KR960032687A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR960032687A
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히로유끼 구리노
요이치 미야이
요시히로 오가따
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윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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Abstract

제1 및 제2도전성 영역〔소스영역(3), 게이트 전극(10) 및 드레인 영역(4)〕들이 상기 도전성 영역들의 상부에 형성된 절연층(7) 내에 접속홀(33 내지 35,37 및 39)들을 통하여 하단 배선(38) 및 상단 배선(42)에 각각 접속되도록 하는 구조를 갖는 반도체 장치로서, 상기 제1 및 제2도전성 영역들상의 상기 접속홀들은 공유 절연층(7)을 통하여 형성되는 반도체 장치가 개시된다. 그 효과로서는 적은 수의 단계를 사용하여 접속홀들을 형성하고, 또 비용 및 사이클 타임을 감소시키는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명은 접속홀들의 크기가 위치 쉬프팅이 거의 없이 최소로 감소될 수 있기 때문에 크기 감소에 효과적이다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 MOS 장치용 제조 방법의 단계에 대한 확대 단면도

Claims (8)

  1. 반도체 장치에 있어서, 제1 및 제2도전성 영역들이 이들 도전성 영역들의 상부에 형성된 절연층 내의 접속홀들을 통하여 하단 배선 및 상단 배선에 각각 접속되며, 상기 제1 및 제2도전성 영역들상의 상기 접속홀들은 공유 절연층(shared insulating layer)을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전성 영역들상의 상기 접속홀들은 하단 배선의 재료로 채워지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상단 배선 및 상기 하단 배선들은 상기 제1 또는 제2도전성 영역을 통하여 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  4. 반도체 장치에 있어서, 제1도전성 영역; 제1절연층에 의하여 상기 제1도전성 영역으로부터 이격되도록 상기 제1도전성 영역 상부에 형성된 제2도전성 영역; 제2절연층에 의하여 상기 제2도전성 영역으로부터 이격되도록 상기 제2도전성 영역 상부에 형성된 제3 및 제4도전성 영역; 상기 제2 및 제1절연층을 통하여 상기 제1도전성 영역에 연장되는 제1접속홀; 및 상기 제2절연층을 통하여 상기 제2도전성 영역에 연장되는 제2접속홀을 포함하며, 상기 제1도전성 영역 및 상기 제3도전성 영역들은 상기 제1접속홀을 통하여 접속되며, 상기 제2도전성 영역 및 상기 제4도전성 영역들은 상기 제2접속홀을 통하여 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1도전성 영역은 반도체 기판의 주표면상에 형성된 도전성 영역이며, 상기 제2, 제3 및 제4도전성 영역들은 배선층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  6. 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 제1절연층을 제1 및 제2도전성 영역의 상부에 형성하는 단계; 상기 제1절연층을 통하여 상기 제1 및 제2도전성 영역들에 연장되는 제1 및 제2접속홀들을 형성하는 단계; 제2도선성 재료로 구성되며, 또 상기 제1절연층의 상부에 상기 제1도전성 재료를 피착시킴으로써 제1도전성 재료로 채워진 제1접속홀을 통하여 상기 제1도전성 영역에 접속된 제1배선을 형성하고, 또 상기 제1도전성 재료로 채워진 제2접속홀을 형성하는 단계; 상기 제1배선의 상부에 제2절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제2절연층의 상부에 제3도전성 재료로 구성되며, 또 상기 제1도전성 재료로 채워진 상기 제2접속홀을 통하여 상기 제2도전성 영역에 전기적으로 접속된 제2배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
  7. 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 제1절연층을 제1도전성 영역의 상부에 형성하는 단계; 제2도전성 영역을 상기 제1절연층의 상부에 형성하는 단계; 제2절연층을 상기 제2도전성 영역의 상부에 형성하는 단계; 상기 제2 및 제1절연층을 통하여 상기 제1도전성 영역에 연장되는 제1접속홀을 형성하고, 또 상기 제2절연층을 통하여 상기 제2도전성 영역에 연장되는 제2접속홀을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2접속홀들을 도전성 재료로 채우고, 또 제3 및 제4도전성 영역들을 상기 제1 및 제2접속홀들에 각각 접속되도록 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
  8. 제7항에 있어서, 제3절연층을 상기 제3 및 제4도전성 영역들의 상부에 형성하는 단계; 제3접속홀을 상기 제3 및 제2절연층을 통하여 상기 제2도전성 영역에 연장되도록 형성하는 단계; 및 상기 제3접속홀을 도전성 재료로 채우고, 또 제5도전성 영역을 상기 제3접속홀을 통하여 상기 제2도전성 영역에 접속되도록 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960005070A 1995-02-28 1996-02-28 반도체장치및그제조방법 KR100474953B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100727449B1 (ko) * 2000-09-25 2007-06-13 하이닉스 세미컨덕터 매뉴팩쳐링 아메리카 인코포레이티드 고도전성 게이트, 로컬 인터커넥트 또는 커패시터 노드를 갖는 집적 장치
KR100868607B1 (ko) * 2008-02-21 2008-11-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100578117B1 (ko) * 1998-12-21 2006-09-27 삼성전자주식회사 반도체 장치의 배선 형성 방법
KR101885766B1 (ko) * 2016-05-10 2018-08-06 한국과학기술원 스트레인 센서 및 이의 제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4833096A (en) * 1988-01-19 1989-05-23 Atmel Corporation EEPROM fabrication process
JP2892443B2 (ja) * 1990-06-13 1999-05-17 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3123092B2 (ja) * 1991-03-06 2001-01-09 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH05343401A (ja) * 1992-06-12 1993-12-24 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH06163711A (ja) * 1992-11-20 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100727449B1 (ko) * 2000-09-25 2007-06-13 하이닉스 세미컨덕터 매뉴팩쳐링 아메리카 인코포레이티드 고도전성 게이트, 로컬 인터커넥트 또는 커패시터 노드를 갖는 집적 장치
KR100868607B1 (ko) * 2008-02-21 2008-11-13 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법

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