KR900005594A - 반도체장치의 개패시터의 그 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 개패시터의 그 제조방법Info
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 캐패시터의 제조공정을 나타낸 단면도.
Claims (4)
- 상부와 하부에 각각 부도체(6), (1)로 둘러 쌓여져 실리콘 기판의 계곡(10)에 구성된 도체(5)를 접지시키고, 상기 부도체(6)는 상부에 도포된 도체(8)를 통하여 트랜지스터와 연결되고, 상기 부도체(1)는 하부에 주입된 불순물 영역(3)을 통하여 트랜지스터와 연결시켜 트랜지스터로부터 병렬 연결된 두개의 캐패시터 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터.
- 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 기판위에 불순물(2)을 주입하고 실리콘 계곡(10)을 형성한 다음 그 위로 부도체(1)을 도포하는 공정과, 포토 레지스터(4)에 의해 실리콘 계곡(10)으로 불순물(3)을 주입하는 공정과, 상기 실리콘 계곡(10)에 도체(5)를 형성하는 공정과, 전표면에 부도체(6)를 도포하는 공정과, 포토레지스터(7)에 의해 상기 부도체(1, 6)를 식각하여 트랜지스터와의 연결창(11)을 형성하는 공정과, 상기 연결창(11)과 상기 부도체(6)의 상부에 도체(8)를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 2항에 있어서, 도체(5)는 리프트 오프 공정을 이용하여 축벽부를 갖도록 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 반도체 기판상에 주입된 불순물(2)과 실리콘 계곡(10)을 통하여 주입된 불순물(3)은 서로 겹쳐지도록 제작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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