KR960039290A - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치는 배선 지연 시간이 회로 전체의 동작 속도를 결정하는 크리티칼 패스에 상당하는 배선과, 크리티칼 패스 이외의 배선에 상당하는 배선으로서, 크리티칼 패스 배선과 다른 배선이 동일 배선층상에 형성되는 배선을 구비하며, 크리티칼 패스 배선의 적어도 한부분의 두께가 상기 다른 배선의 두께보다 크다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6A도 내지 제7B도는 제5도의 반도체 장치를 제조하는 방법을 나타내는 사시단면도.

Claims (8)

  1. 배선 지연 시간이 회로 전체의 동작 속도를 결정하는 크리티칼 패스에 상당하는 배선과, 상기 크리티칼 패스 이외의 배선에 상당하는 배선으로서, 상기 크리티칼 패스 배선과 상기 다른 배선이 동일 배선층상에 형성되는 배선을 구비하여, 상기 크리티칼 패스 배선의 적어도 한부분의 두께가 상기 다른 배선의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 크리티칼 패스 배선은 제1층과 상기 제1층상에 형성된 제2층을 구비하며, 상기 다른 배선은 상기 제1층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1층은 상기 제2층과 동일한 도전 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제1층은 상기 제2층과 다른 도전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 크리티칼 패스와 다른 경로 배선을 중첩하도록 형성된 상부 배선층과, 상기 상부 배선층과, 상기 크리티칼 패스 배선과 다른 경로 배선을 포함하는 상기 하부 배선층 사이에 형성된 관통홀을 추가로 구비하며, 상기 상부 배선층과 상기 하부 배선층은 상기 관통홀에 매입된 도전 물질에 의해 전기적으로 도전되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 크리티칼 패스 배선과 다른 경로 배선을 중첩하도록 형성된 상부 배선층과, 상기 상부 배선층과, 상기 크리티칼 패스 배선과 다른 경로 배선을 포함하는 하부 배선층 사이에 형성된 관통홀을 추가로 구비하며, 상기 상부 배선층과 상기 하부 배선층은 상기 관통홀에 매입된 도전 물질에 의해 전기적으로 도전되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 매입된 도전 물질이 상기 관통홀에 매입되도록 형성되는 상기 상부 배선층의 한부분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 매입된 도전 물질이 상기 관통홀에 매입되도록 형성되는 상기 상부 배선층의 한부분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960012693A 1995-04-24 1996-04-24 반도체 장치 KR100200020B1 (ko)

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