KR910017664A - 바이폴라 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

바이폴라 트랜지스터 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR910017664A
KR910017664A KR1019900002997A KR900002997A KR910017664A KR 910017664 A KR910017664 A KR 910017664A KR 1019900002997 A KR1019900002997 A KR 1019900002997A KR 900002997 A KR900002997 A KR 900002997A KR 910017664 A KR910017664 A KR 910017664A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bipolar transistor
transistor manufacturing
collector
buried
mask
Prior art date
Application number
KR1019900002997A
Other languages
English (en)
Inventor
황이연
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900002997A priority Critical patent/KR910017664A/ko
Publication of KR910017664A publication Critical patent/KR910017664A/ko

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

바이폴라 트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명의 공정순서도, 제 4도는 제 3도 (다)의 B-B선 단면을 나타낸 도면.

Claims (1)

  1. 기판(1)위에 N+매몰층(2)형성시 마스크를 이용하여 매몰콜랙터(3)을 형성하고 이 매몰 콜렉터(3)을 이용하여 상하 확산동정으로 레터럴 확산을 줄여 콜렉터(7)와 베이스(5)간격을 최소화하게 함을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900002997A 1990-03-07 1990-03-07 바이폴라 트랜지스터 제조방법 KR910017664A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900002997A KR910017664A (ko) 1990-03-07 1990-03-07 바이폴라 트랜지스터 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900002997A KR910017664A (ko) 1990-03-07 1990-03-07 바이폴라 트랜지스터 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910017664A true KR910017664A (ko) 1991-11-05

Family

ID=67468562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900002997A KR910017664A (ko) 1990-03-07 1990-03-07 바이폴라 트랜지스터 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR910017664A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870005459A (ko) 반도체장치
KR910001971A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR880001058A (ko) 헤테로 접합형 바이폴러트랜지스터의 제조방법
KR910017664A (ko) 바이폴라 트랜지스터 제조방법
DE59206456D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors
KR860001488A (ko) 바이폴러 트랜지스터와 iil이 있는 반도체 장치
KR880013256A (ko) 헤테로접합형 바이폴라트랜지스터 및 그 제조방법
KR910002002A (ko) 셀프 얼라인을 이용한 고집적 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
KR860001489A (ko) 반도체장치
KR890017813A (ko) 트랜지스터 제조 방법
KR890016681A (ko) I^2l디지탈 소자 제조방법
KR880014689A (ko) 쌍극성 반전 채널 전계효과 트랜지스터(bicfet)
KR890013788A (ko) 쌍극성 직접 회로소자 제조방법
KR900005614A (ko) 바이폴러 트랜지스터 제조방법
KR910017662A (ko) 기생 커패시터 방지를 위한 반도체 구조
KR910017666A (ko) 트랜지스터 제조방법
KR850005131A (ko) 에피택셜 성장 기술에 의한 메사 트랜지스터의 제작방법
KR920017213A (ko) 반도체 장치의 소자격리 방법
KR910013476A (ko) 트리플 베이스 구조를 가지는 트랜지스터 및 그 제조방법
KR920015488A (ko) 바이폴라-피모스 소자의 구조
KR900017143A (ko) 바이-씨모스 반도체소자 제조방법
KR910005422A (ko) 반도체 집적회로의 i²l게이트 제조방법
KR920013743A (ko) 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법
KR920003448A (ko) 바이폴라 소자의 메몰층 형성방법
KR880000353A (ko) 반도체 소재(素材)의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision