JPS6349919B2 - - Google Patents
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- JPS6349919B2 JPS6349919B2 JP57108201A JP10820182A JPS6349919B2 JP S6349919 B2 JPS6349919 B2 JP S6349919B2 JP 57108201 A JP57108201 A JP 57108201A JP 10820182 A JP10820182 A JP 10820182A JP S6349919 B2 JPS6349919 B2 JP S6349919B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体レーザ装置に係り、特に低し
きい値が得られ、かつ温度特性の優れた半導体レ
ーザ装置に関するものである。
きい値が得られ、かつ温度特性の優れた半導体レ
ーザ装置に関するものである。
この種の半導体レーザ装置として従来から様々
な構造のものが提唱されているが、安定な発振モ
ードと低しきい値の得られる装置としてBC型半
導体レーザ装置及びBH型半導体レーザ装置が知
られている。
な構造のものが提唱されているが、安定な発振モ
ードと低しきい値の得られる装置としてBC型半
導体レーザ装置及びBH型半導体レーザ装置が知
られている。
第１図は従来のBC型半導体レーザ装置の模式
的断面図であり、図において１は他主面に第１の
電極２が設けられたｎ−InPである半導体基板
で、キヤリア密度が７×1018／cm3程度である。３
はこの半導体基板の一主面上に液相エピタキシヤ
ル成長によつて形成されたＰ−InPである第１の
半導体層で、キヤリア密度が１×1018／cm3であ
る。４はこの第１の半導体層上に液相エピタキシ
ヤル成長によつて形成されたｎ−InPである第２
の半導体層、５はこの第２の半導体層表面から上
記半導体基板１まで届くようにエツチングにて形
成された帯状の溝、６はこの溝が形成されたもの
を２回目の成長用基板として、この成長用基板の
主面上に液相エピタキシヤル成長により形成され
たｎ−InPである第５の半導体層で、溝５内底部
に、上部が上記第１の半導体層３の側面３ａ下部
に接するように形成されるとともに、上記第２の
半導体層４上の一部に形成されるものである。７
は上記溝５内に形成された第５の半導体層５上に
液相エピタキシヤル成長により両端が上記第１の
半導体層３の側面３ａに接するように形成された
断面三ケ月状のｎ−InGaAsPである活性層で、
禁制帯巾がInPより狭く、いわゆるダフルヘテロ
接合を形成しているものである。なお、この活性
層７形成と同時に上記第５の半導体層６上の一部
にもInGaAsP層が形成されるものであり、また、
活性層７はＰ−InGaAsPであつても良いもので
ある。９は上記活性層７上、第１の半導体層３の
側面３ａ上部および第２の半導体層４ａの側面４
ａに接するように溝５内に形成されるとともに、
第２の半導体層４およびInGaAsP層８上に液相
エピタキシヤル成長により形成されたＰ−InPで
ある第３の半導体層で、この主面には第２の電極
１０が形成されているものである。
的断面図であり、図において１は他主面に第１の
電極２が設けられたｎ−InPである半導体基板
で、キヤリア密度が７×1018／cm3程度である。３
はこの半導体基板の一主面上に液相エピタキシヤ
ル成長によつて形成されたＰ−InPである第１の
半導体層で、キヤリア密度が１×1018／cm3であ
る。４はこの第１の半導体層上に液相エピタキシ
ヤル成長によつて形成されたｎ−InPである第２
の半導体層、５はこの第２の半導体層表面から上
記半導体基板１まで届くようにエツチングにて形
成された帯状の溝、６はこの溝が形成されたもの
を２回目の成長用基板として、この成長用基板の
主面上に液相エピタキシヤル成長により形成され
たｎ−InPである第５の半導体層で、溝５内底部
に、上部が上記第１の半導体層３の側面３ａ下部
に接するように形成されるとともに、上記第２の
半導体層４上の一部に形成されるものである。７
は上記溝５内に形成された第５の半導体層５上に
液相エピタキシヤル成長により両端が上記第１の
半導体層３の側面３ａに接するように形成された
断面三ケ月状のｎ−InGaAsPである活性層で、
禁制帯巾がInPより狭く、いわゆるダフルヘテロ
接合を形成しているものである。なお、この活性
層７形成と同時に上記第５の半導体層６上の一部
にもInGaAsP層が形成されるものであり、また、
活性層７はＰ−InGaAsPであつても良いもので
ある。９は上記活性層７上、第１の半導体層３の
側面３ａ上部および第２の半導体層４ａの側面４
ａに接するように溝５内に形成されるとともに、
第２の半導体層４およびInGaAsP層８上に液相
エピタキシヤル成長により形成されたＰ−InPで
ある第３の半導体層で、この主面には第２の電極
１０が形成されているものである。
また、第２図は従来のBH型半導体レーザ装置
の模式的断面図であり、１はｎ−InPである半導
体基板、７はこの半導体基板の一主面上に液相エ
ピタキシヤル成長によつて形成されたｎまたはＰ
−InGaAsPである活性層、９はこの活性層上に
液相エピタキシヤル成長によつて形成されたＰ−
InPである第３の半導体層で、上記半導体基板１
の上部活性層７、および第３の半導体層９が帯状
突起になるように、これらの両側部がエツチング
除去されているものである。３は上記半導体基板
１のエツチング除去された部分上に液相エピタキ
シヤル成長されたＰ−InPである第１の半導体層
で、その側面３ａに活性層７の側端が接するもの
である。４はこの第１の半導体層上に液相エピタ
キシヤル成長されたｎ−InPである第２の半導体
層、１１はこの第２の半導体層上に液相エピタキ
シヤル成長されたＰ−InPである第６の半導体
層、１０はこの第６の半導体層および第３の半導
体層９上に形成された第２の電極である。
の模式的断面図であり、１はｎ−InPである半導
体基板、７はこの半導体基板の一主面上に液相エ
ピタキシヤル成長によつて形成されたｎまたはＰ
−InGaAsPである活性層、９はこの活性層上に
液相エピタキシヤル成長によつて形成されたＰ−
InPである第３の半導体層で、上記半導体基板１
の上部活性層７、および第３の半導体層９が帯状
突起になるように、これらの両側部がエツチング
除去されているものである。３は上記半導体基板
１のエツチング除去された部分上に液相エピタキ
シヤル成長されたＰ−InPである第１の半導体層
で、その側面３ａに活性層７の側端が接するもの
である。４はこの第１の半導体層上に液相エピタ
キシヤル成長されたｎ−InPである第２の半導体
層、１１はこの第２の半導体層上に液相エピタキ
シヤル成長されたＰ−InPである第６の半導体
層、１０はこの第６の半導体層および第３の半導
体層９上に形成された第２の電極である。
この様に構成されたBC型半導体レーザ装置お
よびBH型半導体レーザ装置にあつては、次の様
な電流の流れ方をするものである。第３図は第１
図、第２図に示したもののさらに模式的に示した
図であり、この図に基づいて説明する。
よびBH型半導体レーザ装置にあつては、次の様
な電流の流れ方をするものである。第３図は第１
図、第２図に示したもののさらに模式的に示した
図であり、この図に基づいて説明する。
すなわち、幅が通常発振モード制御の観点から
2μｍ程度に定められた狭い幅を有する活性領域
７に、レーザ発振の効率を高めるため、電流を集
中して流すような構造になつているものであり、
第１および第３の半導体層３，９からなる第２導
電型層（第２図のものにおいては、第１、第３お
よび第６の半導体層３，４，１１からなる第２導
電型層）中に丁度スリツトの様に第１導電型の第
２半導体層４を設けた構造をとつているものであ
る。この様な構造であるため、第２導電型層中の
第２の半導体層４は、第２導電型層中の電荷の担
体であるホールにとつてはエネルギー障壁となつ
ており、通常の状態ではこの第２の半導体層を乗
り越えて電流は流れず、第２の半導体層４はまさ
に電流をしぼり込むスリツトとなり、電流を狭い
幅の活性層７に集中できるようになるものであ
る。
2μｍ程度に定められた狭い幅を有する活性領域
７に、レーザ発振の効率を高めるため、電流を集
中して流すような構造になつているものであり、
第１および第３の半導体層３，９からなる第２導
電型層（第２図のものにおいては、第１、第３お
よび第６の半導体層３，４，１１からなる第２導
電型層）中に丁度スリツトの様に第１導電型の第
２半導体層４を設けた構造をとつているものであ
る。この様な構造であるため、第２導電型層中の
第２の半導体層４は、第２導電型層中の電荷の担
体であるホールにとつてはエネルギー障壁となつ
ており、通常の状態ではこの第２の半導体層を乗
り越えて電流は流れず、第２の半導体層４はまさ
に電流をしぼり込むスリツトとなり、電流を狭い
幅の活性層７に集中できるようになるものであ
る。
しかるに、この様な構造にされたものにおいて
は、不可避的に半導体基板１および第５の半導体
層６と第１の半導体層３との接合面に、InPのＰ
−ｎ接合１２が形成されるため、活性層７近傍に
おいて、上から順に第２導電型の第３の半導体層
９（又は第６の半導体層１１）、第１導電型の第
２半導体層４、第２導電型の第１半導体層３、第
１導電型の半導体基板１からなるＰ−ｎ−Ｐ−ｎ
なる層が形成された構造となり、この構造は良く
知られたサイリスタの構造と酷似したものであ
る。しかも、半導体基板１は結晶中の欠陥密度を
少なくするため添加不純物量を多くしてあり、一
般的に７×1018／cm3程度のキヤリア密度になつて
おり、また第１の半導体層３は液相エピタキシヤ
ル成長によつて形成されているため、キヤリア密
度の高いものが得られ難く、通常２×1018／cm3以
下（上記従来例では１×1018／cm3）になつている
ものである。このため、第３図図示矢印Igに示す
漏れ電流により、サイリスタとしてはターンオン
し易い構造となつているものである。
は、不可避的に半導体基板１および第５の半導体
層６と第１の半導体層３との接合面に、InPのＰ
−ｎ接合１２が形成されるため、活性層７近傍に
おいて、上から順に第２導電型の第３の半導体層
９（又は第６の半導体層１１）、第１導電型の第
２半導体層４、第２導電型の第１半導体層３、第
１導電型の半導体基板１からなるＰ−ｎ−Ｐ−ｎ
なる層が形成された構造となり、この構造は良く
知られたサイリスタの構造と酷似したものであ
る。しかも、半導体基板１は結晶中の欠陥密度を
少なくするため添加不純物量を多くしてあり、一
般的に７×1018／cm3程度のキヤリア密度になつて
おり、また第１の半導体層３は液相エピタキシヤ
ル成長によつて形成されているため、キヤリア密
度の高いものが得られ難く、通常２×1018／cm3以
下（上記従来例では１×1018／cm3）になつている
ものである。このため、第３図図示矢印Igに示す
漏れ電流により、サイリスタとしてはターンオン
し易い構造となつているものである。
すなわち、第３図に示す構造の電気的等価回路
図は第４図に示すようなものになり、漏れ電流Ig
は活性領域７に流れる電流IDが小さいときには小
さく、サイリスタ構造部はターンオンせず、流し
た電流は有効に発振に寄与するが、温度が上ると
発振に必要な電流が増加するため、流す電流は大
きくする必要があり、この時、漏れ電流Igも大き
くなるため、サイリスタ構造部がターンオンし、
大きな無効電流ISが流れることになり、活性領域
７に流れる電流IDは小さく、有効かつ安定な発振
が得られなくなるものである。
図は第４図に示すようなものになり、漏れ電流Ig
は活性領域７に流れる電流IDが小さいときには小
さく、サイリスタ構造部はターンオンせず、流し
た電流は有効に発振に寄与するが、温度が上ると
発振に必要な電流が増加するため、流す電流は大
きくする必要があり、この時、漏れ電流Igも大き
くなるため、サイリスタ構造部がターンオンし、
大きな無効電流ISが流れることになり、活性領域
７に流れる電流IDは小さく、有効かつ安定な発振
が得られなくなるものである。
第５図は第１の電極２と第２の電極１０間に流
した電流と、レーザ装置の出力との関係を周囲温
度を変化させた場合に測定した結果を相対的に示
した図である。この図からも明らかなように、低
温においては電流がレーザ出力に対して有効に寄
与しているが、高温になつた場合には、電流−レ
ーザ出力特性は飽和傾向を示し、有効に寄与され
ておらず、極端な場合には、発振が停止してしま
うものも生じた。
した電流と、レーザ装置の出力との関係を周囲温
度を変化させた場合に測定した結果を相対的に示
した図である。この図からも明らかなように、低
温においては電流がレーザ出力に対して有効に寄
与しているが、高温になつた場合には、電流−レ
ーザ出力特性は飽和傾向を示し、有効に寄与され
ておらず、極端な場合には、発振が停止してしま
うものも生じた。
この発明は上記した点に鑑みてなされたもので
あり、低しき値を与える狭い活性領域を有する半
導体装置において、この活性領域が接する第２導
電型の第１の半導体層と第１導電型の半導体基板
との間に、第１の半導体層のキヤリヤ密度より低
いキヤリヤ密度を有した第１導電型の第４の半導
体層を形成して、高温においても安定な発振が得
られるようにすることを目的とするものである。
あり、低しき値を与える狭い活性領域を有する半
導体装置において、この活性領域が接する第２導
電型の第１の半導体層と第１導電型の半導体基板
との間に、第１の半導体層のキヤリヤ密度より低
いキヤリヤ密度を有した第１導電型の第４の半導
体層を形成して、高温においても安定な発振が得
られるようにすることを目的とするものである。
以下この発明の一実施例を第６図に基づいて説
明すると、第１図に示した従来のものに比して、
第１導電型の半導体基板１と第２導電型の第１の
半導体層３との間に、この第１の半導体層３のキ
ヤリヤ密度よりキヤリヤ密度が低い第１導電型の
第４の半導体層１３を形成したことを特徴とし、
この第４の半導体層１３はｎ−InPである。
明すると、第１図に示した従来のものに比して、
第１導電型の半導体基板１と第２導電型の第１の
半導体層３との間に、この第１の半導体層３のキ
ヤリヤ密度よりキヤリヤ密度が低い第１導電型の
第４の半導体層１３を形成したことを特徴とし、
この第４の半導体層１３はｎ−InPである。
この様に構成したことにより、活性層７近傍に
おいて、第３の半導体層９第２の半導体層４、第
１の半導体層３、第４の半導体層１３および半導
体基板１からなるＰ−ｎ−Ｐ−ｎなる層から形成
されるサイリスタ構造は低温ばかりでなく高温に
おいてもターンオンし難い構造となり、無効電流
ISは流れなく、第１および第２の電極２，１０間
に流れる電流により有効かつ安定なレーザ出力が
得られることになるものである。このことは第４
の半導体層１３のキヤリア密度が相対する第１の
半導体層３のキヤリヤ密度に比べて低いために、
漏れ電流Igによる電子の第１の半導体層３への注
入が少なく、また注入された電子も容易に第１の
半導体層３内でホールと再結合するために、第２
の半導体層４へはほとんど流れ込まず、この第２
の半導体４のエネルギー障壁を下げないことによ
るものである。
おいて、第３の半導体層９第２の半導体層４、第
１の半導体層３、第４の半導体層１３および半導
体基板１からなるＰ−ｎ−Ｐ−ｎなる層から形成
されるサイリスタ構造は低温ばかりでなく高温に
おいてもターンオンし難い構造となり、無効電流
ISは流れなく、第１および第２の電極２，１０間
に流れる電流により有効かつ安定なレーザ出力が
得られることになるものである。このことは第４
の半導体層１３のキヤリア密度が相対する第１の
半導体層３のキヤリヤ密度に比べて低いために、
漏れ電流Igによる電子の第１の半導体層３への注
入が少なく、また注入された電子も容易に第１の
半導体層３内でホールと再結合するために、第２
の半導体層４へはほとんど流れ込まず、この第２
の半導体４のエネルギー障壁を下げないことによ
るものである。
次に、具体的一例を示す。半導体基板１のキヤ
リア密度を７×1018／cm3、第４の半導体層１３の
キヤリア密度を２×1017／cm3、第１の半導体層３
のキヤリヤ密度を１×1018／cm3、厚さを1.8μｍ、
第２の半導体層４のキヤリヤ密度を２×1018／
cm3、厚さを0.7μｍ、第３の半導体層９のキヤリア
密度を８×1017／cm3とし、活性層７の幅を2μｍと
したものを作成した。このものを周囲温度（外気
温度）を種々変化させて、電流−レーザ出力特性
を測定したところ、周囲温度80℃に到るまで電流
−レーザ出力特性の飽和は見られず、安定なレー
ザ発振が得られた。
リア密度を７×1018／cm3、第４の半導体層１３の
キヤリア密度を２×1017／cm3、第１の半導体層３
のキヤリヤ密度を１×1018／cm3、厚さを1.8μｍ、
第２の半導体層４のキヤリヤ密度を２×1018／
cm3、厚さを0.7μｍ、第３の半導体層９のキヤリア
密度を８×1017／cm3とし、活性層７の幅を2μｍと
したものを作成した。このものを周囲温度（外気
温度）を種々変化させて、電流−レーザ出力特性
を測定したところ、周囲温度80℃に到るまで電流
−レーザ出力特性の飽和は見られず、安定なレー
ザ発振が得られた。
また、上記条件のもとに第４図に示した電気的
等価回路に基づいて計算すると、活性領域７を流
れる電流IDが100ｍＡのとき、無効電流ISは10ｍＡ
程度でほとんど発振特性に影響がないことが判り
この結果は上記実験結果とも良く一致しているも
のである。
等価回路に基づいて計算すると、活性領域７を流
れる電流IDが100ｍＡのとき、無効電流ISは10ｍＡ
程度でほとんど発振特性に影響がないことが判り
この結果は上記実験結果とも良く一致しているも
のである。
さらに、発明者らは第６図に示す構造の半導体
レーザ装置を種々作成し検討を加えた結果、一般
に良く使われる第２の半導体層４の厚さを0.5μ
ｍ、第１の半導体層３の厚さを1.5μｍ程度とし、
第２の半導体層４のキヤリア密度を２×1018／
cm3、第３の半導体層９のキヤリア密度を８×
1017／cm3とすると、第１の半導体層３のキヤリア
密度を５×1017／cm3以上とし、第４の半導体層１
３のキヤリア密度を５×1017／cm3未満とすれば、
大きな無効電流は流れず、電流−レーザ出力特性
の飽和は見られなかつた。
レーザ装置を種々作成し検討を加えた結果、一般
に良く使われる第２の半導体層４の厚さを0.5μ
ｍ、第１の半導体層３の厚さを1.5μｍ程度とし、
第２の半導体層４のキヤリア密度を２×1018／
cm3、第３の半導体層９のキヤリア密度を８×
1017／cm3とすると、第１の半導体層３のキヤリア
密度を５×1017／cm3以上とし、第４の半導体層１
３のキヤリア密度を５×1017／cm3未満とすれば、
大きな無効電流は流れず、電流−レーザ出力特性
の飽和は見られなかつた。
第７図はこの発明の他の実施例を示すものであ
り、第２図に示した従来のBH型半導体レーザ装
置において、半導体基板１と第１の半導体層３と
の間に、この第１の半導体層３のキヤリヤ密度よ
りキヤリヤ密度が低い第１導電型の第４の半導体
層１３を形成したものである。
り、第２図に示した従来のBH型半導体レーザ装
置において、半導体基板１と第１の半導体層３と
の間に、この第１の半導体層３のキヤリヤ密度よ
りキヤリヤ密度が低い第１導電型の第４の半導体
層１３を形成したものである。
このものにおいても、第６図で示した上記実施
例のものと同様に、高温においても安定なレーザ
発振が得られるものであつた。
例のものと同様に、高温においても安定なレーザ
発振が得られるものであつた。
なお、上記実施例では、半導体基板１および第
１〜第６の半導体層２，４，９，１３，６，１１
にInPを、活性層７にInGaAsPを材料として用た
場合について述べたが、これらに限られるもので
はなく、その他の−族化合物を材料に用いた
半導体レーザ装置においても同様な効果を奏する
ものである。
１〜第６の半導体層２，４，９，１３，６，１１
にInPを、活性層７にInGaAsPを材料として用た
場合について述べたが、これらに限られるもので
はなく、その他の−族化合物を材料に用いた
半導体レーザ装置においても同様な効果を奏する
ものである。
この発明は以上に述べたように、狭い活性領域
を有する半導体装置において、第１導電型の半導
体基板と活性領域が接する第２導電型の第１の半
導体層との間に、キヤリヤ密度が第１の半導体層
のキヤリヤ密度より低い第１導電型の第４の半導
体層を形成したので、高温においても安定なレー
ザ発振が得られるという効果を有するものであ
る。
を有する半導体装置において、第１導電型の半導
体基板と活性領域が接する第２導電型の第１の半
導体層との間に、キヤリヤ密度が第１の半導体層
のキヤリヤ密度より低い第１導電型の第４の半導
体層を形成したので、高温においても安定なレー
ザ発振が得られるという効果を有するものであ
る。
第１図は従来のBC型半導体レーザ装置を示す
模式的断面図、第２図は従来のBH型半導体レー
ザ装置を示す模式的断面図、第３図は第１図およ
び第２図に示したもののさらに模式的に示した
図、第４図は第３図に示す構造の電気的等価回路
図、第５図は第１図および第２図に示したものの
電流−レーザ出力特性を相対的に示した図、第６
図はこの発明の一実施例を示す模式的断面図、第
７図はこの発明の他の実施例を示す模式的断面図
である。 図において、１は半導体基板、３は第１の半導
体層、４は第２の半導体層、７は活性層、９は第
３の半導体層、１３は第４の半導体層である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
模式的断面図、第２図は従来のBH型半導体レー
ザ装置を示す模式的断面図、第３図は第１図およ
び第２図に示したもののさらに模式的に示した
図、第４図は第３図に示す構造の電気的等価回路
図、第５図は第１図および第２図に示したものの
電流−レーザ出力特性を相対的に示した図、第６
図はこの発明の一実施例を示す模式的断面図、第
７図はこの発明の他の実施例を示す模式的断面図
である。 図において、１は半導体基板、３は第１の半導
体層、４は第２の半導体層、７は活性層、９は第
３の半導体層、１３は第４の半導体層である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型の半導体基板、この半導体基板上
に形成された第２導電型の第１の半導体層、この
第１の半導体層の側面の一部に接して形成され、
帯制帯幅の相対的に狭い第１または第２導電型の
半導体層からなる活性層、上記第１の半導体層上
に形成された第１導電型の第２の半導体層、一部
が上記第１の半導体層の側面の一部及び第２半導
体層の側面と接し、少なくとも上記活性層上に形
成された第３の半導体層を具備した半導体レーザ
装置において、上記半導体基板と第１の半導体層
との間に、上記第１の半導体層のキヤリア密度よ
り低いキヤリヤ密度を有した第１導電型の第４の
半導体層を形成したことを特徴とする半導体レー
ザ装置。 ２ 活性層は、第１の半導体層と第２半導体層を
貫通する溝中に形成されたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 ３ 第１および第２の半導体層は、半導体基板上
に形成された活性層を両側から挾むように形成さ
れたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の半導体レーザ装置。 ４ 半導体基板をｎ−InP、第２および第４の半
導体層をｎ−InP、第１および第３の半導体層を
Ｐ−InP、活性層をｎまたはＰ−InGaAsPとした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
３項のいずれかに記載の半導体レーザ装置。 ５ 第１の半導体層のキヤリア密度を５×1017／
cm3以上とし、第４の半導体層のキヤリア密度を５
×1017／cm3末満としたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の半
導体レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108201A JPS58223395A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
| DE19833322264 DE3322264A1 (de) | 1982-06-21 | 1983-06-21 | Halbleiterlaser |
| US06/506,261 US4561096A (en) | 1982-06-21 | 1983-06-21 | Buried semiconductor laser avoiding thyristor action |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57108201A JPS58223395A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223395A JPS58223395A (ja) | 1983-12-24 |
| JPS6349919B2 true JPS6349919B2 (ja) | 1988-10-06 |
Family
ID=14478578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57108201A Granted JPS58223395A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4561096A (ja) |
| JP (1) | JPS58223395A (ja) |
| DE (1) | DE3322264A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080292A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPS61274385A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Fujitsu Ltd | 埋込型半導体レ−ザ |
| DE3732822A1 (de) * | 1987-09-29 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Laserdiode mit indexfuehrung, insbesondere laserdioden-array mit wellenleiterstruktur |
| JPH0548210A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US6154477A (en) * | 1997-05-13 | 2000-11-28 | Berkeley Research Associates, Inc. | On-board laser-triggered multi-layer semiconductor power switch |
| JP3116350B2 (ja) | 1998-06-16 | 2000-12-11 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5645089A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-24 | Nec Corp | Semiconductor laser |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP57108201A patent/JPS58223395A/ja active Granted
-
1983
- 1983-06-21 US US06/506,261 patent/US4561096A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-06-21 DE DE19833322264 patent/DE3322264A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3322264A1 (de) | 1983-12-29 |
| DE3322264C2 (ja) | 1988-03-10 |
| JPS58223395A (ja) | 1983-12-24 |
| US4561096A (en) | 1985-12-24 |
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