KR910020835A - P/r 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법 - Google Patents
P/r 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
Claims (5)
- 기판(1)위에 필드 산화막(2), 베이스 산화막(3), 질화막(4)을 형성하고 질화막(4) 에 LTO(5)를 증착한 후 이 LTO(5)위에 블록킹용 질화막(6)을 증착하며 이 질화막(6)위에 P/R(7)을 입히고 선택전 식각한 상태에서 질화막 방내에서 건식으로 질화막(6)을 식각한 후 연속하여 LTO(5)를 식각하고 이어서 고에너지 이온주입을 실시하고 블록킹용 질화막(6)과 LTO(5)를 제거한후 다시 질화막(4)과 베이스산화막(3)을 제거함을 특징으로 하는 P/R 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법.
- 제1항에 있어서, LTO(5)와 질화막(6)의 두께비는 1 : 4로 함을 특징으로 하는 P/R 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법.
- 제1항에 있어서, LTO(5)에치시 1000Å 남겨 표면손상을 방지함과 아울러 어닐공정을 생략할 수 있음을 특징으로 하는 P/R 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법.
- 제1항에 있어서, 질화막(6) 건식식각시 P/R(7)이 동시에 식각됨을 특징으로 하는 P/R 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법
- 제1항에 있어서, P/R(7)과 질화막(6)의 선택비를 1 : 1.5로 함을 특징으로 하는 P/R 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900006632A KR910020835A (ko) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | P/r 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900006632A KR910020835A (ko) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | P/r 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910020835A true KR910020835A (ko) | 1991-12-20 |
Family
ID=67482429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900006632A KR910020835A (ko) | 1990-05-10 | 1990-05-10 | P/r 제거공정이 필요없는 고에너지 이온주입 저지를 위한 식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910020835A (ko) |
-
1990
- 1990-05-10 KR KR1019900006632A patent/KR910020835A/ko not_active Application Discontinuation
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