JPS63243885A - 流速検知装置 - Google Patents
流速検知装置Info
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- JPS63243885A JPS63243885A JP62079244A JP7924487A JPS63243885A JP S63243885 A JPS63243885 A JP S63243885A JP 62079244 A JP62079244 A JP 62079244A JP 7924487 A JP7924487 A JP 7924487A JP S63243885 A JPS63243885 A JP S63243885A
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-
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-
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- G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、流体の流れ方向と流速をともに検出すること
のできる流速方向検知型フローセンサに関する。
のできる流速方向検知型フローセンサに関する。
〈従来の技術とその問題点〉
従来より提唱されている熱式で方向検知可能なフローセ
ンサとしては特開昭６０−２４７１７１号に記載されて
いる半導体式流速検出器がある。
ンサとしては特開昭６０−２４７１７１号に記載されて
いる半導体式流速検出器がある。
このフロルセンサは基板にシリコンを使用しているため
、熱の伝導が非常に艮く、気体の流れによって生じるチ
ップ内の温度差は１７１００〜１／′１０℃程度である
（電子材料、１９８３年１２月号、Ｐ３８〜４３）。従
って、この温度差を正確に求めるには感度の高い側温ト
ランジスタを２個１組としてブリッジに組み、平衡状態
からのずれで検出するしかない。
、熱の伝導が非常に艮く、気体の流れによって生じるチ
ップ内の温度差は１７１００〜１／′１０℃程度である
（電子材料、１９８３年１２月号、Ｐ３８〜４３）。従
って、この温度差を正確に求めるには感度の高い側温ト
ランジスタを２個１組としてブリッジに組み、平衡状態
からのずれで検出するしかない。
このフローセンサは、シリコンプロセス技術ヲ利用して
いるので量産性に優れるが、反面素子間の温度特性のバ
ラツキが大きく、また発熱温度を高く設定することがで
きないなどの欠点を有している。
いるので量産性に優れるが、反面素子間の温度特性のバ
ラツキが大きく、また発熱温度を高く設定することがで
きないなどの欠点を有している。
これに対して、量産性および均質性に優れかつ高温にお
いても安定した動作が得られる熱式方向検知機能付フロ
ーセンサとして、発熱抵抗の左右対象位置に測温抵抗体
を配し、熱絶縁可能な基板で一体化している流速検知装
置がある。このフローセンサは、基板に熱伝導率２ｗ／
ｍ・ｋ以下の熱絶縁基板を用いてチップ内の温度差を十
分に大きくし、また半導体プロセス技術？利用して作製
されるので、量産性、均質性に優れた方向検知可能な素
子であり、その模式平面及び断面図を第８図（Ａ） （
Ｂ）に例示する。このフローセンサは熱絶縁基板１の中
央に発熱用抵抗体３ａとこの発熱用抵抗体３ａを挾んで
両側の対称な位置に温度測定用抵抗体４ａ、４ｂを設置
し発熱用抵抗体３ａの温度が流体の温度よりも一定温度
高く保持されるように制御し、流体の流速に応じて変化
する発熱用抵抗体３ａに流れる電流又はその電流に対応
して変化する電位もしくは電圧により流体の流速を検出
すると同時に２個の温度測定用抵抗体４ａ、４ｂ間に生
じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流れ
方向を検出するものである。各抵抗体３ａ、４ａ、４ｂ
と基板１との密着を良くするためにコーテイング膜２が
被覆され発熱用抵抗体３ａの温度をモニターするために
発熱用抵抗体温度モニター３ｂが設置されている。第９
図はこのフローセンサにより流体の流れ方向（θ）と温
度測定用抵抗体４ａ、４ｂ間の温度差の関係をブリッジ
回路によフ電圧差ｖｏとして求めたものである。ここで
は、出力ｖｏに対し方位角θが２つ求められ、また出力
Ｖ。は流速によって影響を受けるので、その補正を行な
う必要があった。
いても安定した動作が得られる熱式方向検知機能付フロ
ーセンサとして、発熱抵抗の左右対象位置に測温抵抗体
を配し、熱絶縁可能な基板で一体化している流速検知装
置がある。このフローセンサは、基板に熱伝導率２ｗ／
ｍ・ｋ以下の熱絶縁基板を用いてチップ内の温度差を十
分に大きくし、また半導体プロセス技術？利用して作製
されるので、量産性、均質性に優れた方向検知可能な素
子であり、その模式平面及び断面図を第８図（Ａ） （
Ｂ）に例示する。このフローセンサは熱絶縁基板１の中
央に発熱用抵抗体３ａとこの発熱用抵抗体３ａを挾んで
両側の対称な位置に温度測定用抵抗体４ａ、４ｂを設置
し発熱用抵抗体３ａの温度が流体の温度よりも一定温度
高く保持されるように制御し、流体の流速に応じて変化
する発熱用抵抗体３ａに流れる電流又はその電流に対応
して変化する電位もしくは電圧により流体の流速を検出
すると同時に２個の温度測定用抵抗体４ａ、４ｂ間に生
じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流れ
方向を検出するものである。各抵抗体３ａ、４ａ、４ｂ
と基板１との密着を良くするためにコーテイング膜２が
被覆され発熱用抵抗体３ａの温度をモニターするために
発熱用抵抗体温度モニター３ｂが設置されている。第９
図はこのフローセンサにより流体の流れ方向（θ）と温
度測定用抵抗体４ａ、４ｂ間の温度差の関係をブリッジ
回路によフ電圧差ｖｏとして求めたものである。ここで
は、出力ｖｏに対し方位角θが２つ求められ、また出力
Ｖ。は流速によって影響を受けるので、その補正を行な
う必要があった。
〈発明の目的〉
本発明は上述の欠点を解消するためになされたものであ
り、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優れ
、かつ高温においても安定した動作が得られる熱式方向
検知フローセンサを提供することを目的とするものであ
る。
り、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優れ
、かつ高温においても安定した動作が得られる熱式方向
検知フローセンサを提供することを目的とするものであ
る。
〈発明の概要〉
本発明は熱絶縁基板の中央に発熱用素子例えば発熱用抵
抗体とこの発熱用素子を中心として円周上の等分点に４
個以上の温度測定用素子例えば温度測定用抵抗体を設置
したフローセンサにおいて発熱用素子の温度が流体の温
度よりも一定温度高く保持されるように制御し、流体の
流速に応じて変化する発熱用素子に流れる電流又はその
電流に対応して変化する電位もしくは電圧によシ流体の
流速を検出すると同時に４個以上の温度測定用素子間に
生じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流
れ方向を検出するものである。
抗体とこの発熱用素子を中心として円周上の等分点に４
個以上の温度測定用素子例えば温度測定用抵抗体を設置
したフローセンサにおいて発熱用素子の温度が流体の温
度よりも一定温度高く保持されるように制御し、流体の
流速に応じて変化する発熱用素子に流れる電流又はその
電流に対応して変化する電位もしくは電圧によシ流体の
流速を検出すると同時に４個以上の温度測定用素子間に
生じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知し、流
れ方向を検出するものである。
本発明は、熱伝導率が２ｗ／ｍ・ｋ以下の熱絶縁基板例
えばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度
差を十分に大きくすることができ、流体の流れによって
生じるチップ内の発熱用素子を中心として４個以上の温
度測定用素子の位置の温度差を大きくすることができ、
フローセンサの作製が簡単になり、信頼性が高くなる。
えばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度
差を十分に大きくすることができ、流体の流れによって
生じるチップ内の発熱用素子を中心として４個以上の温
度測定用素子の位置の温度差を大きくすることができ、
フローセンサの作製が簡単になり、信頼性が高くなる。
また、発熱用素子、発熱用素子の温度モニター、温度測
定用素子に用いる抵抗体材料のうち、例えば白金等の貴
金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という点
で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーティングし
た基板を使用すれば、基板と発熱用素子、発熱用素子の
温度モニター、温度測定用素子との間に充分強い密着力
を付与することができる。
定用素子に用いる抵抗体材料のうち、例えば白金等の貴
金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という点
で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーティングし
た基板を使用すれば、基板と発熱用素子、発熱用素子の
温度モニター、温度測定用素子との間に充分強い密着力
を付与することができる。
以上の如く本発明は、発熱用素子、発熱用素子の温度モ
ニター及び温度測定用素子を同一素子内に一体化した信
頼性の高いフローセンサを実現したものである。
ニター及び温度測定用素子を同一素子内に一体化した信
頼性の高いフローセンサを実現したものである。
〈実施例〉
第１図（Ａ） （Ｂ）は本発明の１実施例を示すフロ−
センサの模式平面及び断面図である。ガラス基板５の上
にアルミナ薄膜６を真空蒸着法、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積さ
せる。アルミナ薄膜６上に例えば白金等の抵抗温度係数
の大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング
法あるいはプラズマＣＶＤ法等によυ堆積させた後、エ
ツチング技術によりパターン化し、発熱用抵抗体７ａ、
発熱用抵抗体温度モニター７ｂ及び２対の温度測定用抵
抗体８ａ、８ｂと９ａ、９ｂを適宜の距離だけ隔てて配
置し第１図（Ａ）の如くとする。温度測定用抵抗体８ａ
、８ｂと９ａ、９ｂは発熱用抵抗体７ａに対して左右対
称の位置に置かれている。
センサの模式平面及び断面図である。ガラス基板５の上
にアルミナ薄膜６を真空蒸着法、スパッタリング法、プ
ラズマＣＶＤ法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積さ
せる。アルミナ薄膜６上に例えば白金等の抵抗温度係数
の大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング
法あるいはプラズマＣＶＤ法等によυ堆積させた後、エ
ツチング技術によりパターン化し、発熱用抵抗体７ａ、
発熱用抵抗体温度モニター７ｂ及び２対の温度測定用抵
抗体８ａ、８ｂと９ａ、９ｂを適宜の距離だけ隔てて配
置し第１図（Ａ）の如くとする。温度測定用抵抗体８ａ
、８ｂと９ａ、９ｂは発熱用抵抗体７ａに対して左右対
称の位置に置かれている。
次に発熱用抵抗体７ａと発熱用抵抗体温度モニター７ｂ
及び温度測定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ。
及び温度測定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ。
９ｂを１ｍとしてガラス基板５を切断し、個々のセンサ
素子とする。得られたセンサ素子はガラス基板５に発熱
用抵抗体７ａと発熱用抵抗体温度モニター７ｂ、温度測
定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ。
素子とする。得られたセンサ素子はガラス基板５に発熱
用抵抗体７ａと発熱用抵抗体温度モニター７ｂ、温度測
定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ。
９ｂが配置された構造となる。またその大きさは数ミ’
Ｊ程度と微小であり、一枚の基板上に多数個並べて同時
に作製するいわゆるウェハー処理２行なうことにより、
特性の均一なセンサ素子？量産することができる。得ら
れたセンサ素子を支持台（図示せず）に接着し、発熱用
抵抗体７ａ、発熱用抵抗体温度モニター７ｂ及び温度測
定用抵抗体８ ａ ＋ ８ ｂと９ａ、９ｂのリード接
続を行ない本実施例のフローセンサとする。
Ｊ程度と微小であり、一枚の基板上に多数個並べて同時
に作製するいわゆるウェハー処理２行なうことにより、
特性の均一なセンサ素子？量産することができる。得ら
れたセンサ素子を支持台（図示せず）に接着し、発熱用
抵抗体７ａ、発熱用抵抗体温度モニター７ｂ及び温度測
定用抵抗体８ ａ ＋ ８ ｂと９ａ、９ｂのリード接
続を行ない本実施例のフローセンサとする。
なお、金属薄膜の材料としては、白金以外に抵抗温度係
数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金属
薄膜の代わりにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用いて
もよい。
数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金属
薄膜の代わりにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用いて
もよい。
このようにして作製した発熱用抵抗体７ａ、発熱用抵抗
体温度モニター７ｂ、温度測定用抵抗体８ａ、８ｂと９
ａ、９ｂを用いたフローセンサの模式回路構成図を第２
図に示す。流体が通過する流路（図示せず）内に上記製
法により作製された＠熱用抵抗体７ａ、発熱用抵抗体温
度モニター７ｂ、温度測定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ、
９ｂおよび流体温度補償用抵抗体１０が設置されること
となる。流体温度補償用抵抗体１０および発熱用抵抗体
温度モニター７ｂはそれぞれ他の電気抵抗体１１．１２
と連結されてブリッジ（Ａ）を構成している。流体温度
補償用抵抗体１０と発熱用抵抗体温度モニター７ｂの中
間接続点はアースされている。これらのブリッジ（Ａ）
はブリッジ抵抗の差電圧を増幅器１３で差動増幅し、ス
イッチング用トランジスタ１４のベース電位を制御して
トランジスタ１４を駆動するフィードバック回路に接続
され、発熱用抵抗体７ａの電圧を制御している。温度測
定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ、９ｂはそれぞれ他の定電
流源１５．１６，１７．１８と連結されてブリッジ（Ｂ
）と（Ｃ）を構成している。温度測定用抵抗体８ａ、８
ｂと９ａ、９ｂの中間接続点はそれぞれアースされてい
る。
体温度モニター７ｂ、温度測定用抵抗体８ａ、８ｂと９
ａ、９ｂを用いたフローセンサの模式回路構成図を第２
図に示す。流体が通過する流路（図示せず）内に上記製
法により作製された＠熱用抵抗体７ａ、発熱用抵抗体温
度モニター７ｂ、温度測定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ、
９ｂおよび流体温度補償用抵抗体１０が設置されること
となる。流体温度補償用抵抗体１０および発熱用抵抗体
温度モニター７ｂはそれぞれ他の電気抵抗体１１．１２
と連結されてブリッジ（Ａ）を構成している。流体温度
補償用抵抗体１０と発熱用抵抗体温度モニター７ｂの中
間接続点はアースされている。これらのブリッジ（Ａ）
はブリッジ抵抗の差電圧を増幅器１３で差動増幅し、ス
イッチング用トランジスタ１４のベース電位を制御して
トランジスタ１４を駆動するフィードバック回路に接続
され、発熱用抵抗体７ａの電圧を制御している。温度測
定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ、９ｂはそれぞれ他の定電
流源１５．１６，１７．１８と連結されてブリッジ（Ｂ
）と（Ｃ）を構成している。温度測定用抵抗体８ａ、８
ｂと９ａ、９ｂの中間接続点はそれぞれアースされてい
る。
第３図は流速ｖｆに応じて変化する発熱用抵抗体７ａの
電圧ｖｈの流速−出力特性である。ブリッジ（Ａ）にお
いて、発熱用抵抗体７ａは流体の温度よりも一定温度高
い状態に電気抵抗体１９により保たれる。流体の速度が
早い場合、発熱用抵抗体７ａから多量の熱が奪われる。
電圧ｖｈの流速−出力特性である。ブリッジ（Ａ）にお
いて、発熱用抵抗体７ａは流体の温度よりも一定温度高
い状態に電気抵抗体１９により保たれる。流体の速度が
早い場合、発熱用抵抗体７ａから多量の熱が奪われる。
逆に流体の速度が遅い場合、発熱用抵抗体７ａから奪わ
れる熱量も少ない。従って、流体温度補償用抵抗体１０
で流体の温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体７ａの温
度差を一定に保つようにフィードバック回路を介し、発
熱用抵抗体７ａに流す電流値を制御し、流体の流速（流
量）に対応した電流（電圧）値を求める。
れる熱量も少ない。従って、流体温度補償用抵抗体１０
で流体の温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体７ａの温
度差を一定に保つようにフィードバック回路を介し、発
熱用抵抗体７ａに流す電流値を制御し、流体の流速（流
量）に対応した電流（電圧）値を求める。
酊４図は、流体の流れ方向（θ）と温度測定用抵抗体８
ａ、ｓｂと９ａ、９ｂ間の温度差の関係をブリッジ回路
（Ｂ）および（Ｃ）による電圧差として求めたものであ
る。ブリッジ回路（Ｂ）および（Ｃ）において、温度測
定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ。
ａ、ｓｂと９ａ、９ｂ間の温度差の関係をブリッジ回路
（Ｂ）および（Ｃ）による電圧差として求めたものであ
る。ブリッジ回路（Ｂ）および（Ｃ）において、温度測
定用抵抗体８ａ、８ｂと９ａ。
９ｂはそれぞれ定電流源１５．１６．１７．１８と連結
していて、流体の流れ方向変化によって生じる基板内の
温度分布の変化全電圧変化に変換し、電圧差として出力
ＭＤＩおよびＶＤＺを求める。出力ＶＤＩおよびＶＤＺ
はＶＤＩ ＝ ｆ （Ｖｆ） ・ｓｉｎθ、 ｖＤ２＝
ｆ（ｖｆ）・ｃｏｓθ（ｆ （Ｖｆ）は流速Ｖｆの関数
）と近似することができる。従って、流体の流れ方向（
θ）で求められる。その結果を第６図に示す。
していて、流体の流れ方向変化によって生じる基板内の
温度分布の変化全電圧変化に変換し、電圧差として出力
ＭＤＩおよびＶＤＺを求める。出力ＶＤＩおよびＶＤＺ
はＶＤＩ ＝ ｆ （Ｖｆ） ・ｓｉｎθ、 ｖＤ２＝
ｆ（ｖｆ）・ｃｏｓθ（ｆ （Ｖｆ）は流速Ｖｆの関数
）と近似することができる。従って、流体の流れ方向（
θ）で求められる。その結果を第６図に示す。
本実施例では発熱用抵抗体温度モニター７ｂと流体温度
補償用抵抗体１０を用いたブリッジ回路により流体の流
速を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター７ｂを省
略し、発熱用抵抗体７ａと流体温度補償用抵抗体１０を
用いたブリッジ回路により流体の流速を求める溝成にし
てもよい。
補償用抵抗体１０を用いたブリッジ回路により流体の流
速を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター７ｂを省
略し、発熱用抵抗体７ａと流体温度補償用抵抗体１０を
用いたブリッジ回路により流体の流速を求める溝成にし
てもよい。
第７図は本発明の他の実施例を示すフローセンサの構成
図であり＠熱用抵抗体７ａの周囲に等間隔で６個の温度
ｉ＋ｕ定用抵抗体を配設している。
図であり＠熱用抵抗体７ａの周囲に等間隔で６個の温度
ｉ＋ｕ定用抵抗体を配設している。
尚、発熱用素子としては抵抗体以外に高出力トランジス
タ等の回路素子や熱雷効果素子その他を用いてもよい。
タ等の回路素子や熱雷効果素子その他を用いてもよい。
〈発明の効果〉
以上詳述したように本発明による熱式方向検知フローセ
ンサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化により
半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため （１）量産に適している。
ンサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化により
半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため （１）量産に適している。
（２）低価格化が図れる。
（３） 均質性が良い。
（４）小型化、低消費電力化が可能である。
等の優れた効果がある。
范１図は本発明の１実施例を示すフローセンサの模式平
面および断面図である。第２図は第１図に示すフローセ
ンサの模式回路構成図である。第ムＥ ３図はフローセンサの流送対出力特性図である。 酊４図は流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図で
ある。第５図は第２図に続く信号処理方法を示す説明図
である。第６図は第５図に示す方法により処理した結果
の説明図である。第７図は本発明の他の実施例を示す模
式平面図である。第８図は従来の熱絶縁型熱式フローセ
ンサの模式平面図および断面図である。第９図は第８図
に示すフローセンサにより、流体の流れ方向を電圧差と
して求めた特性図である。 ５・・・ゴー５ス基板 ６・・・アルミナ１８ ７
ａ・・発熱用抵抗体 ７ｂ・・・発熱用抵抗体温度モ
ニター ８ ａ 、 ８ ｂ 、 ９ ａ 、 ９
ｂ ・−・温度測定用抵抗体 １０・・・流体温度補
償用抵抗体１１．１２・・・電気抵抗体 １３・・・
増幅器１４・・・スイッチング用トランジスタ １５
゜１６．１７．１８・・・定電流源 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第７図 撓ま （Ｖｆ ’） １に３図 オイ九角ひ（’）
面および断面図である。第２図は第１図に示すフローセ
ンサの模式回路構成図である。第ムＥ ３図はフローセンサの流送対出力特性図である。 酊４図は流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図で
ある。第５図は第２図に続く信号処理方法を示す説明図
である。第６図は第５図に示す方法により処理した結果
の説明図である。第７図は本発明の他の実施例を示す模
式平面図である。第８図は従来の熱絶縁型熱式フローセ
ンサの模式平面図および断面図である。第９図は第８図
に示すフローセンサにより、流体の流れ方向を電圧差と
して求めた特性図である。 ５・・・ゴー５ス基板 ６・・・アルミナ１８ ７
ａ・・発熱用抵抗体 ７ｂ・・・発熱用抵抗体温度モ
ニター ８ ａ 、 ８ ｂ 、 ９ ａ 、 ９
ｂ ・−・温度測定用抵抗体 １０・・・流体温度補
償用抵抗体１１．１２・・・電気抵抗体 １３・・・
増幅器１４・・・スイッチング用トランジスタ １５
゜１６．１７．１８・・・定電流源 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第１図 第７図 撓ま （Ｖｆ ’） １に３図 オイ九角ひ（’）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の中央付近に発熱用素子が配置され、該発熱用
素子を中心として略々点対称の位置に少くとも４個以上
の温度測定用素子が設置された流速検知装置において、
前記基板が熱絶縁可能な材質から成ることを特徴とする
流速検知装置。 ２、前記基板に熱伝導率が２ｗ／ｍ・ｋ以下の熱絶縁可
能な材質を用いた特許請求の範囲第１記載の流速検知装
置。 ３、前記発熱用素子に電気抵抗体を用いた特許請求の範
囲第１項記載の流速検知装置。 ４、前記温度測定用素子に電気抵抗体を用いた特許請求
の範囲第１項記載の流速検知装置。 ５、前記発熱用素子の近傍に前記発熱用素子の温度を制
御する温度モニターを設けた特許請求の範囲第１項又は
第３項記載の流速検知装置。 ６、前記発熱用素子または温度モニターが基板上にパタ
ーン化された金属薄膜よりなる特許請求の範囲第１項、
第３項又は第５項記載の流速検知装置。 ７、前記温度測定用素子がパターン化された金属薄膜よ
りなる特許請求の範囲第４項記載の流速検知装置。 ８、金属薄膜の材料として白金を用いた特許請求の範囲
第６項又は第７項記載の流速検知装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62079244A JPH0810231B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | フローセンサ |
| EP88302969A EP0285451B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | A flow sensor |
| US07/175,561 US4885937A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | Flow sensor |
| DE8888302969T DE3877795T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-31 | Stroemungssensor. |
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|---|---|---|---|
| JP62079244A JPH0810231B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | フローセンサ |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243885A true JPS63243885A (ja) | 1988-10-11 |
| JPH0810231B2 JPH0810231B2 (ja) | 1996-01-31 |
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH0810231B2 (ja) |
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- 1987-03-31 JP JP62079244A patent/JPH0810231B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1988-03-31 EP EP88302969A patent/EP0285451B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-31 US US07/175,561 patent/US4885937A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-31 DE DE8888302969T patent/DE3877795T2/de not_active Expired - Fee Related
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