JPS6385364A - フローセンサ - Google Patents
フローセンサInfo
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- JPS6385364A JPS6385364A JP61232885A JP23288586A JPS6385364A JP S6385364 A JPS6385364 A JP S6385364A JP 61232885 A JP61232885 A JP 61232885A JP 23288586 A JP23288586 A JP 23288586A JP S6385364 A JPS6385364 A JP S6385364A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
- G01P5/10—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft by measuring thermal variables
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、流体の流れの二次元的な方向と流速を検出す
ることのできる流速方向検知フローセンサに関する。
ることのできる流速方向検知フローセンサに関する。
〈従来の技術とその問題点〉
従来より提唱されている熱式で方向検知可能なフローセ
ンサとしては特開昭60−247169号に記載されて
いる半導体式流速検出器がある。
ンサとしては特開昭60−247169号に記載されて
いる半導体式流速検出器がある。
このフローセンサは基板にシリコンを使用しているため
、熱の伝導が非常に良く、気体の流れによって生じるチ
ップ内の温度差は1/100〜1/10°C程度である
(電子材料、1983年12月号、p38〜43)。し
たがって、この温度差を正確に求めるには感度の高い測
温トランジスタを2個1組としてブリッジに組み、平衡
状態からのずれで検出するしかない。シリコンフローセ
ンサの検出回路例を第2図に示す。このフローセンサは
、シリコンプロセス技術を利用しているので量産性に優
れるが、反面素子間の温度特性のバラツキが大きく、ま
た発熱温度を高く設定することができないなどの欠点を
有している。
、熱の伝導が非常に良く、気体の流れによって生じるチ
ップ内の温度差は1/100〜1/10°C程度である
(電子材料、1983年12月号、p38〜43)。し
たがって、この温度差を正確に求めるには感度の高い測
温トランジスタを2個1組としてブリッジに組み、平衡
状態からのずれで検出するしかない。シリコンフローセ
ンサの検出回路例を第2図に示す。このフローセンサは
、シリコンプロセス技術を利用しているので量産性に優
れるが、反面素子間の温度特性のバラツキが大きく、ま
た発熱温度を高く設定することができないなどの欠点を
有している。
〈発明の目的〉
不発明は上述の欠点を解消するためになされたものであ
り、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優れ
、かつ高温においても安定した動作が得られる熱式方向
検知フローセンスを提供することを目的とするものであ
る。
り、半導体プロセスを利用して量産性及び均質性に優れ
、かつ高温においても安定した動作が得られる熱式方向
検知フローセンスを提供することを目的とするものであ
る。
〈発明の概要〉
本発明は熱絶縁基板の中央に発熱用抵抗体とこの発熱用
抵抗体を挾んで両側の対称な位置に温度測定用抵抗体を
設置したフローセンサにおいて発熱用抵抗体の温度が流
体の温度よシも一定温度高く保持されるように制御し、
流体の流速に応じて変化する発熱用抵抗体に流れる電流
又はその電流に対応して変化する電位もしくは電圧によ
り流体の流速を検出すると同時に2個の温度測定用抵抗
体間に生じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知
し、流れ方向を検出するものである。
抵抗体を挾んで両側の対称な位置に温度測定用抵抗体を
設置したフローセンサにおいて発熱用抵抗体の温度が流
体の温度よシも一定温度高く保持されるように制御し、
流体の流速に応じて変化する発熱用抵抗体に流れる電流
又はその電流に対応して変化する電位もしくは電圧によ
り流体の流速を検出すると同時に2個の温度測定用抵抗
体間に生じる温度差を電流差あるいは電圧差として検知
し、流れ方向を検出するものである。
本発明は、熱伝導率が2w/mk以下の熱絶縁基板例え
ばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度差
を十分に大きくすることができ、流体の流れによって生
じるチップ内の発熱抵抗体を挾んだ対称な位置の温度差
を大きくすることができるという特徴を持っている。ガ
ラスはシリコンに比べ熱伝導率が1/130と十分に小
さいため、温度勾配を小チツプ内で十分に大きくするこ
とができるが、このことをモデルによって説明する。
ばガラス基板を利用することにより、チップ内の温度差
を十分に大きくすることができ、流体の流れによって生
じるチップ内の発熱抵抗体を挾んだ対称な位置の温度差
を大きくすることができるという特徴を持っている。ガ
ラスはシリコンに比べ熱伝導率が1/130と十分に小
さいため、温度勾配を小チツプ内で十分に大きくするこ
とができるが、このことをモデルによって説明する。
第3図に示したような細い丸棒またはフィンにそって熱
が定常的に伝る場合について考える。フィンのつけ根の
温度をTI、xだけ離れた点における温度をT9周囲の
温度をToとする。熱は対流によってフィンの表面から
移動すること、また単位面積当り失われる熱流束は次式
で与えられると仮定する。
が定常的に伝る場合について考える。フィンのつけ根の
温度をTI、xだけ離れた点における温度をT9周囲の
温度をToとする。熱は対流によってフィンの表面から
移動すること、また単位面積当り失われる熱流束は次式
で与えられると仮定する。
q=h(T To) ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・(1)さらに簡単にするために、局所
的な伝熱係数りはフィンの全表面にわたって一定である
と仮定する。
・・・・・・・・(1)さらに簡単にするために、局所
的な伝熱係数りはフィンの全表面にわたって一定である
と仮定する。
フィンの断面積をa9周囲の長さをpとする。断面での
温度変化は無視する。すなわちT=f(x)と仮定する
。
温度変化は無視する。すなわちT=f(x)と仮定する
。
第3図において、長さdxの要素を考える。この場合
熱伝導により失われる熱量=(dQ/dx)dx=−a
k(d2T/dx2)dx 対流によって表面から失われる熱量= h (T−To
) pdxであるから、θ=T−T、を代入すれば、式
(2)はとなる。ここでλ=mである。
k(d2T/dx2)dx 対流によって表面から失われる熱量= h (T−To
) pdxであるから、θ=T−T、を代入すれば、式
(2)はとなる。ここでλ=mである。
式(3)の解は
θ=Acoshλx+Bs1nhλx −(4)とな
る。境界条件は x=Oでθ=θI 、’、 A=θ1x=Lでdθ/
dx=o(フィンの端から熱は逃げないとする)でらる
から λAs1nhλL+λBcoshλL=0となる
から、温度分布は次式で与えられる。
る。境界条件は x=Oでθ=θI 、’、 A=θ1x=Lでdθ/
dx=o(フィンの端から熱は逃げないとする)でらる
から λAs1nhλL+λBcoshλL=0となる
から、温度分布は次式で与えられる。
第3図の具体的な形状を第4図に示し、材質の差による
違いについてガラス(熱伝導率:1.10wm−’に一
’)、シリコン(熱伝導率: 148wm−’に一’)
を例として計算した結果を第5図に示す。第5図では、
フィンのつけ根の温度T、 = 100℃ 9周囲の温
度TO=25℃、伝熱係数h=10kca//(hr
am @deg)として計算を行なっている。第5図か
られかるように、基板にガラスなど熱絶縁物を使用する
ことによって、十分に大きな温度差を小チツプ内で作る
ことができ、流体の流れによって生じるチップ内の発熱
抵抗体を挾んだ対称な位置の温度差を大きく設定するこ
とができる。
違いについてガラス(熱伝導率:1.10wm−’に一
’)、シリコン(熱伝導率: 148wm−’に一’)
を例として計算した結果を第5図に示す。第5図では、
フィンのつけ根の温度T、 = 100℃ 9周囲の温
度TO=25℃、伝熱係数h=10kca//(hr
am @deg)として計算を行なっている。第5図か
られかるように、基板にガラスなど熱絶縁物を使用する
ことによって、十分に大きな温度差を小チツプ内で作る
ことができ、流体の流れによって生じるチップ内の発熱
抵抗体を挾んだ対称な位置の温度差を大きく設定するこ
とができる。
また、発熱抵抗体9発熱用抵抗体温度モニター。
温度測定用抵抗体に用いる材料のうち、例えば白金等の
貴金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という
点で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーティング
した基板を使用すれば、基板と発熱用抵抗体9発熱用抵
抗体温度モニター、温度測定用抵抗体との間に充分強い
密着力を付与することができる。
貴金属類はガラスとの密着性がやや弱く、信頼性という
点で問題があるが、ガラス上にアルミナをコーティング
した基板を使用すれば、基板と発熱用抵抗体9発熱用抵
抗体温度モニター、温度測定用抵抗体との間に充分強い
密着力を付与することができる。
以上の如く本発明は、発熱用抵抗体1発熱用抵抗体温度
モニター、温度測定用抵抗体とを同一素子内に一体化し
た信頼性の高いフローセンサを提供することを目的とす
るものである。
モニター、温度測定用抵抗体とを同一素子内に一体化し
た信頼性の高いフローセンサを提供することを目的とす
るものである。
〈実施例〉
第1図(A)(E9は本発明の1実施例を示すフローセ
ンサの模式平面及び断面図である。ガラス基板1の上に
アルミナ薄膜2を真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積させ
る。アルミナ薄膜2上に例えば白金等の抵抗温度係数の
大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング法
あるいはプラズマCVD法等により堆積された後、エツ
チング技術によシパダ−ン化し、発熱用抵抗体3a、発
熱用抵抗体温度モニター3b及び1対の温度測定用抵抗
体4a 、4bを適宜の距離だけ隔てて配置し第1図(
A)の如くとする。温度測定用抵抗体4a。
ンサの模式平面及び断面図である。ガラス基板1の上に
アルミナ薄膜2を真空蒸着法、スパッタリング法、プラ
ズマCVD法等の薄膜生成技術を適宜利用して堆積させ
る。アルミナ薄膜2上に例えば白金等の抵抗温度係数の
大きな金属薄膜を同様に真空蒸着法、スパッタリング法
あるいはプラズマCVD法等により堆積された後、エツ
チング技術によシパダ−ン化し、発熱用抵抗体3a、発
熱用抵抗体温度モニター3b及び1対の温度測定用抵抗
体4a 、4bを適宜の距離だけ隔てて配置し第1図(
A)の如くとする。温度測定用抵抗体4a。
4bは発熱用抵抗体3aに対して左右対称の位置に置か
れている。次に発熱用抵抗体3aと発熱用抵抗体温度モ
ニター3b及び温度測定用抵抗体4a。
れている。次に発熱用抵抗体3aと発熱用抵抗体温度モ
ニター3b及び温度測定用抵抗体4a。
4bを1組としてガラス基板1を切断し、個々のセンサ
素子とする。得られたセッサ素子はガラス基板1の両端
に発熱用抵抗体3aと発熱用抵抗体温度モニター3b、
温度測定用抵抗体4a、4bが配置された構造となる。
素子とする。得られたセッサ素子はガラス基板1の両端
に発熱用抵抗体3aと発熱用抵抗体温度モニター3b、
温度測定用抵抗体4a、4bが配置された構造となる。
またその大きさは数ミリ程度と微小であり、−枚の基板
上に多数個並べて同時に作製するいわゆるウェハー処理
を行なうことにより、特性の均一なセンサ素子を量産す
ることができる。得られたセンサ素子を支持台(図示せ
ず)に接着し、発熱用抵抗体3a、発熱用抵抗体温度モ
ニター3b及び温度測定用抵抗体4a。
上に多数個並べて同時に作製するいわゆるウェハー処理
を行なうことにより、特性の均一なセンサ素子を量産す
ることができる。得られたセンサ素子を支持台(図示せ
ず)に接着し、発熱用抵抗体3a、発熱用抵抗体温度モ
ニター3b及び温度測定用抵抗体4a。
4bのリード接続を行ない本実施例のフローセンサとす
る。
る。
なお、金属薄膜の材料としては、白金以外に抵抗温度係
数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金属
薄膜の代わシにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用いて
もよい。
数が大きいニッケル若しくはニッケル合金あるいは金属
薄膜の代わシにサーミスタ等の感温抵抗体材料を用いて
もよい。
このようにして作製した発熱用抵抗体3a、発熱用抵抗
体温度モニター3b、温度測定用抵抗体4a 、4bを
用いたフローセンサの模式回路構成図を第6図に示す。
体温度モニター3b、温度測定用抵抗体4a 、4bを
用いたフローセンサの模式回路構成図を第6図に示す。
流体が通過す流路(図示せず)内に上記製法により作製
された発熱用抵抗体3a。
された発熱用抵抗体3a。
発熱用抵抗体温度モニター3b、@度測定用抵抗体4a
、4bおよび流体温度補償用抵抗体5が設置されるこ
ととなる。流体温度補償用抵抗体5および発熱用抵抗体
温度モニター3bはそれぞれ他の電気抵抗体6,7と連
結されてブリッジ(A)を構成している。流体温度補償
用抵抗体5と発熱用抵抗体温度モニター3bの中間接続
点はアースされている。これらのブリッジ(A)はブリ
ッジ抵抗の差電圧を増幅器8で差動増幅し、スイッチン
グ用トランジスタ9のベース電位を制御してトランジス
タ9を駆動するフィードバック回路に接続され、発熱用
抵抗体4aの電圧を制御している。温度測定用抵抗体4
a 、4bはそれぞれ他の定電流源10゜11と連結さ
れてブリッジ(B)を構成している。温度測定用抵抗体
4a 、4bの中間接続点はアースされている。
、4bおよび流体温度補償用抵抗体5が設置されるこ
ととなる。流体温度補償用抵抗体5および発熱用抵抗体
温度モニター3bはそれぞれ他の電気抵抗体6,7と連
結されてブリッジ(A)を構成している。流体温度補償
用抵抗体5と発熱用抵抗体温度モニター3bの中間接続
点はアースされている。これらのブリッジ(A)はブリ
ッジ抵抗の差電圧を増幅器8で差動増幅し、スイッチン
グ用トランジスタ9のベース電位を制御してトランジス
タ9を駆動するフィードバック回路に接続され、発熱用
抵抗体4aの電圧を制御している。温度測定用抵抗体4
a 、4bはそれぞれ他の定電流源10゜11と連結さ
れてブリッジ(B)を構成している。温度測定用抵抗体
4a 、4bの中間接続点はアースされている。
第7図は流速vf に応じて変化する発熱用抵抗体3a
の電圧Vhの流速−出力特性である。ブリッジ(A)に
おいて、発熱用抵抗体3aは流体の温度よりも一定温度
高い状態に電気抵抗体11により保たれる。流体の速度
が早い場合、発熱用抵抗体3aから多量の熱が奪われる
。逆に流体の速度が遅い場合、発熱用抵抗体3aから奪
われる熱量も少ない。従って、流体温度補償用抵抗体5
で流体の温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体3aの温
度差を一定に保つようにフィードバック回路を介し、発
熱用抵抗体3aに流す電流値を制御し、流体の流速(流
量)に対応した電流(電圧)値を求める。
の電圧Vhの流速−出力特性である。ブリッジ(A)に
おいて、発熱用抵抗体3aは流体の温度よりも一定温度
高い状態に電気抵抗体11により保たれる。流体の速度
が早い場合、発熱用抵抗体3aから多量の熱が奪われる
。逆に流体の速度が遅い場合、発熱用抵抗体3aから奪
われる熱量も少ない。従って、流体温度補償用抵抗体5
で流体の温度を測定し流体温度と発熱用抵抗体3aの温
度差を一定に保つようにフィードバック回路を介し、発
熱用抵抗体3aに流す電流値を制御し、流体の流速(流
量)に対応した電流(電圧)値を求める。
第8図は、流体の流れ方向(のと温度測定用抵抗体4a
、4b間の温度差の関係をブリッジ回路(B)による電
圧差として求めたものである。ブリッジ回路(B)にお
いて、温度測定用抵抗体4a 、4bはそれぞれ定電流
源10.11と連結していて、流体の流れ方向変化によ
って生じる基板内の温度分布の変化を電圧変化に変換し
、電圧差として出力VDを求める。
、4b間の温度差の関係をブリッジ回路(B)による電
圧差として求めたものである。ブリッジ回路(B)にお
いて、温度測定用抵抗体4a 、4bはそれぞれ定電流
源10.11と連結していて、流体の流れ方向変化によ
って生じる基板内の温度分布の変化を電圧変化に変換し
、電圧差として出力VDを求める。
本実施例では発熱用抵抗体温度モニター3bと流体温度
補償用抵抗体5を用いたブリッジ回路により流体の流速
を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター3bを省略
し、発熱用抵抗体3aと流体温度補償用抵抗体5を用い
たブリッジ回路によシ流体の流速を求める構成にしても
よい。
補償用抵抗体5を用いたブリッジ回路により流体の流速
を求めているが、発熱用抵抗体温度モニター3bを省略
し、発熱用抵抗体3aと流体温度補償用抵抗体5を用い
たブリッジ回路によシ流体の流速を求める構成にしても
よい。
〈発明の効果〉
以上詳述したように本発明による熱式方向検知フローセ
ンサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化により
半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため +1+ 量産に適している。
ンサは、実用上極めて有益な利点を有する薄膜化により
半導体プロセス技術及び熱絶縁基板が利用できるため +1+ 量産に適している。
(2)低価格化が図れる。
(3)均質性が良い。
(4)小型化、低消費電力化が可能である。
まだ薄膜材料に白金を用いているため
(5)多様な流体の測定が可能である。
(6)設定温度が高くとれ高出力化が図れる。
(7)耐環境性に優れ長寿命である。
等の優れた効果がある。
第1図は本発明の1実施例を示すフローセンサの模式平
面図及び断面図である。 第2図は従来のシリコンフローセンサの検出回路図であ
る。 第3図及び第4図は熱式フローセンサの原理説明に供す
る説明図である。 第5図は第4図における各部位の温度を計算によって求
めた結果を示す説明図である。 第6図は第1図に示すフローセンサの模式回路構成図で
ある。 第7図は第1図に示すフローセンサの流速対出力特性図
である。 第8図は流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図で
ある。 1・・・ガラス基板、2・・・アルミナ薄膜、3a・・
・発熱用抵抗体、3b・・・発熱用抵抗体温度モニター
、4a 、4b・・・温度測定用抵抗体。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)(A)
t8ノ第1
t21 St7t)−titりの験血回粘 纂2図 第3図 一7yjmaらe>&釉 :X (mm)第6図 吻L 旙;(Vf) 第7図
面図及び断面図である。 第2図は従来のシリコンフローセンサの検出回路図であ
る。 第3図及び第4図は熱式フローセンサの原理説明に供す
る説明図である。 第5図は第4図における各部位の温度を計算によって求
めた結果を示す説明図である。 第6図は第1図に示すフローセンサの模式回路構成図で
ある。 第7図は第1図に示すフローセンサの流速対出力特性図
である。 第8図は流体の流れ方向を電圧差として求めた特性図で
ある。 1・・・ガラス基板、2・・・アルミナ薄膜、3a・・
・発熱用抵抗体、3b・・・発熱用抵抗体温度モニター
、4a 、4b・・・温度測定用抵抗体。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至(他1名)(A)
t8ノ第1
t21 St7t)−titりの験血回粘 纂2図 第3図 一7yjmaらe>&釉 :X (mm)第6図 吻L 旙;(Vf) 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板の中央に発熱用抵抗体と、該発熱用抵抗体を挾
んで両側の対称位置に温度測定用抵抗体を設置した流速
検知装置において、前記基板に熱伝導率が2w/m・k
以下の熱絶縁可能な材質を用いたことを特徴とする流速
検知装置。 2、前記発熱用抵抗体の近傍に発熱用抵抗体の温度制御
用として温度モニターを設けた特許請求の範囲第1項記
載の流速検知装置。 3、前記発熱用抵抗体または温度モニターが基板上にパ
ターン化された金属薄膜よりなる特許請求の範囲第1項
又は第2項記載の流速検知装置。 4、前記温度測定用抵抗体がパターン化された金属薄膜
よりなる特許請求の範囲第1項記載の流速検知装置。 5、金属薄膜の材料として白金を用いた特許請求の範囲
第3項又は第4項記載の流速検知装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61232885A JPS6385364A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | フローセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61232885A JPS6385364A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | フローセンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6385364A true JPS6385364A (ja) | 1988-04-15 |
JPH0584867B2 JPH0584867B2 (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=16946366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61232885A Granted JPS6385364A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | フローセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6385364A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04240566A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-27 | Anritsu Corp | 流量方向センサ |
JPH06281666A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-07 | Takuwa:Kk | 流体の流向測定方法およびその測定装置 |
WO1996028712A1 (de) * | 1995-03-16 | 1996-09-19 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer durchfluss-sensor |
US6550325B1 (en) | 1992-10-27 | 2003-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric device and method of driving the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59231417A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-26 | ブロンクホルスト・ハイ−テク・ベ−・ブイ | 流体流れ測定装置 |
JPS60131466A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Toshiba Corp | 半導体流速検出器 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61232885A patent/JPS6385364A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59231417A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-26 | ブロンクホルスト・ハイ−テク・ベ−・ブイ | 流体流れ測定装置 |
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WO1996028712A1 (de) * | 1995-03-16 | 1996-09-19 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer durchfluss-sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0584867B2 (ja) | 1993-12-03 |
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