KR960026610A - 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 필드산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 관한 것으로, 버즈빅의 형성으로 인한 활성영역의 축소를 방지하기 위하여 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 소자분리방법으로 필드산화막을 형성시킨 후 질화막을 식각장벽(Etch barrier)으로 이용하여 상기 필드산화막의 상부를 식각하므로써 단차를 향상시키며 활성영역을 증대시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 필드산화막 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 패드산화막 및 질화막을 순차적으로 형성한 후 소자분리마스크를 이용하여 필드영역의 질화막 및 패드산화막을 패터닝한 다음 산화공정을 실시하여 필드산화막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 질화막을 식각장벽으로 이용하여 상기 필드 산화막의 상부를 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 잔류된 질화막 및 패드산화막을 순차적으로 제거시키는 단계와, 상기 단계로부터 식각된 필드산화막의 표면부위까지 상기 실리콘 기판을 식각하여 최종 필드산화막을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 필드산화막 식각공정은 필드산화막의 양측부에 형성된 버즈빅 부분이 완전히 손실 될때까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039478A KR960026610A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039478A KR960026610A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026610A true KR960026610A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039478A KR960026610A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026610A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039478A patent/KR960026610A/ko not_active Application Discontinuation
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