JPH0831458B2 - 超電導配線集積回路 - Google Patents
超電導配線集積回路Info
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- JPH0831458B2 JPH0831458B2 JP62224479A JP22447987A JPH0831458B2 JP H0831458 B2 JPH0831458 B2 JP H0831458B2 JP 62224479 A JP62224479 A JP 62224479A JP 22447987 A JP22447987 A JP 22447987A JP H0831458 B2 JPH0831458 B2 JP H0831458B2
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- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/884—Conductor
- Y10S505/887—Conductor structure
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は超電導材料で形成された配線部を有する超
電導配線集積回路に関するものである。
電導配線集積回路に関するものである。
第3図は従来から考えられている超電導材料を配線と
して用いた超電導配線集積回路の一例を示す図である。
1は半導体基板、2は絶縁体、3は超電導配線、4は配
線を形成する超電導材料と他の導電体とのコンタクト部
である。
して用いた超電導配線集積回路の一例を示す図である。
1は半導体基板、2は絶縁体、3は超電導配線、4は配
線を形成する超電導材料と他の導電体とのコンタクト部
である。
半導体メモリ素子に代表されるような大規模集積回路
においては、その集積度が向上すればする程全体の遅延
に対する配線部での遅延の割合が大きくなってきてい
る。従って大規模集積回路において配線部を超電導材料
で形成することは、素子の高速化という点で非常に有利
であると考えられる。即ち、超電導材料は臨界温度以下
では電気抵抗が0Ωになるので、配線部を超電導材料で
形成した素子を臨界温度以下で動作させた場合には、配
線部のCR時定数が0になり、配線遅延は全くなくなる。
においては、その集積度が向上すればする程全体の遅延
に対する配線部での遅延の割合が大きくなってきてい
る。従って大規模集積回路において配線部を超電導材料
で形成することは、素子の高速化という点で非常に有利
であると考えられる。即ち、超電導材料は臨界温度以下
では電気抵抗が0Ωになるので、配線部を超電導材料で
形成した素子を臨界温度以下で動作させた場合には、配
線部のCR時定数が0になり、配線遅延は全くなくなる。
超電導配線集積回路はしかし上記のような、動作中、
素子自体のジュール発熱により温度が上昇し、配線を形
成する超電動材料が局部的に臨界温度を超えると、その
部分は抵抗体に変わるためにその部分で局部的に信号遅
延が生ずることになり、素子内で信号間にタイミングの
ずれが生じ、誤動作を起こす可能性があるという問題点
があった。
素子自体のジュール発熱により温度が上昇し、配線を形
成する超電動材料が局部的に臨界温度を超えると、その
部分は抵抗体に変わるためにその部分で局部的に信号遅
延が生ずることになり、素子内で信号間にタイミングの
ずれが生じ、誤動作を起こす可能性があるという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、素子の動作中そのジュール発熱により素子
の温度が上昇しても配線部を形成する超電導材料は臨界
温度を超えることのない超電導配線集積回路を提供する
ことを目的とする 〔問題を解決するための手段〕 この発明に係る超電導配線集積回路は、超電導材料で
形成された配線を有する集積回路において、上記配線
に、該配線の温度が上記超電導材料の臨界温度以上の温
度まで上昇しないように、上記配線に流入する,上記集
積回路を構成する他の回路素子のジュール発熱により生
じた熱を外部に放熱する幅広部分を設けたことを特徴と
するものである。
れたもので、素子の動作中そのジュール発熱により素子
の温度が上昇しても配線部を形成する超電導材料は臨界
温度を超えることのない超電導配線集積回路を提供する
ことを目的とする 〔問題を解決するための手段〕 この発明に係る超電導配線集積回路は、超電導材料で
形成された配線を有する集積回路において、上記配線
に、該配線の温度が上記超電導材料の臨界温度以上の温
度まで上昇しないように、上記配線に流入する,上記集
積回路を構成する他の回路素子のジュール発熱により生
じた熱を外部に放熱する幅広部分を設けたことを特徴と
するものである。
本発明においては、上記構成としたから、上記集積回
路の動作中に回路素子がそのジュール発熱によって温度
上昇し、この回路素子の温度上昇によって回路内の上記
超電導材料で形成された配線が温度上昇しても、当該配
線の熱が上記幅広部分により外部に放熱されることによ
り上記超電導材料の臨界温度以上の温度までは上昇せ
ず、配線が局所的に抵抗体になってしまうことを防止す
ることができる。
路の動作中に回路素子がそのジュール発熱によって温度
上昇し、この回路素子の温度上昇によって回路内の上記
超電導材料で形成された配線が温度上昇しても、当該配
線の熱が上記幅広部分により外部に放熱されることによ
り上記超電導材料の臨界温度以上の温度までは上昇せ
ず、配線が局所的に抵抗体になってしまうことを防止す
ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例による超電導配線集積回路
を示す図、第2図は本発明の他の実施例を示す図であ
り、両図において、1は半導体基板、2は絶縁体、3は
超電導配線、4は超電導配線3と他の導電体とのコンタ
クト部、5は超電導配線を延長して形成した放熱の役割
を果たす幅広配線部分である。
を示す図、第2図は本発明の他の実施例を示す図であ
り、両図において、1は半導体基板、2は絶縁体、3は
超電導配線、4は超電導配線3と他の導電体とのコンタ
クト部、5は超電導配線を延長して形成した放熱の役割
を果たす幅広配線部分である。
上記両実施例において、幅広配線部分5は超電導配線
の放熱効率を良くし、超電導配線3が臨界温度以上に温
度上昇するのを防ぐ役目を果たす。従って超電導材料の
一部が抵抗体に変わり、そのために局部的に信号遅延が
生じて、信号間にタイミングのずれが生ずるということ
による誤動作は起こりにくくなる。
の放熱効率を良くし、超電導配線3が臨界温度以上に温
度上昇するのを防ぐ役目を果たす。従って超電導材料の
一部が抵抗体に変わり、そのために局部的に信号遅延が
生じて、信号間にタイミングのずれが生ずるということ
による誤動作は起こりにくくなる。
以上のように、この発明にかかる超電導配線集積回路
によれば、超電導材料で形成された配線を有する集積回
路において、上記配線に、該配線の温度が上昇超電導材
料の臨界温度以上の温度まで上昇しないように、上記配
線に流入する,上記集積回路を構成する他の回路素子の
ジュール発熱により生じた熱を、外部に放熱する幅広部
分を設けたので、上記集積回路の動作中に回路素子がそ
のジュール発熱によって温度上昇し、この回路素子の温
度上昇によって回路素子の上記超電導材料で形成された
配線が温度上昇しても、当該配線の熱が上記幅広の配線
パターンにより外部に放熱されることにより,上記超電
導材料の臨界温度以上の温度までは上昇せず、配線が局
所的に抵抗体になってしまうことを防止することがで
き、その結果、回路素子間での信号タイミングにずれが
生ずることがなくなり、集積回路の誤動作を防止できる
という効果がある。
によれば、超電導材料で形成された配線を有する集積回
路において、上記配線に、該配線の温度が上昇超電導材
料の臨界温度以上の温度まで上昇しないように、上記配
線に流入する,上記集積回路を構成する他の回路素子の
ジュール発熱により生じた熱を、外部に放熱する幅広部
分を設けたので、上記集積回路の動作中に回路素子がそ
のジュール発熱によって温度上昇し、この回路素子の温
度上昇によって回路素子の上記超電導材料で形成された
配線が温度上昇しても、当該配線の熱が上記幅広の配線
パターンにより外部に放熱されることにより,上記超電
導材料の臨界温度以上の温度までは上昇せず、配線が局
所的に抵抗体になってしまうことを防止することがで
き、その結果、回路素子間での信号タイミングにずれが
生ずることがなくなり、集積回路の誤動作を防止できる
という効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による超電導配線集積回路
を示す図、第2図はこの発明の他の実施例による超電導
配線集積回路を示す図、第3図は従来の超電導配線集積
回路を示す図である。 1は半導体基板、2は絶縁体、3は超電導配線、4はコ
ンタクト部、5は幅広部分である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
を示す図、第2図はこの発明の他の実施例による超電導
配線集積回路を示す図、第3図は従来の超電導配線集積
回路を示す図である。 1は半導体基板、2は絶縁体、3は超電導配線、4はコ
ンタクト部、5は幅広部分である。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】超電導材料で形成された配線を有する集積
回路において、 上記配線に、該配線の温度が上記超電導材料の臨界温度
以上の温度まで上昇しないように、上記配線に流入す
る,上記集積回路を構成する他の回路素子のジュール発
熱により生じた熱を、外部に放熱する,幅広部分を設け
たことを特徴とする超電導配線集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62224479A JPH0831458B2 (ja) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | 超電導配線集積回路 |
US07/618,024 US5083188A (en) | 1987-09-08 | 1990-11-27 | Integrated circuit having superconductive wirings |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62224479A JPH0831458B2 (ja) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | 超電導配線集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6467944A JPS6467944A (en) | 1989-03-14 |
JPH0831458B2 true JPH0831458B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16814441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62224479A Expired - Lifetime JPH0831458B2 (ja) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | 超電導配線集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5083188A (ja) |
JP (1) | JPH0831458B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3047986B2 (ja) * | 1990-07-25 | 2000-06-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP3238395B2 (ja) * | 1990-09-28 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
KR940006689B1 (ko) * | 1991-10-21 | 1994-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치의 접촉창 형성방법 |
US5539156A (en) * | 1994-11-16 | 1996-07-23 | International Business Machines Corporation | Non-annular lands |
JP2679680B2 (ja) * | 1995-04-24 | 1997-11-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5468170A (en) * | 1977-11-11 | 1979-06-01 | Hitachi Ltd | Fine pattern element |
JPS6037747A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-27 | Seiko Epson Corp | 多層配線 |
JPS60123060A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US4660061A (en) * | 1983-12-19 | 1987-04-21 | Sperry Corporation | Intermediate normal metal layers in superconducting circuitry |
JPS61241964A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
SE447318B (sv) * | 1985-05-21 | 1986-11-03 | Nils Goran Stemme | Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare |
US4805420A (en) * | 1987-06-22 | 1989-02-21 | Ncr Corporation | Cryogenic vessel for cooling electronic components |
US4837609A (en) * | 1987-09-09 | 1989-06-06 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Semiconductor devices having superconducting interconnects |
JPH0194636A (ja) * | 1987-10-06 | 1989-04-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-09-08 JP JP62224479A patent/JPH0831458B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-27 US US07/618,024 patent/US5083188A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5083188A (en) | 1992-01-21 |
JPS6467944A (en) | 1989-03-14 |
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