SE447318B - Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare - Google Patents

Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare

Info

Publication number
SE447318B
SE447318B SE8502479A SE8502479A SE447318B SE 447318 B SE447318 B SE 447318B SE 8502479 A SE8502479 A SE 8502479A SE 8502479 A SE8502479 A SE 8502479A SE 447318 B SE447318 B SE 447318B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
washers
conductors
washer
joint
semiconductor circuit
Prior art date
Application number
SE8502479A
Other languages
English (en)
Other versions
SE8502479D0 (sv
Inventor
Nils Goran Stemme
Original Assignee
Nils Goran Stemme
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nils Goran Stemme filed Critical Nils Goran Stemme
Priority to SE8502479A priority Critical patent/SE447318B/sv
Publication of SE8502479D0 publication Critical patent/SE8502479D0/sv
Priority to DE8686903655T priority patent/DE3678295D1/de
Priority to AT86903655T priority patent/ATE61888T1/de
Priority to EP86903655A priority patent/EP0261123B1/en
Priority to JP61503007A priority patent/JPH0781892B2/ja
Priority to PCT/SE1986/000233 priority patent/WO1986007192A1/en
Priority to US07/014,063 priority patent/US4843445A/en
Priority to AU58697/86A priority patent/AU587619B2/en
Publication of SE447318B publication Critical patent/SE447318B/sv
Priority to DK007287A priority patent/DK165532C/da
Priority to NO870189A priority patent/NO171435C/no

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P5/00Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
    • G01P5/10Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
    • G01P5/12Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables using variation of resistance of a heated conductor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845Micromachined devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Paper (AREA)
  • Details Of Garments (AREA)

Description

15 20 25 30 35 447 318 I- 2 tionella integrerade kretsar, d v s uppbyggda pâ ett skikt av enkristallint halvledarmaterial på vilket enligt känd teknik har integrerats för givarens funktion er- forderliga elektriska komponenter och ledare. Förutom givarens ringa storlek och den lägre tillverkningskost- nad för själva givaren som uppnås genom framställning av flera identiska enheter åt gängen, s k batch-process, uppnås härigenom även den fördelen, att den till givaren hörande signalbehandlingselektroniken eller motsvarande kan integreras direkt pà givaren vid tillverkningen av densamma, vilket ytterligare reducerar givarens till- verkningskostnad samtidigt som dennas tillförlitlighet förbättras. Det totala systemets mätprestanda förbättras också genom att signalbehandlingselektroniken integreras direkt på givaren. En första signalförstärkning kan då åstadkommas närmare själva mätenheten, vilket för- hindrar att svaga signaler ofördelaktigt matas över, längre signalvägar.
En känd_flödeshastighetsgivare av detta slag inne- fattar en tunn och smal kiselstav, en med kiselstavens ena ände fast förbunden basplatta, vilken uppbär för givarens funktion erforderliga anslutningsytor, och en med kiselstavens andra ände fast förbunden sensordel, vilken likaledes är tillverkad av kisel. Vid användning av givaren inskjutes stavens andra ände genom en rörvägg eller liknande till den gas eller vätska, vars flödeshas- tighet skall mätas, varvid sensordelen anbringas i flödet.
Denna givares funktionssätt, som bygger på känd teknik, är följande. Sensordelen upphettas elektriskt medelst en på denna del integrerad resistans till en övre tem- peratur, varefter sensordelen får svalna på grund av konvektionsförluster till en lägre temperatur, varvid » detta förlopp kan upprepas cykliskt. Både uppvärmnings- tiden och avsvalningstiden är ett mått på mediets flödes- hastighet. En första temperaturkänslig diod för kompen- sering för temperaturändringar i mediet är integrerad i kiselstaven och en andra temperaturkänslig diod är l0 15 20 25 30 35 447 318 '\ l 3 integrerad i sensordelen, varvid man med denna andra diod jämte resistansen kan åstadkomma ett temperatur- àterkopplat reglersystem för styrning av sensordelens temperatur. I För uppnàende av en noggrann flödesmätning med den ovan beskrivna flödesgivaren är det uppenbarligen önskvärt att sensordelen är termiskt isolerad från kisel- staven, så att sensordelens temperatur huvudsakligen påverkas av termiska konvektionsförluster på grund av flödet och ej på grund av värmeledning mellan sensordelen och staven.
För detta ändamål har man i den ovan beskrivna, kända flödesgivaren utformat kretsen i tvâ fysiskt åt- skilda enheter eller brickor, som endast sammanhàlles av de ledare som sträcker sig mellan brickorna (sensor- delen och staven) och som också svarar för den elekt- riska förbindelsen mellan brickorna. Denna lösning har dock en allvarlig nackdel. För att ledarna skall få en tillräckligt god bärförmàga, d v s för att staven i den ovan beskrivna flödesgivaren skall kunna uppbära sensorbrickan, måste tjockleken hos dessa vara förhållande- vis stor, vilket innebär en stor ledartvärsnittsarea. i mellanrummet mellan sensorbrickan och staven och däri- genom en oönskad värmeledning via ledarna från sensor- brickan till staven, vilket i sin tur inverkar negativt på givarens känslighet och snabbhet. Om man gör ledarna tunnare för att hindra denna oönskade värmetransport mellan sensorbrickan och staven, blir givaren mera sårbar för stötar och bryts den lättare sönder. Det finns även en risk för att en givare av ovan beskrivna typ bryts sönder på grund av trycket från det omgivande, strömmande - .v mediumet.
För lösning av ovanstående problem har det enligt uppfinningen framtagits en integrerad halvledarkrets av den inledningsvis beskrivna typen, som utmärkes av att ett termiskt isolerande fogämne är anbringat över mellanrummet mellan brickorna för att tjäna till samman- 447 318 10 15 20 25 30 35 .f- 4 hållning av dessa. Fogämnet är härvid företrädesvis mekaniskt bärande för uppnáende av en stark sammanhållning av brickorna, och ledarna är företrädesvis så dimen- sionerade, att de jämfört med fogämnet har en försumbar bärande funktion. Genom denna konstruktion undanröjes säledes det ovan angivna problemet och uppnås ovannämnda ändamål, d V s att samtidigt åstadkomma en termisk iso- lering mellan brickorna, en elektrisk förbindelse dem emellan och en mekanisk sammanhållning av brickorna.
I en föredragen utföringsform av den uppfinnings- enliga halvledarkretsen är fogämnet så anbringat i ut- rymmet mellan brickornas mot varandra vända smalsidor, att brickorna och fogämnet bildar en väsentligen jämntjock enhet, och utgöres ledarna av flata, mellan brickorna utsträckta metalledare, vilka, eventuellt via en på ledarna anbringad oxid, anligger direkt mot fogämnet.
Fogämnet kan utöver nämnda bärande funktion även ha en skyddande funktion, och för detta ändamål är fogäm- net, förutom över nämnda mellanrum, anbringat i form av ett tunt skyddsskikt över ledarna och eventuellt pà en del av brickornas ena flatsida.
Fogämnet, vilket kan vara vilket som helst termiskt isolerande och företrädesvis mekaniskt bärande material, utgöres företrädesvis av ett organiskt material, såsom polyimid, som är ett mycket värmetàligt och mekaniskt starkt'material.
Vid användning av den uppfinningsenliga integrerade halvledarkretsen för uppbyggnad av en flödesmätare av den inledningsvis beskrivna typen och av den typ som närmare har beskrivits ovan hålles staven och sensor- brickan så samman medelst nämnda termiskt isolerande fogämne, att sensorbrickan via fogämnet uppbäres av staven. Sensorbrickan upphettas härvid elektriskt via nämnda ledare, vilkas totala tvärsnittsarea i mellanrummet mellan sensorbrickan och staven är begränsad för begräns- ning av sensorbrickans värmeledningsförluster via ledarna till staven.
För framställning av den ovan beskrivna, integrerade 10 15 20 25 30 35 447 318 5 halvledarkretsen har det enligt uppfinningen framtagits ett sätt att framställa densamma, varvid kretsen först formas i ett stycke med eventuella komponenter och nämnda ledare anbringade i ett önskat mönster på kretsens fram- sida. Det uppfinningsenliga framställningssättet utmärkes av åtgärderna att åstadkomma ett mot kretsens baksida anslutet skikt, att avlägsna halvledarmaterialet i mellan- rummet eller mellanrummen mellan de önskade brickorna, varigenom brickorna huvudsakligen sammanhàlles medelst baksidesskiktet och varigenom ledarna bildar broar över mellanrummet eller mellanrummen mellan brickorna, och att anbringa ett termiskt isolerande fogämne över mellan- rummet eller mellanrummen.
Genom användning av baksidesskiktet, vilket kan utgöras av en kiseloxid eller en metall, uppnås två fördelar. För det första tjänar skiktet till sammanhåll- ning av brickorna i det steg under tillverkningen då halvledarmaterialet mellan de önskade brickorna har avlägsnats och fogämnet ännu ej har anbringats över mellanrummet eller mellanrummen mellan brickorna. För det andra hindra; baksidesskiktet, i det fall fogämnet páföres kretsen uppifrån, fogämnet att få kontakt med kretsens baksida. Efter anbringandet av fogämnet kan baksidesskiktet avlägsnas, varefter fogämnet själv sam- manhàller respektive brickor.
Uppfinningen skall nu beskrivas närmare i det föl- jande genom ett speciellt föredraget utföringsexempel av en integrerad, flerdelad flödesmätare, vilken är uppbyggd medelst den uppfinningsenliga integrerade halv- ledarkretsen, och genom ett föredraget sätt att framställa halvledarkretsen enligt uppfinningen.
I medföljande ritningar, vartill nu hänvisas, àskädl liggör fig l i perspektiv en gasflödesmätare av känt utförande, i vilken de olika halvledarbrickorna endast sammanhàlles medelst ledare. Fig 2 är en schematisk sidovy av en fog som svarar mot fogen mellan brickorna i flödesmätaren i fig l, men där brickorna istället är sammanfogade genom användning av halvledarkretsen i; 447 318 10 15 20 25 30 35 6 och sättet enligt uppfinningen. Fig 3A-3E åskådliggör schematiskt det uppfinningsenliga sättet att framställa den i samband med fig l och 2 beskrivna flödesmätaren.
Den i perspektiv visade, kända gasflödesgivaren eller -mätaren i fig l är uppbyggd av tre huvuddelar: En basplatta l med fem elektriska anslutningsytor 2 anbringade pà basplattans framsida med hjälp av vilka givaren kan anslutas till yttre kretsar och drivorgan, en från basplattan l utsträckt kiselstav 3 med en tjocklek i storleksordningen 30 um samt en vid kiselstavens 3 från basplattan l vända ände anbringad sensordel 4 i form av en mindre kiselbricka. Staven 3 och sensorbrickan 4 är inskjutna genom ett hål 5 i en rörvägg 6 eller motsvarande, som avgränsar den gas vars flödeshastig- het skall mätas av flödesgivaren. Såsom visas i figuren är sensorbrickan 4 anbringad med sin flatsida parallellt med flödesriktningen, som àskàdliggöres med pilen A.
En resistans R och en första diod Dl är integrerade på sensorbrickans 4 framsida och en andra diod D2 är integrerad på kiselstavens 3 framsida. Dessa tre kompo- nenter R, Dl och D2 är via fem flata metalledare 7 elek- triskt förbundna med anslutningsytorna 2.
Den visade givarens arbetssätt vid gasflödesmätning, vilket sätt bygger på känd teknik, skall nu beskrivas närmare. Sensorbrickan 4 uppvärmes medelst resistansen R till en övre temperatur TI, varefter brickan som en följd av konvektionsförluster till den omgivande, ström- mande gasen svalnar till en lägre temperatur T2, varvid detta uppvärmníngs- och avsvalningsförlopp kan upprepas cykliskt. Vid mätförfarandet utnyttjas det faktum, att en pn-övergång i kisel, d v s dioderna Dl och D2, ändrar sitt framspänningsfall med cirka -2 mV/°C vid konstant , ström i diodernas framriktning. Den första dioden Dl, vilken är anbringad på sensorbrickan 4, bildar tillsammans med resistansen R ett temperaturâterkopplat reglersystem för styrning av sensorbrickans 4 temperatur i nämnda cykel. Den andra, på kiselstaven 3 anbringade dioden 10 15 20 25 30 35 447 318 7 D2 utnyttjas för kompensering av eventuella variationer i gasens temperatur. Genom mätning av sensorbrickans 4 konvektionsförluster utifrån sensorbrickans 4 olika temperatur- och effektförbrukningsförlopp under uppvärm- nings- och avsvalningscykeln kan man således erhålla ett mätvärde på gasens flödeshastighet.
För uppnående av en hög noggrannhet och/eller käns- lighet och snabbhet hos givaren är det uppenbarligen önskvärt att åstadkomma en termisk isolering mellan staven 3 och sensorbrickan 4. I den i fig l visade gas- flödesmätaren av känt utförande har man sökt lösa detta problem genom att utforma staven 3 och sensorbrickan 4 som tvâ fysiskt åtskilda enheter. Ovannämnda metalledare 7 utnyttjas härvid även för mekanisk sammanhållning av de båda delarna vid mellanrummet 8. För åstadkommande av en tillräckligt god bärförmàga hos ledarna 7 har man förstärkt dessa genom elektroplätering, vilket har medfört att ledarnas slutliga tjocklek har legat i stor- leksordningen 10 um eller mer. Denna betydande tjocklek hos ledarna 7 har medfört att värmeledningsförlusterna från sensorbrickan 4 via ledarna till staven 3 har haft en relativt stor inverkan vid mätningen och beräkningen av gasflödeshastigheten, vilket har nedsatt givarens noggrannhet. Som en följd av ledarnas 7 större massa nedsättes även snabbheten hos givaren. f fig 2, som i förstorad skala visar sensorbrickan 4 och staven 3 från sidan, har detta problem hos den ovan beskrivna flödesgivaren lösts genom användning av en integrerad halvledarkrets och sättet enligt uppfin- ningen. Staven 3 och sensorbrickan 4 är i det visade utförandet enligt uppfinningen fortfarande utformade som tvâ fysiskt åtskilda enheter, men den mekaniska ' ' sammanhållningen av de båda delarna åstadkommas nu ej av ledarna 7, vilka här endast tjänar till upprättande av elektrisk förbindelse mellan staven 3 och brickan 4, utan medelst ett termiskt isolerande och mekaniskt bärande fogämne 9, vilket är anbringat i mellanrummet 447 518 l0 15 20 25 30 35 :_ 8 8 mellan stavens 3 och brickans 4 mot varandra vända smalsidor 10 på ett sådant sätt, att staven 3, fogämnet 9 och brickan 4 bildar en väsentligen jämntjock enhet.
Tjockleken hos ledarna 7, vilka nu ej behöver ha någon bärande funktion, har i det i fig 2 visade utförandet reducerats till omkring l um eller mindre. Genom utnytt- jande av den uppfinningsenliga halvledarkretsen och det för densamma framtagna framställningssättet uppnår man således dels en stark, mekanisk bärande förbindelse, dels en elektrisk förbindelse, och detta utan att någon oönskad värmetransport genom fogen uppstår.
Ett sätt enligt uppfinningen att framställa den beskrivna integrerade halvledarkretsen skall nu beskrivas under hänvisning till fig 3A-3E, vilka visar olika till- verkningssteg vid framställning av den i samband med fig l och fig 2 beskrivna flödesgivaren.
Enligt känd teknik bearbetas den enkristallina kiselskivan, exempelvis med hjälp av en kristallrikt- ningsberoende kiselets, till den i fig 3A visade formen.
I detta steg antages ledarna 7, resistansen R och dio- derna Dl och D2 att vara integrerade på kiselskivans ovansida.
I ett första steg (fig 3A) enligt uppfinningen âstadkommes ett baksidesskikt ll, vilket här utgöres av ett cirka l um tjockt lager kiseldioxid på kretsens baksida.
I ett andra steg (fig 3B) avlägsnas halvledarmate- rialet genom etsning vid det ställe där mellanrummet 8 mellan kiselstaven 3 och sensorbrickan 4 skall bildas och vid kanterna runt dessa båda delar, varvid staven 3 vid sin från sensorbrickan 4 vända ände är fästad vid en bär- eller skyddsram 12 (se fig 3E). Staven 3 - , och sensorbrickan 4 kommer nu huvudsakligen att samman- hållas medelst baksidesskiktet ll, varigenom de mellan staven 3 och sensorbrickan 4 utsträckta ledarna 7 bildar broar över mellanrummet 8. Baksidesskiktet ll är härvid "utspänt" mellan brickan 4 respektive staven 3 och nämnda bärram l2. 10 15 20 25 30 35 447 318 9 I ett tredje steg (fig 3C) enligt uppfinningen anbringas det termiskt isolerande och mekaniskt bärande fogämnet 9 uppifrån i mellanrummet 8. Fogämnet 9 utgöres företrädesvis av ett organiskt material, såsom polyimid, som efter värmehärdning ger en stark förbindelse mellan sensorbrickan 4 och staven 3. Baksidesskiktet ll för- hindrar härvid fogämnet 9 att tränga ner på kretsens undersida. Såsom visas i fig 3C anbringas vid polyimid- påföringen även ett tunt skikt av samma fogämne över sensorbrickan 4, ledarna 7 och staven 3 och i praktiken bildas detta tunna skikt över hela den halvledarskiva som senare skall sönderbrytas till separata givare.
En del av detta skikt kan behållas efter avslutad till- verkning för åstadkommande av ett skyddsskikt för flödes- givaren. I vilket fall är det föredraget att fogämnet åtminstone vid fogstället skjuter något in över brickan 4 och staven 3 för àstadkommande av en stark sammanhåll- ning av dessa. (Se fig 3D).
I ett sista och fjärde steg (fig 3D) enligt uppfin- ningen kan baksidesskiktet ll avlägsnas från kretsen eller flödesgivaren, varigenom sensorbrickan 4 uppbäres av kiselstaven 3 endast med hjälp av fogämnet 9.
I fig 3E visas uppifrån den färdiga flödesgivaren samt nämnda skyddsram 12, som via brottanvisningar 13 är fästad vid basplattan l pá avstånd fràn kiselstaven 3. Denna skyddsram 12 är avsedd att bortbrytas vid nämnda brottanvisningar 13 före användandet av flödesgivaren.
Uppfinningen får givetvis inte anses begränsad till den visade och beskrivna utföringsformen, som endast utgör exempel, utan kan modifieras på flera sätt inom ramen för det begärda patentskyddet. Exempelvis kan flödesmätaren således även vara av en sådan typ, i vilken' temperaturen hos sensorbrickan hálles konstant och ström- flödet genom uppvärmningsresistansen R således varierar i beroende av den aktuella flödeshastigheten. Mätvärdet beräknas i detta fall utifrân den aktuella effektförbruk- 447 318 5'- 10 ningen. Vidare kan halvledarmaterialet också utgöras av andra halvledare än kisel, såsom GaAs, eller kombina- tioner av olika halvledare. Som en variant kan fogämnet vara anbringat endast som ett brickorna sammanhàllande skikt över brickornas ovansida på ett sådant sätt, att inget fogämne anbringas i utrymmet mellan brickornas mot varandra vända smalsidor.

Claims (13)

l0 15 20 25 30 447 318 'ä I ll PATENTKRAV
1. l. Integrerad halvledarkrets, innefattande åtminstone två inbördes åtskilda brickor (3, 4) av halvledarmaterial samt ledare (7) för upprättande av elektrisk förbindelse mellan brickorna, k ä n n e t e c k n a d därav, att ett termiskt isolerande fogämne (9) är anbringat över mellanrummet mellan brickorna (3, 4) för att tjäna till sammanhållning av brickorna.
2. Integrerad halvledarkrets enligt krav 1, n e t e c k n a d därav, att fogämnet (9) är mekaniskt k ä n - bärande för sammanhållning av brickorna (3, 4) och att ledarna (7) är så dimensionerade, att de jämfört med fogämnet (9) har en försumbar bärande funktion.
3. Integrerad halvledarkrets enligt något före- gående krav,- k ä n n e t e c k n a d därav, att fogämnet (9) är så anbringat i utrymmet (8) mellan brickornas mot varandra vända smalsidor (10), att brickorna (3, 4) och fogämnet (9) bildar en väsentligen jämntjock enhet.
4. Integrerad halvledarkrets enligt något föregående krav, varvid ledarna (7) utgöres av flata, mellan bric- korna utsträckta metalledare, k ä n n e t e c k n a d därav, att ledarna, eventuellt via en på ledarna an- bríngad oxid, anligger direkt mot fogämnet (9).
5. Integrerad halvledarkrets enligt något föregående krav, k ä n n e t e c k n a d därav, att fogämnet (9), förutom över nämnda mellanrum, är anbringat i form av ett tunt skyddsskikt över ledarna (7) och på en del av brickornas (3, 4) ena flatsida.
6. Integrerad halvledarkrets enligt något föregående krav, k ä n n e t e c k n a d därav, att fogämnet (9) utgöres av ett organiskt material, såsom polyimid
7. Integrerad halvledarkrets enligt något föregående krav, k ä n n e t e c k n a d därav, att åtminstone en av brickorna i kretsen har organ (R) för uppvärmning 10 15 "20 25 30 35 447 318 p.. 12 - av brickan (4), vilka organ (R) drives via de med brickan (3) förbundna ledarna (7).
8. Integrerad halvledarkrets enligt något föregående' krav, k ä n n e t e c k n a d däravf att åtminstone en av brickorna i kretsen har organ (Dl, D2) för mätning av brickans temperatur.
9. Sätt att framställa en integrerad halvledarkrets, vilken innefattar åtminstone tvåémed mellanrum inbördes åtskilda brickor (3, 4) av halvledarmaterial samt ledare (7) för upprättande av elektrisk förbindelse mellan brickorna, varvid kretsen formas i ett stycke med ledarna (7) och eventuella elektriska komponenter anbringade i ett önskat mönster på kretsens framsida, k ä n n e - t e c k n a t av åtgärderna att åstadkomma ett mot kret- sens baksida anslutet skikt (ll), att avlägsna halv- ledarmaterialet i mellanrummet eller mellanrummen (8) mellan de önskade brickorna (3, 4), varigenom brickorna huvudsakligen sammanhâlles medelst baksidesskiktet (ll) och varigenom ledarna (7) bildar broar över mellanrummet eller mellanrummen (8) mellan brickorna, och att anbringa ett termiskt isolerande fogämne (3) över mellanrummet eller mellanrummen (8).
10. Sätt enligt krav 9, därav, att baksidesskiktet (ll) borttages efter anbringan- det av fogämnet (9), vilket därigenom själv sammanhàller k ä n n e t e c k n a t respektive brickor.
11. ll. Sätt enligt krav 9 eller 10, n a t därav, att halvledarmaterialet är kisel och att baksidesskiktet (ll) är en kiseloxid.
12. Sätt enligt krav 9 eller 10, n a t därav, att baksidesskiktet (ll) är metalliskt.
13. Användning av en halvledarkrets enligt nàgot_ , k ä n n e t e c k - k ä n n e t e c k - av kraven l-8 för en flödesmätare för mätning av flödes- hastigheten hos ett strömmande gas- eller vätskeformigt medium, vilken mätare innefattar en integrerad halvledar- krets som har dels en första bricka (4), vilken är in- rättad att upphettas och anbringas i flödet, dels en 10 447 318 13 andra bricka (3). vilken är inrättad att anbringas i flödet utan att upphettas, i vilken mätare den första (4) øch den andra (3) brickan hâlles sà samman medelst ett termiskt isolerande fogämne (9), att den första brickan (4) via fogämnet (9) uppbäres av den andra brickan (3), och i vilken mätare den första brickans temperatur (4) styres och mätes elektriskt via ledare (7), vilkas totala tvärsnittsarea i mellanrummet (8) mellan brickorna (3, 4) är begränsad för begränsning av den första brickans (4) värmeledning via ledarna (7) till den andra brickan (3).
SE8502479A 1985-05-21 1985-05-21 Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare SE447318B (sv)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8502479A SE447318B (sv) 1985-05-21 1985-05-21 Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare
AU58697/86A AU587619B2 (en) 1985-05-21 1986-05-20 Flow meter
JP61503007A JPH0781892B2 (ja) 1985-05-21 1986-05-20 半導体集積回路、その製造方法、および流速計を提供するためのそのような回路の使用
AT86903655T ATE61888T1 (de) 1985-05-21 1986-05-20 Integrierte durchflussmesser und verfahren zu ihrer herstellung.
EP86903655A EP0261123B1 (en) 1985-05-21 1986-05-20 Integrated flow meter and method for producing it
DE8686903655T DE3678295D1 (de) 1985-05-21 1986-05-20 Integrierte durchflussmesser und verfahren zu ihrer herstellung.
PCT/SE1986/000233 WO1986007192A1 (en) 1985-05-21 1986-05-20 Integrated semiconductor circuit and method for producing it, and use of such a circuit for providing a flow meter
US07/014,063 US4843445A (en) 1985-05-21 1986-05-20 Integrated semiconductor circuit and method for producing it, and use of such a circuit for providing a flow meter
DK007287A DK165532C (da) 1985-05-21 1987-01-07 Stroemningsmaaler til at maale stroemningshastigheden i et gas- eller vaeskeformigt medie samt fremgangsmaade til dens fremstilling
NO870189A NO171435C (no) 1985-05-21 1987-01-16 Stroemningsmaaler og fremgangsmaate for fremstilling av denne ved bruk av en integrert halvlederkrets

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE8502479A SE447318B (sv) 1985-05-21 1985-05-21 Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE8502479D0 SE8502479D0 (sv) 1985-05-21
SE447318B true SE447318B (sv) 1986-11-03

Family

ID=20360279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE8502479A SE447318B (sv) 1985-05-21 1985-05-21 Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4843445A (sv)
EP (1) EP0261123B1 (sv)
JP (1) JPH0781892B2 (sv)
AU (1) AU587619B2 (sv)
DK (1) DK165532C (sv)
SE (1) SE447318B (sv)
WO (1) WO1986007192A1 (sv)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4782708A (en) * 1987-08-27 1988-11-08 General Motors Corporation Thermocouple sensors
JPH0831458B2 (ja) * 1987-09-08 1996-03-27 三菱電機株式会社 超電導配線集積回路
US5201221A (en) * 1991-03-15 1993-04-13 Ford Motor Company Flow sensor and method of manufacture
US5313832A (en) * 1991-12-23 1994-05-24 Ford Motor Company Composite mass air flow sensor
US5231878A (en) * 1991-12-23 1993-08-03 Ford Motor Company Mass air flow sensor
US5263380A (en) * 1992-02-18 1993-11-23 General Motors Corporation Differential AC anemometer
US5758637A (en) 1995-08-31 1998-06-02 Aerogen, Inc. Liquid dispensing apparatus and methods
SE9600334D0 (sv) * 1996-01-30 1996-01-30 Radi Medical Systems Combined flow, pressure and temperature sensor
US6055869A (en) * 1997-06-12 2000-05-02 Stemme; Erik Lift force fluid flow sensor for measuring fluid flow velocities
GB2327146A (en) * 1997-07-10 1999-01-13 Ericsson Telefon Ab L M Thermal insulation of integrated circuit components
JP3416526B2 (ja) * 1998-05-21 2003-06-16 三菱電機株式会社 感熱式流量センサ
US6235177B1 (en) 1999-09-09 2001-05-22 Aerogen, Inc. Method for the construction of an aperture plate for dispensing liquid droplets
US7971588B2 (en) 2000-05-05 2011-07-05 Novartis Ag Methods and systems for operating an aerosol generator
US8336545B2 (en) 2000-05-05 2012-12-25 Novartis Pharma Ag Methods and systems for operating an aerosol generator
US6631638B2 (en) 2001-01-30 2003-10-14 Rosemount Aerospace Inc. Fluid flow sensor
US20030130624A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-10 Kowalik Francis C. Medical infusion system with integrated power supply and pump therefor
US7677467B2 (en) 2002-01-07 2010-03-16 Novartis Pharma Ag Methods and devices for aerosolizing medicament
US7360536B2 (en) 2002-01-07 2008-04-22 Aerogen, Inc. Devices and methods for nebulizing fluids for inhalation
JP4761709B2 (ja) 2002-01-15 2011-08-31 エアロジェン,インコーポレイテッド エアロゾル発生器を作動するための方法およびシステム
WO2003097126A2 (en) 2002-05-20 2003-11-27 Aerogen, Inc. Aerosol for medical treatment and methods
US8616195B2 (en) 2003-07-18 2013-12-31 Novartis Ag Nebuliser for the production of aerosolized medication
US7946291B2 (en) 2004-04-20 2011-05-24 Novartis Ag Ventilation systems and methods employing aerosol generators
KR101314052B1 (ko) 2005-05-25 2013-10-02 노바르티스 아게 진동 시스템 및 방법
US7653503B2 (en) * 2006-04-20 2010-01-26 Tao Of Systems Integration, Inc. Temperature-compensating sensor system
US8274301B2 (en) * 2009-11-02 2012-09-25 International Business Machines Corporation On-chip accelerated failure indicator
US9322797B1 (en) * 2014-04-30 2016-04-26 Helvetia Wireless Llc Systems and methods for detecting a liquid
GB2558895B (en) * 2017-01-17 2019-10-09 Cambridge Entpr Ltd A thermal fluid flow sensor
US11054472B2 (en) * 2017-08-23 2021-07-06 Avo Multi-Amp Corporation Relay test paddle
US10935586B2 (en) * 2019-03-20 2021-03-02 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Measuring device and measuring method with time calculation

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4246595A (en) * 1977-03-08 1981-01-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronics circuit device and method of making the same
DE2919433A1 (de) * 1979-05-15 1980-12-04 Bosch Gmbh Robert Messonde zur messung der masse und/oder temperatur eines stroemenden mediums und verfahren zu ihrer herstellung
DE3040448A1 (de) * 1979-06-27 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mengendurchflussmesser fuer fluessigkeiten
JPS56162014A (en) * 1980-05-16 1981-12-12 Nippon Denso Co Ltd Measuring device for flow rate of gas
DE3135793A1 (de) * 1981-09-10 1983-03-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und vorrichtung zur messung der masse eines in einem stroemungsquerschnitt stroemenden pulsierenden mediums
US4500905A (en) * 1981-09-30 1985-02-19 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Stacked semiconductor device with sloping sides
DE3138910A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Mengendurchflussmesser
US4472239A (en) * 1981-10-09 1984-09-18 Honeywell, Inc. Method of making semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DK7287D0 (da) 1987-01-07
EP0261123A1 (en) 1988-03-30
EP0261123B1 (en) 1991-03-20
JPH0781892B2 (ja) 1995-09-06
JPS63500278A (ja) 1988-01-28
AU587619B2 (en) 1989-08-24
DK7287A (da) 1987-03-03
AU5869786A (en) 1986-12-24
US4843445A (en) 1989-06-27
DK165532C (da) 1993-04-26
WO1986007192A1 (en) 1986-12-04
DK165532B (da) 1992-12-07
SE8502479D0 (sv) 1985-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE447318B (sv) Integrerad halvledarkrets med fog av termiskt isolerande fogemne, sett att framstella kretsen samt dess anvendning i en flodesmetare
CN101057148B (zh) 加速度传感器装置
EP2625497B1 (en) Electric element
US4733559A (en) Thermal fluid flow sensing method and apparatus for sensing flow over a wide range of flow rates
JP2006258520A (ja) 電子体温計用プローブ
JPS63243885A (ja) 流速検知装置
EP1333255B1 (en) Flow sensor
JPH07146266A (ja) 熱伝導率測定装置
US20150129114A1 (en) Method for manufacturing a multiple-axis thermal convection-type accelerometer
CN102570974A (zh) 温度控制型晶体振子以及晶体振荡器
US5033299A (en) Flow sensor
JPH07209032A (ja) 素子およびその作製方法
JP2011089859A (ja) 温度センサ
JP5769043B2 (ja) 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置
JP5765609B2 (ja) 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置
CN111157573B (zh) 薄膜热导率的测量装置及测量方法
JPH10332455A (ja) フローセンサ及びその製造方法
NO171435B (no) Stroemningsmaaler og fremgangsmaate for fremstilling av denne ved bruk av en integrert halvlederkrets
JPH0584867B2 (sv)
JP5761589B2 (ja) 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置
JPH11148945A (ja) 流速センサ及び流速測定装置
RU215318U1 (ru) Тепловой датчик расхода газов калориметрического типа
JP4034142B2 (ja) 流量センサー
JP2009047591A (ja) 角速度センサ及びその製造方法
JPH109922A (ja) 感熱式マイクロブリッジセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 8502479-2

Format of ref document f/p: F

NUG Patent has lapsed

Ref document number: 8502479-2

Format of ref document f/p: F