형성하는 제4단계, 언더컷의 내부에만 잔류되도록 제2물질층을 식각함으로써 제1물질층의 측벽에 스페이서를 형성하는 제5단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 미세한 크기의 개구부내에서도 스페이서 형성이 가능하다.

Description

반도체 소자의 스페이서 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도 내지 제11도는 본 발명의 일 실시예에 따른 스페이서 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.

Claims (7)

  1. 반도체 기판 상에 제1물질층 및 절연층을 형성하는 제1단계; 반도체 기판 상에 적층된 상기 절연층 및 제1 물질층을 선택적으로 식각하여 상기 기판의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 제2단계; 개구부가 형성된 상기 제1몰질층의 일부를 습식식각하여 상기 절연층 하부에 언더컷(undercut)을 형성하는 제3단계; 언더컷이 형성된 상기 결과물 상에 스페이서 형성을 위한 제2물질층을 형성하는 제4단계; 및 상기 언더컷의 내부에만 잔류되도록 상기 제2물질층을 식각함으로써 상기 제1물질층의 측벽에 스페이서를 형성하는 제5단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1물질층의 습식식각량으로 상기 스페이서의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
  4. 반도체 기판 상에 패드산화막, 산화방지막 및 절연층을 차례로 형성하는 제1단계; 상기 절연층 및 산화방지막을 선택적으로 식각하여 상기 패드산화막의 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 제2단계; 개구부가 형성된 상기 산화방지막의 일부를 습식식각하여 상기 절연층 하부에 언더컷(undercut)을 형성하는 제3단계; 언더컷이 형성된 상기 결과물 상에 스페이서 형성을 위한 다결정실리콘층을 형성하는 제4단계; 상기 언더컷의 내부에만 잔류되도록 상기 다결정실리콘층을 식각함으로써 상기 산화방지막의 측벽에 스페이서를 형성하는 제5단계; 및 스페이서가 형성되어 있는 상기 결과물을 열산화하여 소자분리막을 형성하는 제6단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 산화방지막은 실리콘 질화물로, 절연층은 실리콘 산화물로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 산화방지막의 습식식각량으로 상기 스페이서의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제3단계 후, 식각에 의해 손상된 상기 패드산화막을 제거하고, 노출된 기판 표면을 재산화하여 얇은 산화막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950044904A 1995-11-29 1995-11-29 반도체 소자의 스페이서 형성방법 KR0165488B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950044904A KR0165488B1 (ko) 1995-11-29 1995-11-29 반도체 소자의 스페이서 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950044904A KR0165488B1 (ko) 1995-11-29 1995-11-29 반도체 소자의 스페이서 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970030644A true KR970030644A (ko) 1997-06-26
KR0165488B1 KR0165488B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=19436544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950044904A KR0165488B1 (ko) 1995-11-29 1995-11-29 반도체 소자의 스페이서 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0165488B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220160514A (ko) 2017-03-21 2022-12-06 엘지전자 주식회사 냉장고

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220160514A (ko) 2017-03-21 2022-12-06 엘지전자 주식회사 냉장고

Also Published As

Publication number Publication date
KR0165488B1 (ko) 1999-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001984A (ko) 반도체장치의 소자분리방법
KR970030640A (ko) 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법
KR970072380A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR970030644A (ko) 반도체 소자의 스페이서 형성방법
KR950021390A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법
KR980006032A (ko) 반도체 소자의 격리영역 형성방법
KR960026585A (ko) 반도체소자의 소자분리 산화막의 제조방법
KR960002744A (ko) 반도체 소자의 소자분리막 형성방법
KR960043110A (ko) 반도체 장치의 소자분리막 형성방법
KR970023736A (ko) 반도체장치의 콘택부 형성방법
KR970053420A (ko) 반도체장치의 필드산화막 형성방법
KR970030647A (ko) 반도체 소자의 측벽 제조 방법 및 그 구조
KR970053429A (ko) 반도체장치의 소자분리 방법
KR970030643A (ko) 반도체소자의 소자분리막 형성방법
KR950021352A (ko) 반도체 소자 분리방법
KR960005937A (ko) 반도체 소자의 격리영역 형성방법
KR970053470A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR960032672A (ko) 반도체 장치의 소자분리방법
KR970053396A (ko) 고집적 반도체 소자의 소자분리 산화막 제조방법
KR970053462A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성 방법
KR970053372A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법
KR970018363A (ko) 반도체 장치의 로커스와 트랜치 조합형 소자분리 방법
KR960035961A (ko) 소자분리막 형성 방법
KR970053423A (ko) 반도체 소자의 소자 분리 절연막 제조방법
KR970053416A (ko) 반도체소자의 소자분리막 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050802

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee