JPH03136332A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH03136332A JPH03136332A JP27372389A JP27372389A JPH03136332A JP H03136332 A JPH03136332 A JP H03136332A JP 27372389 A JP27372389 A JP 27372389A JP 27372389 A JP27372389 A JP 27372389A JP H03136332 A JPH03136332 A JP H03136332A
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- JP
- Japan
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- metal wiring
- wiring
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 abstract 4
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 abstract 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
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- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000088 plastic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置に係り、特にそのチッ
プコーナ部の構造に関するものである。
プコーナ部の構造に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば以下に示
すようなものがあった。
すようなものがあった。
第３図はかかる従来の樹脂封止型半導体装置のチップコ
ーナ部のメタル配線を示す平面図である。
ーナ部のメタル配線を示す平面図である。
この図に示すように、半導体チップ１のコーナ部にはメ
タル配線５が形成される。ところで、従来の樹脂封止型
半導体装置においては、第４図に示すように、プラスチ
ック樹脂３と半導体チップｌとの熱膨張係数の差により
、ダイスボンドフレーム２上の半導体チップｌの四隅か
ら中心方向にかけて、非常に大きな応力４がかかる。こ
の応力４により、半導体チップ１のコーナ部のパッシベ
ーション膜にクラックが発生したり、第５図に示すよう
に、パッシベーション膜１４下の配線ＪｉＪ１２が半導
体チップｌの内部方向に移動するという現象が起こる。
タル配線５が形成される。ところで、従来の樹脂封止型
半導体装置においては、第４図に示すように、プラスチ
ック樹脂３と半導体チップｌとの熱膨張係数の差により
、ダイスボンドフレーム２上の半導体チップｌの四隅か
ら中心方向にかけて、非常に大きな応力４がかかる。こ
の応力４により、半導体チップ１のコーナ部のパッシベ
ーション膜にクラックが発生したり、第５図に示すよう
に、パッシベーション膜１４下の配線ＪｉＪ１２が半導
体チップｌの内部方向に移動するという現象が起こる。
これにより発生したパッシベーション１１９１４のクラ
ック部１５を介して外部から水分が浸入し、Ａｎが腐食
したり、第６図に示すように、移動した配線層１３が隣
接する他の配線層１６との間のパッシベーション膜１４
をも破壊し、電気的に短絡し、電気的不良となるといっ
た問題があった。
ック部１５を介して外部から水分が浸入し、Ａｎが腐食
したり、第６図に示すように、移動した配線層１３が隣
接する他の配線層１６との間のパッシベーション膜１４
をも破壊し、電気的に短絡し、電気的不良となるといっ
た問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
このように、上記した従来の樹脂封止型半導体装置では
、パッケージに用いる樹脂自体の応力が樹脂と接してい
るパッシベーション膜に直接作用する。特に、半導体チ
ップのコーナ部では先端に近づくほど、中心部方向への
応力がより強く作用する。従って、半導体チップのコー
ナ部に最も近い、最外周のメタル配線にパッケージクラ
ンクが発生したり、メタル配線自体が応力に耐えきれず
、スライドして断線したり、他のメタル配線に接触し、
ショートするといった問題があった。
、パッケージに用いる樹脂自体の応力が樹脂と接してい
るパッシベーション膜に直接作用する。特に、半導体チ
ップのコーナ部では先端に近づくほど、中心部方向への
応力がより強く作用する。従って、半導体チップのコー
ナ部に最も近い、最外周のメタル配線にパッケージクラ
ンクが発生したり、メタル配線自体が応力に耐えきれず
、スライドして断線したり、他のメタル配線に接触し、
ショートするといった問題があった。
本発明は、以上述べたパッシベーション膜のクラックと
メタル配線の断線やショートの問題を除去し、半導体チ
ップのコーナ部に最も近い、最外周のメタル配線のコー
ナ部に１本乃至数本のダミー配線を設置し、樹脂による
応力をこのダミー配線で受けることにより、内部にある
メタル配線に加わる応力を緩和し、その損傷を防止し得
る樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
メタル配線の断線やショートの問題を除去し、半導体チ
ップのコーナ部に最も近い、最外周のメタル配線のコー
ナ部に１本乃至数本のダミー配線を設置し、樹脂による
応力をこのダミー配線で受けることにより、内部にある
メタル配線に加わる応力を緩和し、その損傷を防止し得
る樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記目的を達成するために、半導体チップに
メタル配線が施される樹脂封止型半導体装置において、
半導体チップのコーナ部の最外周のメタル配線のコーナ
部の外縁部に形成される削除部と、前記メタル配線と分
離されるとともに、該メタル配線のコーナ部の外縁面に
対向して前記削除部に略位置し、かつ該削除部からはみ
出す長さの長丈状のダミー配線を設けるようにしたもの
である。
メタル配線が施される樹脂封止型半導体装置において、
半導体チップのコーナ部の最外周のメタル配線のコーナ
部の外縁部に形成される削除部と、前記メタル配線と分
離されるとともに、該メタル配線のコーナ部の外縁面に
対向して前記削除部に略位置し、かつ該削除部からはみ
出す長さの長丈状のダミー配線を設けるようにしたもの
である。
また、上記ダミー配線は複数個設けるようにしたもので
ある。
ある。
（作用）
本発明によれば、上記のように構成したので、ダミー配
線が封止樹脂による応力に対する防波堤のような働きを
なし、半導体チップのコーナ部の最外周のメタル配線の
損傷を防止し、パッシベーション膜にクランクが生しる
ことはなくなる。
線が封止樹脂による応力に対する防波堤のような働きを
なし、半導体チップのコーナ部の最外周のメタル配線の
損傷を防止し、パッシベーション膜にクランクが生しる
ことはなくなる。
また、ダミー配線は損傷しても、実際のメタル配線に損
傷が波及することはなくなる。
傷が波及することはなくなる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部平面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の要部
拡大平面図である。
要部平面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の要部
拡大平面図である。
これらの図に示すように、半導体チップ２１のコーナ部
にはメタル配線２２が施される。ここで、メタル配線２
２は半導体チップ２１のコーナ部に最も近い最外周のメ
タル配線である。このメタル配線２２のコーナ部の外角
部に、点線で示される削除部２３を形成する。そして、
メタル配線２２とは分離され、かつその削除部２３に略
位置するように第１のダミー配線２４と第２のダミー配
線２５とを設ける。これらの第１．第２のダミー配線２
４．２５は、削除部２３からはみ出す長さを有している
０例えば第２図に示すように、メタル配線２２の配線幅
１１を４０μｍとすると、メタル配線が屈曲する頂点Ａ
から寸法ｌＩ （例えば４０μｍ）だけ離れた点Ｂ及び
Ｂ′を結んだ線で、メタル配置２２のコーナ部を形成す
る。
にはメタル配線２２が施される。ここで、メタル配線２
２は半導体チップ２１のコーナ部に最も近い最外周のメ
タル配線である。このメタル配線２２のコーナ部の外角
部に、点線で示される削除部２３を形成する。そして、
メタル配線２２とは分離され、かつその削除部２３に略
位置するように第１のダミー配線２４と第２のダミー配
線２５とを設ける。これらの第１．第２のダミー配線２
４．２５は、削除部２３からはみ出す長さを有している
０例えば第２図に示すように、メタル配線２２の配線幅
１１を４０μｍとすると、メタル配線が屈曲する頂点Ａ
から寸法ｌＩ （例えば４０μｍ）だけ離れた点Ｂ及び
Ｂ′を結んだ線で、メタル配置２２のコーナ部を形成す
る。
そして、線分ＢＢ’と垂直に点Ｂ、Ｂ’から寸法１、（
例えば５μｍ）離れた点をＣ及びＣ′、寸法ｌ、＋ｆｆ
１ｓ（例えば８ μｍ）Ｍれた点を点り。
例えば５μｍ）離れた点をＣ及びＣ′、寸法ｌ、＋ｆｆ
１ｓ（例えば８ μｍ）Ｍれた点を点り。
Ｄ′とし、点ｃ、ｃ’、点り、 Ｄ’で囲まれる長方形
状の配線を第１のダミー配線２４（幅ρ、は３μｍ）と
する、更に、点Ｂ、Ｂ’から寸法１宜十ｉｓ＋１ａｃ例
えば１３μｍ）離れた点を点Ｅ、 Ｅ’とし、点Ｂ、
Ｂ’から寸法１１ｔ ＋Ｉｌコ＋１４ ＋ｌＳ（例えば
１６μｍ）離れた点を点Ｆ、Ｆ’ とする。
状の配線を第１のダミー配線２４（幅ρ、は３μｍ）と
する、更に、点Ｂ、Ｂ’から寸法１宜十ｉｓ＋１ａｃ例
えば１３μｍ）離れた点を点Ｅ、 Ｅ’とし、点Ｂ、
Ｂ’から寸法１１ｔ ＋Ｉｌコ＋１４ ＋ｌＳ（例えば
１６μｍ）離れた点を点Ｆ、Ｆ’ とする。
また、線分ＥＥ’上で点８２点Ｅ′からそれぞれ寸法ｘ
ｈ （例えば８μｍ）離れた点を点Ｅ＋Ｅｌ ’ と
する、同様に、線分ＦＦ’上において点Ｆ、 Ｆ’か
らそれぞれ寸法ｌ、＃れた点を点ＦＦ、ｌ とする、そ
こで、点Ｅ、、Ｅ、’ 、点ＦＩＦ、Ｉで囲まれる長方
形状の配線を第２のダミー配線２５（幅！、は３μｍ）
とする。
ｈ （例えば８μｍ）離れた点を点Ｅ＋Ｅｌ ’ と
する、同様に、線分ＦＦ’上において点Ｆ、 Ｆ’か
らそれぞれ寸法ｌ、＃れた点を点ＦＦ、ｌ とする、そ
こで、点Ｅ、、Ｅ、’ 、点ＦＩＦ、Ｉで囲まれる長方
形状の配線を第２のダミー配線２５（幅！、は３μｍ）
とする。
なお、ダミー配線の数は上記実施例に示したように、２
個に限定されることはない０例えば、第７図に示す様に
、ダミー配線２６を１個設けるようにしてもよい、また
、第８図に示すように、ダミー配線２７．２８．２９と
３個設けるようにしてもよい。
個に限定されることはない０例えば、第７図に示す様に
、ダミー配線２６を１個設けるようにしてもよい、また
、第８図に示すように、ダミー配線２７．２８．２９と
３個設けるようにしてもよい。
また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、半導体
チップのコーナ部の最外周のメタル配線のコーナ部の外
角部に、前記メタル配線と分離されると共に、前記削除
部に略位置し、かつ該削除部からはみ出す長さの長丈状
のダミー配線を１本乃至数本設けるようにしたので、封
止樹脂からの半導体チップのコーナ部における応力が低
減され、パッシベーションクラックやメタル配線自体の
不良がなくなり、樹脂封止型半導体装置の信鯨性及び品
質の向上を図ることができる。
チップのコーナ部の最外周のメタル配線のコーナ部の外
角部に、前記メタル配線と分離されると共に、前記削除
部に略位置し、かつ該削除部からはみ出す長さの長丈状
のダミー配線を１本乃至数本設けるようにしたので、封
止樹脂からの半導体チップのコーナ部における応力が低
減され、パッシベーションクラックやメタル配線自体の
不良がなくなり、樹脂封止型半導体装置の信鯨性及び品
質の向上を図ることができる。
また、このダミー配線はメタル配線の略削除部に形成さ
れるので、新たな面積を必要とせず、集積密度を低下さ
せることはない。
れるので、新たな面積を必要とせず、集積密度を低下さ
せることはない。
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の
要部平面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の、要
部拡大平面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の
チップコーナ部のメタル配線を示す平面図、第４図は従
来の樹脂封止型半導体装置への応力の印加状態を示す図
、第５図及び第６図は従来の樹脂封止型半導体装置の問
題点説明図、第７図は本発明の他の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の要部平面図、第８図は本発明の更なる
他の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の要部平面図で
ある。 ２１・・・半導体チップ、２２・・・メタル配線、２３
・・・削除部、２４・・・第１のダミー配線、２５・・
・第２のダミー配線。
要部平面図、第２図はその樹脂封止型半導体装置の、要
部拡大平面図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の
チップコーナ部のメタル配線を示す平面図、第４図は従
来の樹脂封止型半導体装置への応力の印加状態を示す図
、第５図及び第６図は従来の樹脂封止型半導体装置の問
題点説明図、第７図は本発明の他の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の要部平面図、第８図は本発明の更なる
他の実施例を示す樹脂封止型半導体装置の要部平面図で
ある。 ２１・・・半導体チップ、２２・・・メタル配線、２３
・・・削除部、２４・・・第１のダミー配線、２５・・
・第２のダミー配線。
Claims (2)
- （１）半導体チップにメタル配線が施される樹脂封止型
半導体装置において、 （ａ）前記半導体チップのコーナ部の最外周のメタル配
線のコーナ部の外縁部に形成される削除部と、 （ｂ）前記メタル配線と分離されるとともに、該メタル
配線のコーナ部の外縁面に対向して前記削除部に略位置
し、かつ該削除部からはみ出す長さの長丈状のダミー配
線を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）請求項１記載の樹脂封止型半導体装置において、
ダミー配線は複数個配設してなる樹脂封止型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27372389A JP2732916B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27372389A JP2732916B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136332A true JPH03136332A (ja) | 1991-06-11 |
| JP2732916B2 JP2732916B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17531666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27372389A Expired - Lifetime JP2732916B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732916B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707341A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-17 | Altera Corporation | Integrated circuit die comprising of metal patterns at the corners |
| US5763936A (en) * | 1995-04-27 | 1998-06-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of supressing cracks in insulating layer |
| KR100320442B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2002-01-15 | 박종섭 | 반도체 배선의 레이아웃 방법 |
| JP2006332344A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013157651A (ja) * | 2013-05-24 | 2013-08-15 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8963291B2 (en) | 2004-09-10 | 2015-02-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor chip with seal ring and sacrificial corner pattern |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP27372389A patent/JP2732916B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0707341A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-17 | Altera Corporation | Integrated circuit die comprising of metal patterns at the corners |
| US5572067A (en) * | 1994-10-06 | 1996-11-05 | Altera Corporation | Sacrificial corner structures |
| US5763936A (en) * | 1995-04-27 | 1998-06-09 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of supressing cracks in insulating layer |
| US5885857A (en) * | 1995-04-27 | 1999-03-23 | Yamaha Corporation | Semiconductor chip capable of suppressing cracks in the insulating layer |
| KR100320442B1 (ko) * | 2000-01-31 | 2002-01-15 | 박종섭 | 반도체 배선의 레이아웃 방법 |
| US8963291B2 (en) | 2004-09-10 | 2015-02-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor chip with seal ring and sacrificial corner pattern |
| US9368459B2 (en) | 2004-09-10 | 2016-06-14 | Acacia Research Group Llc | Semiconductor chip with seal ring and sacrificial corner pattern |
| JP2006332344A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4675159B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-04-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP2013157651A (ja) * | 2013-05-24 | 2013-08-15 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732916B2 (ja) | 1998-03-30 |
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