KR920013743A - 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법 - Google Patents
열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법 Download PDFInfo
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도
Claims (2)
- 기판위에 산화막, 제1질화막을 차례로 형성하고 제1질화막을 마스킹 공정으로 선택적 식각하는 공정과, 열적산화막 공정을 이용하여 제1필드산화막을 성장시키고 제1질화막과 제1필드 산화막을 제거하는 공정과, 산화막과 제2질화막을 형성하고 제2필드산화막을 성장 시킨후 제2질화막을 제거하는 공정과, 산화막과 게이트 폴리 및 캡 산화막을 차례로 형성하고 마스킹 공정으로 식각하여 게이트를 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 열 산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법.
- 제1항에 있어서, 액트브 영역내 소오스가 될 부위의 높이를 낮춤을 특징으로 하는 산화막 공정을 이용한 게이트 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020944A KR0161839B1 (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020944A KR0161839B1 (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013743A true KR920013743A (ko) | 1992-07-29 |
| KR0161839B1 KR0161839B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19307788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900020944A KR0161839B1 (ko) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0161839B1 (ko) |
-
1990
- 1990-12-18 KR KR1019900020944A patent/KR0161839B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0161839B1 (ko) | 1998-12-01 |
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