JP2650133B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JP2650133B2 JP61187514A JP18751486A JP2650133B2 JP 2650133 B2 JP2650133 B2 JP 2650133B2 JP 61187514 A JP61187514 A JP 61187514A JP 18751486 A JP18751486 A JP 18751486A JP 2650133 B2 JP2650133 B2 JP 2650133B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 一方向に延在し、第一の値の電流が流れる第一の配線
層と、前記一方向と交差する方向に延在し、且つ前記第
一の配線層から分岐する、前記第一の配線層と同一導電
体層からなり、前記第一の値より小さい第二の値の電流
が流れる第二の配線層とを有し、前記第二の配線層の幅
が分岐点においてのみ他の部分より広く形成されている
半導体集積回路装置。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の配線構造に関するものであ
る。
半導体装置の配線層にはアルミニウム等の種々の材料
が用いられているが、高電流が流れる配線層から低電流
が流れる配線層が分岐する構造となっている部分がある
と、この分岐点で電気的断線が発生することがある。種
々の材料の配線層の内、特にアルミニウムにおいてこの
ような電気的断線を防止する配線構造が要求されてい
る。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置のアルミニウムからなる配線構造
は、第３図に示すように高電流が流れる第一の配線層
（１）から低電流が流れる第二の配線層（２）が分岐す
る構造の場合でも、同じ程度の電流が流れる配線層が分
岐する構造の場合と同様に、分岐点（３）は前記第二の
配線層と等しい配線幅の配線が用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来の半導体装置の配線構造で問題となる
のは、高電流が流れる第一の配線層から低電流が流れる
第二の配線層が分岐する構造になっている部分がある
と、高電流が流れる第一の配線層と低電流が流れる第二
の配線層の発熱による熱膨張の差、及び高電流が流れる
第一の配線層内を移動する電子の動きによりエレクトロ
・マイグレーションが起こりアルミニウムの原子が移動
するために、アルミニウムの結晶粒（以下グレインと略
称する）の境界面で分断が発生し、この分岐点に電気的
断線が発生することである。
本発明は以上のような状況から高電流が流れる第一の
配線層から低電流が流れる第二の配線層が分岐する場合
でも、電気的断線が起こらない配線構造を持つ半導体集
積回路装置の提供を目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
一方向に延在し、第一の値の電流が流れる第一の配線
層と、前記一方向と交差する方向に延在し、且つ前記第
一の配線層から分岐する、前記第一の配線層と同一導電
体層からなり、前記第一の値より小さい第二の値の電流
が流れる第二の配線層とを有し、前記第二の配線層の幅
が分岐点においてのみ他の部分より広く形成されている
ように構成する。
〔作用〕
即ち本発明においては、第一の配線層から第二の配線
層が分岐する分岐点の配線幅を広くしてあるので、発熱
による熱膨張の差、及び高電流が流れる第一の配線層内
を移動する電子の動きによるエレクトロ・マイグレーシ
ョンのために、アルミニウムのグレインの境界面で分断
が部分的に発生しても、完全な分断に至らないので配線
層の電気的断線は起こらない。
〔実施例〕
以下第１図〜第２図について本発明のアルミニウム配
線層の一実施例を説明する。
第１図において、高電流が流れる第一の配線層１から
低電流が流れる第二の配線層２が分岐する分岐点３に三
角形の部分が増加したパターンとなっており、発熱によ
る熱膨張の差、及び高電流が流れる第一の配線層内を移
動する電子の動きによるエレクトロ・マイグレーション
のために、アルミニウムのグレインの境界面で分断が部
分的に発生しても、完全な分断に至らないので配線の電
気的断線は起こらない。
分岐点３の形状は以上の外に、第２図に示すような三
角形の長辺が円弧となった形状とすることも可能であ
る。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、極めて簡単なア
ルミニウム配線層のパターンの変更により、アルミニウ
ム配線の分岐点で発生していた電気的断線を防止できる
ので、工業的に極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による一実施例の半導体集積回路装置の
配線構造を示す平面図、 第２図は本発明による他の実施例の半導体集積回路装置
の配線構造を示す平面図、 第３図は従来の半導体集積回路装置の配線構造を示す平
面図である。 図において、 １は高電流が流れる第一の配線層、 ２は低電流が流れる第二の配線層、 ３は分岐点、 である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−135279（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−242643（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一方向に延在し、第一の値の電流が流れる
    第一の配線層と、前記一方向と交差する方向に延在し、
    且つ前記第一の配線層から分岐する、前記第一の配線層
    と同一導電体層からなり、前記第一の値より小さい第二
    の値の電流が流れる第二の配線層とを有し、 前記第二の配線層の幅が分岐点においてのみ他の部分よ
    り広く形成されていることを特徴とする半導体集積回路
    装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS52135279A (en) * 1976-05-07 1977-11-12 Toshiba Corp Semiconductor integrated circuit
JPS5844743A (ja) * 1981-09-10 1983-03-15 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPS60242643A (ja) * 1985-03-22 1985-12-02 Hitachi Ltd 電子部品の配線

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