KR920015612A - 반도체장치의 소자격리 방법 - Google Patents
반도체장치의 소자격리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 (a)∼(h)는 본발명의 1실시예에 따른 제조공정도이다.
Claims (1)
- 반도체 기판상에 제1산화막, 제1질화막, 제2산화막을 차례로 도포한 후 필드 영역을 한정해서 제거하고 측면에 제2질화막, 제3산화막으로 된 측벽을 형성하는 공정과, 상기 제3산화막을 제거한 후 노출된 상기 반도체 기판에 소정깊이의 다공성 실리콘층 형성하는 공정과, 상기 다공성 실리콘층을 산화한 후 제거하는 공정과, 노출된 실리콘 기판에 채널스톱을 위한 불순물을 이온주입하고 팰드산화막을 성장시키는 공정으로 이루어진 반도체장치의 소자격리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR920015612A true KR920015612A (ko) | 1992-08-27 |
| KR0179022B1 KR0179022B1 (ko) | 1999-03-20 |
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ID=19309946
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489534B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2005-05-16 | 동부아남반도체 주식회사 | 다공성 실리콘의 증발을 이용한 반도체 ｓｔｉ 형성 방법 |
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1991
- 1991-01-17 KR KR1019910000710A patent/KR0179022B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR0179022B1 (ko) | 1999-03-20 |
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