KR970030636A - 반도체 장치의 소자분리방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자분리방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 메모리 장치의 소자분리방법에 관하여 기재하고 있다. 반도체 장치의 소자분리 방법에 있어서, 웰(well)을 형성하기 전, 반도체 기판 상에 활성영역과 소자분리영역 사이에 단차를 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법이 제공된다. 따라서, 고집적화에 유리하며, 소자분리영역과 활성영역과의 단차가 발생하지 않는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 내지 제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 소자분리방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체 장치의 소자분리 방법에 있어서, 웰(well)을 형성하기 전, 반도체 기판상에 활성영역과 소자분리영역사이에 단차를 먼저 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.
- 반도체 기판 상에 소자분리영역의 상기 기판 일부를 노출시키는 제1산화막 및 제1 질화막을 형성하는 단계; 상기 결과물에 대한 열산화공정을 진행하여 제1필드산화막을 형성하는 단계; 상기 제1질화막, 제1산화막 및 제1필드산화막을 제거하여 상기 기판의 표면에 단차를 형성하는 단계; 단차가 형성된 상기 기판에 웰을 형성하는 단계; 웰이 형성된 상기 결과물 상에 소자분리영역의 상기 기판 일부를 노출시키는 제2 산화막 및 제2 질화막을 형성하는 단계; 상기 결과물에 대한 열산화공정을 진행하여 제2 필드산화막을 형성하는 단계; 및 상기 제2 질화막 및 제2 산화막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자분리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950040720A KR970030636A (ko) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 반도체 장치의 소자분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950040720A KR970030636A (ko) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 반도체 장치의 소자분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030636A true KR970030636A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66587051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950040720A KR970030636A (ko) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 반도체 장치의 소자분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030636A (ko) |
-
1995
- 1995-11-10 KR KR1019950040720A patent/KR970030636A/ko not_active Application Discontinuation
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