KR930003320A - 반도체 소자의 격리영역 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 격리영역 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 격리영역 형성을 위한 공정 단면도.
Claims (1)
- 기판(1)위에 베이스산화막(2)을 성장시키고 제1질화막(3), HTO(4)를 차례로 증착하는 공정과, 상기 전표면에 제2질화막(5)을 증착하고 식각하여 측벽을 형성하는 공정과, 상기 HTO(4)를 제거하고 제1필드산화막(6)성장후 제1필드산화막(6)을 제거하는 공정과, 패드산화막(7)과 제3질화막(8)을 증착하고 상기 제3질화막(8)을 수직식각한 채널스톱을 주입하는 공정과, 제2필드산화막(9)을 성장시키는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 격리영역 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011721A KR100192540B1 (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910011721A KR100192540B1 (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930003320A true KR930003320A (ko) | 1993-02-24 |
| KR100192540B1 KR100192540B1 (ko) | 1999-06-15 |
Family
ID=19317060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910011721A KR100192540B1 (ko) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 반도체 소자의 격리영역 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100192540B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100441983B1 (ko) * | 2002-04-20 | 2004-07-30 | 김조권 | 섬유강화복합재료의 매듭성형 편직권선장치 |
-
1991
- 1991-07-10 KR KR1019910011721A patent/KR100192540B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100441983B1 (ko) * | 2002-04-20 | 2004-07-30 | 김조권 | 섬유강화복합재료의 매듭성형 편직권선장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100192540B1 (ko) | 1999-06-15 |
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