KR960035958A - 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 소자분리막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 소자간 분리, 절연을 위한 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 관한 것으로,반도체기판에 패드산화막, 질화막을 형성한 후 패터닝하여 소자분리영역을 노출시키되, 상기 패드산화막이 소정정도 잔류하도록 하는 단계 ; 질소를 함유한 가스 분위기에서 열처리 하여 상기 패드산화막의 일부를 질솨시켜 질화산화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 측벽에 스페이스 질화막을 형성한 후 이를 식각마스크로 이용하여 소자분리막이 형성될 영역의 상기 질화산화막을 제거하는 단계; 소자분리 영역에 제1 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 필드산화막을 제거한 다음 채널 스토퍼를 이온주입 하는 단계 ; 소자분리 영역에 제2 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 소자분리막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 일시리에에 따른 소자분리막 형성 과정을 나타내는 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 소자간 분리, 절연을 위한 반도체 소자의 소자분리막 형성방법에 있어서, 반도체기판에 패드산화막, 질화막을 형성한 후 패터닝하여 소자분리영역을 노출시키되, 상기 패드산화막이 소정정도 잔류하도록 하는 단계; 질소를 함유한 가스 분위기에서 열처리하여 상기 패드산화막의 일부를 질화시켜 질화산화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 측벽에 스페이스 질화막을 형성한 후 이를 식각마스크로 이용하여 소자분리막이 형성될 영역의 상기 질화산화막을 제거하는 단계; 소자분리 영역에 제1 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 필드산화막을 제거한 다음 채널 스토퍼를 이온주입 하는 단계; 소자분리 영역에 제2 필드산화막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자분리막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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