KR900019255A - 질화막을 이용한 자기정렬 바이폴라 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
질화막을 이용한 자기정렬 바이폴라 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 질화막을 이용한 자기정렬 바이폴라 트랜지스터의 제조공정도.
Claims (1)
- 기판(21)에 질화막층(22)을 이용하여 활동영역을 정의한 후 열산화에 의해 필드산화막(23)을 형성하고, 상기 질화막층(22)을 통하여 P+이온을 주입하여 불순물베이스(24)를 형성한후 그위에 열산화에 의해 산화막층(25)을 형성하며, 이후 상기 질화막층(22)을 제거한 후 진성베이스(26)를 형성하며, 이후 상기 진성베이스(26)위에 폴리실리콘을 증착하여 폴리실리콘층(27)을 형성하고, 그 옆에 측벽(28)을 형성하여 에미터영역을 정의하고, 에미터정션(29)을 형성하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 질화막을 이용한 자기 정렬 바이폴라 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0146069B1 KR0146069B1 (ko) | 1998-08-01 |
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1989
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| KR0146069B1 (ko) | 1998-08-01 |
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