JP2006332344A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、チップ領域に形成された素子と、複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成された配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成され、且つ素子と配線とを接続するか又は配線同士を接続するビアと、チップ領域の周縁部における複数の層間絶縁膜の積層構造中に、チップ領域の内部領域を取り囲むように形成されている一方で、少なくとも1箇所において分断されている部分を有するダミー補強パターン(31)とを備える。ダミー補強パターン(31)は、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成されたダミー配線と、複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成されたライン状のダミービアとからなる。
【選択図】 図3
Description
以下に、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置について説明する。
図4(a)に示すように、シリコンなどの半導体ウエハよりなる基板40の上には、複数の層間絶縁膜41、42、43、44、45、46の積層構造が形成されており、該積層構造の上には、表面保護膜47が形成されている。ここで、例えば、層間絶縁膜41、42、43、44、45、46としてSiOC膜などの低い誘電率(比誘電率3.9以下)を有するLow−k膜を形成し、表面保護膜40としてシリコン窒化膜を形成する。なお、各層間絶縁膜41、42、43、44、45、46の間には、SiCN膜のようなストッパー材を形成してもよい。
図5(a)及び(b)並びに図6(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の変形例を示す平面図である。
以下、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置について説明する。
以下に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を構成するダミー補強パターンの配置例について説明する。
以下に、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を構成するダミー補強パターンの構造例について説明する。
12 半導体チップ
13 スクライブライン
21 コーナー部
22 電極パッド
23 能動領域
31、31a、31b、31c、31d、31e、31f、31g、31i、31h、31j、62、62a、62b、62c、62d、62e、62f、62g、62h、62i ダミー補強パターン
41、42、43、44、45、46 層間絶縁膜
47 表面保護膜
48、50、52 ビア
49、51、53 配線
55、57、59 ダミービア
56、58、60 ダミー配線
61、61a シールリング
71a、71c、71e ダミービア
71b、71d、71f ダミー配線
81a、81c、81e ビア
81b、81d、81f 配線
Claims (11)
- 基板におけるチップ領域に形成された素子と、
前記基板上に形成された複数の層間絶縁膜と、
前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成された配線と、
前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成され、且つ前記素子と前記配線とを接続するか又は前記配線同士を接続するビアと、
前記チップ領域の周縁部における前記複数の層間絶縁膜の積層構造中に、前記チップ領域の内部領域を取り囲むように形成されている一方で、少なくとも1箇所において分断されている部分を有するダミー補強パターンとを備え、
前記ダミー補強パターンは、前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成されたダミー配線と、前記複数の層間絶縁膜のうちの少なくとも1つに形成されたライン状のダミービアとによって構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ダミー補強パターンは、前記チップ領域のコーナー部において分断されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ダミー補強パターンは、少なくとも第1のダミー補強パターンと第2のダミー補強パターンとを備え、前記第1のダミー補強パターンと前記第2のダミー補強パターンとは互いに間隔を置いて形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1のダミー補強パターン及び前記第2のダミー補強パターンは、前記チップ領域の周縁部にそれぞれ複数のパターンに分断されて形成されており、
前記第1のダミー補強パターンと前記第2のダミー補強パターンとは、分断されている位置が異なっていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1のダミー補強パターン及び前記第2のダミー補強パターンは、互いに鍵状にかみ合うように形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体装置。
- 前記ダミー補強パターンは、前記チップ領域のコーナー部に形成された第3のダミー補強パターンを有していることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記チップ領域の周縁部における前記複数の層間絶縁膜の積層構造中に、前記チップ領域の内部領域を取り囲むように形成されたシールリングをさらに備えていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記チップ領域の周縁部における前記複数の層間絶縁膜の積層構造中に、前記チップ領域の内部領域を取り囲むように形成されたシールリングをさらに備え、
前記第3のダミー補強パターンは、前記シールリングの外側に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記チップ領域の周縁部における前記複数の層間絶縁膜の積層構造中に、前記チップ領域の内部領域を取り囲むように形成されたシールリングをさらに備え、
前記第3のダミー補強パターンは、前記シールリングの内側に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第3のダミー補強パターンは、互いに間隔をおいて配置された複数のダミー補強パターンからなることを特徴とする請求項6、8又は9に記載の半導体装置。
- 前記第3のダミー補強パターンにおける複数のダミー補強パターンは、前記チップ領域を構成する各辺に対して45°の方向に形成されていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
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