KR910001936A - 반도체 장치의 소자 분리방법 - Google Patents
반도체 장치의 소자 분리방법 Download PDFInfo
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내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2 (A)-(D)도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조공정도.
Claims (2)
- 반도체 장치의 소자 분리방법에 있어서, 제1도전형의 반도체 기판상에 패드산화막, 다결정 실리콘막 및 질화막을 순차적으로 형성한 후 상기 질화막의 소정 부분을 식각하여 개구를 형성하는 제1공정과, 상기 질화막과 노출된 다결정 실리콘막의 상부에 LTO막을 침적하는 제2공정과, 상기 LTO막을 다경정 실리콘막이 드러날때까지 에치백하여 스페이서를 형성한 후 상기 제1도전형의 불순물을 이온주입하여 이온주입영역을 형성하는 제3공정과, 상기 스페이서를 제거한 후 개구를 통하여 다결정 실리콘막을 산화시켜 필드산화막을 형성함과 동시에 채널 스토퍼를 형성하고 상기 필드산화막이외 영역의 기판을 노출시킨 후 게이트 산화막을 형성하고 상기 제1도 전형과 반대도전형인 제2도 전형의 불순물을 이온주입한 후 확산시켜 확산영역을 형성하는 제4공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리방법.
- 제1항에 있어서, LTO막의 두께에 따라 스페이서의 크기를 조절할 수 있음을 특징으로 하는 반도체 장치의 소자 분리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890008481A KR910001936A (ko) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 반도체 장치의 소자 분리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890008481A KR910001936A (ko) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 반도체 장치의 소자 분리방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910001936A true KR910001936A (ko) | 1991-01-31 |
Family
ID=67840534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890008481A KR910001936A (ko) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 반도체 장치의 소자 분리방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910001936A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100341590B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-06-22 | 박종섭 | 동적 범위를 개선한 비교 장치 |
-
1989
- 1989-06-20 KR KR1019890008481A patent/KR910001936A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100341590B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-06-22 | 박종섭 | 동적 범위를 개선한 비교 장치 |
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