JPS6385364A - フローセンサ - Google Patents

フローセンサ

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JPS6385364A
JPS6385364A JP61232885A JP23288586A JPS6385364A JP S6385364 A JPS6385364 A JP S6385364A JP 61232885 A JP61232885 A JP 61232885A JP 23288586 A JP23288586 A JP 23288586A JP S6385364 A JPS6385364 A JP S6385364A
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JP
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heat generating
temperature
generating resistor
temp
resistor
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JP61232885A
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JPH0584867B2 (ja
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Nobuyuki Tanaka
信幸 田中
Masaya Masukawa
正也 枅川
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P5/00Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
    • G01P5/10Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、流体の流れの二次元的な方向と流速を検出す
ることのできる流速方向検知フローセンサに関する。
〈従来の技術とその問題点〉 従来より提唱されている熱式で方向検知可能なフローセ
ンサとしては特開昭60−247169号に記載されて
いる半導体式流速検出器がある。
このフローセンサは基板にシリコンを使用しているため
、熱の伝導が非常に良く、気体の流れによって生じるチ
ップ内の温度差は1/100〜1/10°C程度である
(電子材料、1983年12月号、p38〜43)。し
たがって、この温度差を正確に求めるには感度の高い測
温トランジスタを2個1組としてブリッジに組み、平衡
状態からのずれで検出するしかない。シリコンフローセ
ンサの検出回路例を第2図に示す。このフローセンサは
、シリコンプロセス技術を利用しているので量産性に優
れるが、反面素子間の温度特性のバラツキが大きく、ま
た発熱温度を高く設定することができないなどの欠点を
有している。
〈発明の目的〉 不発明は上述の欠点を解消するためになされたものであ
り、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優れ
、かつ高温においても安定した動作が得られる熱式方向
検知フローセンスを提供することを目的とするものであ
る。
〈発明の概要〉 本発明は熱絶縁基板の中央に発熱用抵抗体とこの発熱用
抵抗体を挾んで両側の対称な位置に温度測定用抵抗体を
設置したフローセンサにおいて発熱用抵抗体の温度が流
体の温度よシも一定温度高く保持されるように制御し、
流体の流速に応じて変化する発熱用抵抗体に流れる電流
又はその電流に対応して変化する電位もしくは電圧によ
り流体の流速を検出すると同時に2個の温度測定用抵抗
体間に生じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知
し、流れ方向を検出するものである。
本発明は、熱伝導率が2w/mk以下の熱絶縁基板例え
ばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度差
を十分に大きくすることができ、流体の流れによって生
じるチップ内の発熱抵抗体を挾んだ対称な位置の温度差
を大きくすることができるという特徴を持っている。ガ
ラスはシリコンに比べ熱伝導率が1/130と十分に小
さいため、温度勾配を小チツプ内で十分に大きくするこ
とができるが、このことをモデルによって説明する。
第3図に示したような細い丸棒またはフィンにそって熱
が定常的に伝る場合について考える。フィンのつけ根の
温度をTI、xだけ離れた点における温度をT9周囲の
温度をToとする。熱は対流によってフィンの表面から
移動すること、また単位面積当り失われる熱流束は次式
で与えられると仮定する。
q=h(T  To)  ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・(1)さらに簡単にするために、局所
的な伝熱係数りはフィンの全表面にわたって一定である
と仮定する。
フィンの断面積をa9周囲の長さをpとする。断面での
温度変化は無視する。すなわちT=f(x)と仮定する
第3図において、長さdxの要素を考える。この場合 熱伝導により失われる熱量=(dQ/dx)dx=−a
k(d2T/dx2)dx 対流によって表面から失われる熱量= h (T−To
) pdxであるから、θ=T−T、を代入すれば、式
(2)はとなる。ここでλ=mである。
式(3)の解は θ=Acoshλx+Bs1nhλx  −(4)とな
る。境界条件は x=Oでθ=θI  、’、 A=θ1x=Lでdθ/
dx=o(フィンの端から熱は逃げないとする)でらる
から λAs1nhλL+λBcoshλL=0となる
から、温度分布は次式で与えられる。
第3図の具体的な形状を第4図に示し、材質の差による
違いについてガラス(熱伝導率:1.10wm−’に一
’)、シリコン(熱伝導率: 148wm−’に一’)
を例として計算した結果を第5図に示す。第5図では、
フィンのつけ根の温度T、 = 100℃ 9周囲の温
度TO=25℃、伝熱係数h=10kca//(hr 
am @deg)として計算を行なっている。第5図か
られかるように、基板にガラスなど熱絶縁物を使用する
ことによって、十分に大きな温度差を小チツプ内で作る
ことができ、流体の流れによって生じるチップ内の発熱
抵抗体を挾んだ対称な位置の温度差を大きく設定するこ
とができる。
また、発熱抵抗体9発熱用抵抗体温度モニター。
温度測定用抵抗体に用いる材料のうち、例えば白金等の
貴金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という
点で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーティング
した基板を使用すれば、基板と発熱用抵抗体9発熱用抵
抗体温度モニター、温度測定用抵抗体との間に充分強い
密着力を付与することができる。
以上の如く本発明は、発熱用抵抗体1発熱用抵抗体温度
モニター、温度測定用抵抗体とを同一素子内に一体化し
た信頼性の高いフローセンサを提供することを目的とす
るものである。
〈実施例〉 第1図(A)(E9は本発明の1実施例を示すフローセ
ンサの模式平面及び断面図である。ガラス基板1の上に
アルミナ薄膜2を真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積させ
る。アルミナ薄膜2上に例えば白金等の抵抗温度係数の
大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング法
あるいはプラズマCVD法等により堆積された後、エツ
チング技術によシパダ−ン化し、発熱用抵抗体3a、発
熱用抵抗体温度モニター3b及び1対の温度測定用抵抗
体4a 、4bを適宜の距離だけ隔てて配置し第1図(
A)の如くとする。温度測定用抵抗体4a。
4bは発熱用抵抗体3aに対して左右対称の位置に置か
れている。次に発熱用抵抗体3aと発熱用抵抗体温度モ
ニター3b及び温度測定用抵抗体4a。
4bを1組としてガラス基板1を切断し、個々のセンサ
素子とする。得られたセッサ素子はガラス基板1の両端
に発熱用抵抗体3aと発熱用抵抗体温度モニター3b、
温度測定用抵抗体4a、4bが配置された構造となる。
またその大きさは数ミリ程度と微小であり、−枚の基板
上に多数個並べて同時に作製するいわゆるウェハー処理
を行なうことにより、特性の均一なセンサ素子を量産す
ることができる。得られたセンサ素子を支持台(図示せ
ず)に接着し、発熱用抵抗体3a、発熱用抵抗体温度モ
ニター3b及び温度測定用抵抗体4a。
4bのリード接続を行ない本実施例のフローセンサとす
る。
なお、金属薄膜の材料としては、白金以外に抵抗温度係
数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金属
薄膜の代わシにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用いて
もよい。
このようにして作製した発熱用抵抗体3a、発熱用抵抗
体温度モニター3b、温度測定用抵抗体4a 、4bを
用いたフローセンサの模式回路構成図を第6図に示す。
流体が通過す流路(図示せず)内に上記製法により作製
された発熱用抵抗体3a。
発熱用抵抗体温度モニター3b、@度測定用抵抗体4a
 、4bおよび流体温度補償用抵抗体5が設置されるこ
ととなる。流体温度補償用抵抗体5および発熱用抵抗体
温度モニター3bはそれぞれ他の電気抵抗体6,7と連
結されてブリッジ(A)を構成している。流体温度補償
用抵抗体5と発熱用抵抗体温度モニター3bの中間接続
点はアースされている。これらのブリッジ(A)はブリ
ッジ抵抗の差電圧を増幅器8で差動増幅し、スイッチン
グ用トランジスタ9のベース電位を制御してトランジス
タ9を駆動するフィードバック回路に接続され、発熱用
抵抗体4aの電圧を制御している。温度測定用抵抗体4
a 、4bはそれぞれ他の定電流源10゜11と連結さ
れてブリッジ(B)を構成している。温度測定用抵抗体
4a 、4bの中間接続点はアースされている。
第7図は流速vf に応じて変化する発熱用抵抗体3a
の電圧Vhの流速−出力特性である。ブリッジ(A)に
おいて、発熱用抵抗体3aは流体の温度よりも一定温度
高い状態に電気抵抗体11により保たれる。流体の速度
が早い場合、発熱用抵抗体3aから多量の熱が奪われる
。逆に流体の速度が遅い場合、発熱用抵抗体3aから奪
われる熱量も少ない。従って、流体温度補償用抵抗体5
で流体の温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体3aの温
度差を一定に保つようにフィードバック回路を介し、発
熱用抵抗体3aに流す電流値を制御し、流体の流速(流
量)に対応した電流(電圧)値を求める。
第8図は、流体の流れ方向(のと温度測定用抵抗体4a
、4b間の温度差の関係をブリッジ回路(B)による電
圧差として求めたものである。ブリッジ回路(B)にお
いて、温度測定用抵抗体4a 、4bはそれぞれ定電流
源10.11と連結していて、流体の流れ方向変化によ
って生じる基板内の温度分布の変化を電圧変化に変換し
、電圧差として出力VDを求める。
本実施例では発熱用抵抗体温度モニター3bと流体温度
補償用抵抗体5を用いたブリッジ回路により流体の流速
を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター3bを省略
し、発熱用抵抗体3aと流体温度補償用抵抗体5を用い
たブリッジ回路によシ流体の流速を求める構成にしても
よい。
〈発明の効果〉 以上詳述したように本発明による熱式方向検知フローセ
ンサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化により
半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため +1+  量産に適している。
(2)低価格化が図れる。
(3)均質性が良い。
(4)小型化、低消費電力化が可能である。
まだ薄膜材料に白金を用いているため (5)多様な流体の測定が可能である。
(6)設定温度が高くとれ高出力化が図れる。
(7)耐環境性に優れ長寿命である。
等の優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の1実施例を示すフローセンサの模式平
面図及び断面図である。 第2図は従来のシリコンフローセンサの検出回路図であ
る。 第3図及び第4図は熱式フローセンサの原理説明に供す
る説明図である。 第5図は第4図における各部位の温度を計算によって求
めた結果を示す説明図である。 第6図は第1図に示すフローセンサの模式回路構成図で
ある。 第7図は第1図に示すフローセンサの流速対出力特性図
である。 第8図は流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図で
ある。 1・・・ガラス基板、2・・・アルミナ薄膜、3a・・
・発熱用抵抗体、3b・・・発熱用抵抗体温度モニター
、4a 、4b・・・温度測定用抵抗体。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)(A)  
                    t8ノ第1
t21 St7t)−titりの験血回粘 纂2図 第3図 一7yjmaらe>&釉 :X  (mm)第6図 吻L 旙;(Vf) 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板の中央に発熱用抵抗体と、該発熱用抵抗体を挾
    んで両側の対称位置に温度測定用抵抗体を設置した流速
    検知装置において、前記基板に熱伝導率が2w/m・k
    以下の熱絶縁可能な材質を用いたことを特徴とする流速
    検知装置。 2、前記発熱用抵抗体の近傍に発熱用抵抗体の温度制御
    用として温度モニターを設けた特許請求の範囲第1項記
    載の流速検知装置。 3、前記発熱用抵抗体または温度モニターが基板上にパ
    ターン化された金属薄膜よりなる特許請求の範囲第1項
    又は第2項記載の流速検知装置。 4、前記温度測定用抵抗体がパターン化された金属薄膜
    よりなる特許請求の範囲第1項記載の流速検知装置。 5、金属薄膜の材料として白金を用いた特許請求の範囲
    第3項又は第4項記載の流速検知装置。
JP61232885A 1986-09-29 1986-09-29 フローセンサ Granted JPS6385364A (ja)

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JP61232885A JPS6385364A (ja) 1986-09-29 1986-09-29 フローセンサ

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JPH0584867B2 JPH0584867B2 (ja) 1993-12-03

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04240566A (ja) * 1991-01-24 1992-08-27 Anritsu Corp 流量方向センサ
JPH06281666A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Takuwa:Kk 流体の流向測定方法およびその測定装置
WO1996028712A1 (de) * 1995-03-16 1996-09-19 Robert Bosch Gmbh Thermischer durchfluss-sensor
US6550325B1 (en) 1992-10-27 2003-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electric device and method of driving the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS60131466A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 Toshiba Corp 半導体流速検出器

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