JPH0249429A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0249429A JPH0249429A JP20051688A JP20051688A JPH0249429A JP H0249429 A JPH0249429 A JP H0249429A JP 20051688 A JP20051688 A JP 20051688A JP 20051688 A JP20051688 A JP 20051688A JP H0249429 A JPH0249429 A JP H0249429A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- pattern
- stress
- wiring part
- adjacent
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- Pending
Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に耐温度サイクル性の改
良されたモールド・パッケージ型半導体装置に関する。
良されたモールド・パッケージ型半導体装置に関する。
従来、半導体チップをモールド・パッケージに組込んだ
場合、温度サイクルによるモールド樹脂のストレスで半
導体チップがダメージを受け、最悪の場合機能しなくな
ることは良く知られている。この対策にはモールド樹脂
の低応力化、半導体チップのパッシベーション膜の改良
とともに半導体チップコーナー部のレイアウトの工夫も
重要である。従来、レイアウト上の対策には、第３図に
示すように、半導体チップのコーナ部におけるアルミ配
線２を角落とし形状としたり、或いはこのアルミ配線２
をスリット３により分割して、モールド樹脂によるスト
レスを分散させる方法が行なわれてきた。
場合、温度サイクルによるモールド樹脂のストレスで半
導体チップがダメージを受け、最悪の場合機能しなくな
ることは良く知られている。この対策にはモールド樹脂
の低応力化、半導体チップのパッシベーション膜の改良
とともに半導体チップコーナー部のレイアウトの工夫も
重要である。従来、レイアウト上の対策には、第３図に
示すように、半導体チップのコーナ部におけるアルミ配
線２を角落とし形状としたり、或いはこのアルミ配線２
をスリット３により分割して、モールド樹脂によるスト
レスを分散させる方法が行なわれてきた。
このように、上述した従来の半導体装置は、アルミ配線
２をスリット３により分割するなどして樹脂ストレスの
緩和を図っているが、それでも最外周のアルミ配線部分
に対するモールド樹脂のストレスによりパッシベーショ
ン膜にクラック５が入り、耐湿性が劣化することがある
。その結果、アルミ配線２が腐蝕されることとなり、ア
ルミ配線抵抗の増大や、アルミ配線２の信頼性低下を来
たすという問題点を生じている。
２をスリット３により分割するなどして樹脂ストレスの
緩和を図っているが、それでも最外周のアルミ配線部分
に対するモールド樹脂のストレスによりパッシベーショ
ン膜にクラック５が入り、耐湿性が劣化することがある
。その結果、アルミ配線２が腐蝕されることとなり、ア
ルミ配線抵抗の増大や、アルミ配線２の信頼性低下を来
たすという問題点を生じている。
本発明の目的は、上記の問題点に鑑み、半導体チップ・
コーナー部のアルミ配線に対するパッケージ樹脂膜から
のストレスを緩和した半導体装置を提供することである
。
コーナー部のアルミ配線に対するパッケージ樹脂膜から
のストレスを緩和した半導体装置を提供することである
。
本発明によれば、半導体装置は、半導体チップを組込む
モールド樹脂パッケージ構造から成り、前記半導体チッ
プは電気接続にあずからないダミー金属パターンをそれ
ぞれのコーナー部に最外周の金属配線に隣接して設ける
ことを含んで構成される。
モールド樹脂パッケージ構造から成り、前記半導体チッ
プは電気接続にあずからないダミー金属パターンをそれ
ぞれのコーナー部に最外周の金属配線に隣接して設ける
ことを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップ・コーナ
ー部の平面図である。本実施例によれば、本発明半導体
装置は、コーナー部においてスリット３により分割され
且つ角落ちされた最外周アルミ配線２と、その外側に隣
接するダミーの金属パターン６とを備えた半導体チップ
１−を含む。
ー部の平面図である。本実施例によれば、本発明半導体
装置は、コーナー部においてスリット３により分割され
且つ角落ちされた最外周アルミ配線２と、その外側に隣
接するダミーの金属パターン６とを備えた半導体チップ
１−を含む。
ここで、４は半導体チップ１のパッドを示す。本実施例
から明らかなように、本発明半導体装置に組込まれる半
導体チップは、コーナー部の最外周アルミ配線２の更に
外側に隣接してダミー金属パターン６が設けられている
ので、パッケージ樹脂膜によるストレスが加わった際は
、このダー金属パターン６にストレスは吸収されこの直
上にクラック５を生ぜしめる。従って、最外周アルミ配
線２に対するストレスは緩和されるので耐温度サイクル
特性を著しく改善することができる。
から明らかなように、本発明半導体装置に組込まれる半
導体チップは、コーナー部の最外周アルミ配線２の更に
外側に隣接してダミー金属パターン６が設けられている
ので、パッケージ樹脂膜によるストレスが加わった際は
、このダー金属パターン６にストレスは吸収されこの直
上にクラック５を生ぜしめる。従って、最外周アルミ配
線２に対するストレスは緩和されるので耐温度サイクル
特性を著しく改善することができる。
第２図は本発明の他の実施例を示す半導体チップ・コー
ナー部の平面図である。本実施例では角落ちされない最
外周アルミ配線２にダミー金属パターン６が隣接配置さ
れる。この場合にも、ダミー金属パターン６はパッケー
ジ樹脂からのストレスを回収して最高周アルミ配線２を
保液するので、耐温度サイクル特性のすぐれた半導体装
置を得ることができる。
ナー部の平面図である。本実施例では角落ちされない最
外周アルミ配線２にダミー金属パターン６が隣接配置さ
れる。この場合にも、ダミー金属パターン６はパッケー
ジ樹脂からのストレスを回収して最高周アルミ配線２を
保液するので、耐温度サイクル特性のすぐれた半導体装
置を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、半導体チップコ
ーナー部における最外周の金属配線に隣接してダミーの
金属パターン群を配置し、モールド樹脂からのストレス
をこのダミーの金属パターン群に吸収せしめるので、最
外周の金属配線を温度サイクルによるダメージから保護
することができる。
ーナー部における最外周の金属配線に隣接してダミーの
金属パターン群を配置し、モールド樹脂からのストレス
をこのダミーの金属パターン群に吸収せしめるので、最
外周の金属配線を温度サイクルによるダメージから保護
することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップ・コーナ
ー部の平面図、第２図は本発明の他の実施例を示す半導
体チップ・コーナー部の平面図、第３図は、従来の半導
体装置に組込まれる半導体チップのコーナー部の平面図
である。 １・・・半導体チップ、２・・・最外周アルミ配線、３
・・・スリット、４・・・パッド、５・・・クラック、
６・・・ダミー金属パターン。 羊 ＩＷＪ 茅 ２ ｍ
ー部の平面図、第２図は本発明の他の実施例を示す半導
体チップ・コーナー部の平面図、第３図は、従来の半導
体装置に組込まれる半導体チップのコーナー部の平面図
である。 １・・・半導体チップ、２・・・最外周アルミ配線、３
・・・スリット、４・・・パッド、５・・・クラック、
６・・・ダミー金属パターン。 羊 ＩＷＪ 茅 ２ ｍ
Claims (1)
- 半導体チップを組込むモールド樹脂パッケージ構造か
ら成り、前記半導体チップは電気接続にあずからないダ
ミー・金属パターンをそれぞれのコーナー部に最外周の
金属配線に隣接して設けることを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20051688A JPH0249429A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20051688A JPH0249429A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249429A true JPH0249429A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16425613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20051688A Pending JPH0249429A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249429A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
| JPH0778818A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| WO2000070672A1 (de) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Infineon Technologies Ag | Ausgestaltung einer ecke einer in damaszener-technologie auf einem substrat hergestellten elektrischen leiterbahn aus insbesondere kupfer |
| US6987323B2 (en) * | 2002-02-05 | 2006-01-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Chip-size semiconductor package |
| JP2006332344A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2022159154A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-17 | 華為技術有限公司 | パワー半導体デバイス、パッケージ構造および電子デバイス |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP20051688A patent/JPH0249429A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371630U (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-19 | ||
| JPH0778818A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
| WO2000070672A1 (de) * | 1999-05-18 | 2000-11-23 | Infineon Technologies Ag | Ausgestaltung einer ecke einer in damaszener-technologie auf einem substrat hergestellten elektrischen leiterbahn aus insbesondere kupfer |
| US6987323B2 (en) * | 2002-02-05 | 2006-01-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Chip-size semiconductor package |
| JP2006332344A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4675159B2 (ja) * | 2005-05-26 | 2011-04-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| JP2022159154A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-17 | 華為技術有限公司 | パワー半導体デバイス、パッケージ構造および電子デバイス |
| US11978767B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-05-07 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power semiconductor device, packaging structure, and electronic device |
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