KR960012429A - 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 소자분리막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소자간 분리, 절연을 위한 반도체 소자의소자분리막 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판(1)에 패드산화막(2), 제1질화막(3)을 차례로 형성한 다음 필드영역의 상기 제1질화막(3)을 제거하는 단계; 상기 제1질화막 가장자리 밑부분의 패드산화막을 소정두께 제거하는 단계; 전체구조 상부에 제2질화막(4)을 소정두께로 형성하는 단계; 산화공정을 실시하여 분리막(5) 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 일실시예의 소자분리막 형성과정을 나타내는 공정 단면도.
Claims (3)
- 소자간 분리, 절연을 위한 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 반도체기판에 패드산화막, 제1질화막을 차례로 형성한 다음 필드영역의 상기 제1질화막을 제거하는 단계; 상기 제1질화막 가장자리 밑부분의 패드산화막을 소정두께 제거하는 단계; 전체구조 상부에 제2질화막을 소정두께로 형성하는 단계; 산화공정을 실시하여 분리막 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1질화막 가장자리 밑부분의 패드산화막은 습식식각제에 딥하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자분리막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2질화막은 90 내지 150Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940023874A KR960012429A (ko) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940023874A KR960012429A (ko) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960012429A true KR960012429A (ko) | 1996-04-20 |
Family
ID=66687116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940023874A KR960012429A (ko) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960012429A (ko) |
-
1994
- 1994-09-22 KR KR1019940023874A patent/KR960012429A/ko not_active Application Discontinuation
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