KR910017666A - 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명의 공정순서를 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 기판(1)에 매몰층(2)을 형성한 후 에피택셜층(3)을 형성한 것에 있어서, 상기 에피택셜층(3)위에 산화막(4)을 형성하여 에칭하고 다시 이 에칭된 산화막⑷위에 폴리실리콘(5)을 형성한 후 에칭하며, 공통으로 에칭된 부분에 p+불순물을 주입하여 베이스로 사용될 p+(6)을 형성하고 산화막(8)을 폴리실리콘(5)위에 형성하여 에칭한 후 이 에칭된 부분에N+폴리(7)를 디포지션하여 에미터로 사용하게 하며, 상기 산화막(4)(8)과 폴리실리콘(5)을 에칭하여 N+불순물을 주입하므로 콜렉터영역(9)을 형성함을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900004327A KR910017666A (ko) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900004327A KR910017666A (ko) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910017666A true KR910017666A (ko) | 1991-11-05 |
Family
ID=67470289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900004327A KR910017666A (ko) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910017666A (ko) |
-
1990
- 1990-03-30 KR KR1019900004327A patent/KR910017666A/ko not_active Application Discontinuation
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