JP2004079732A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1上に比誘電率が2.5以下である低比誘電率膜2を設ける。膜2の表面上に比誘電率が2.5よりも大きいSiC膜3を設ける。膜3を貫通して膜2の内部にかけて設けた配線用凹部5の内側、および凹部5が形成されている領域から所定の範囲内で膜3を貫通して膜2の内部にかけて設けたダミー配線用凹部6の内側、およびSiC膜3の表面上にTaN膜7およびCu膜8を設ける。CMP処理を行って、配線用凹部5およびダミー配線用凹部6の内側にTaN膜7およびCu膜8を残す。これにより配線9を形成するとともに、配線9が形成されている領域から所定の範囲内で膜3を貫通して膜2の内部にかけてダミー配線10を形成する。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の配線付近の構造に係り、特にシステムLSIや高速ロジックLSIなどの多層配線構造を有する半導体装置において、各層の絶縁膜のCMPに対する耐久性の向上が図られた半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、LSIの配線RC遅延を緩和して多層配線を高性能化するために、低抵抗の配線および低比誘電率の絶縁膜が用いられている。低抵抗の配線の材料としては、例えば抵抗率ρが約1.8μΩcmの銅(Cu)が用いられる。また、低比誘電率の絶縁膜としては、例えば有機成分を含有し、比誘電率kが約2.5以下の低比誘電率膜(low−k膜)が用いられる。
【0003】
一般に、Cu、W、あるいはAlなどを材料とするダマシン配線を形成する工程にはCMP(Chemical Mechanical Polishing)工程が含まれている。ところが、低比誘電率膜の殆どは多孔質(ポーラス)構造であるため、CMP工程における機械的なストレス(負荷)に対して極めて脆い。低比誘電率膜に対してCMPを行うと、機械的なストレスによって膜自体が破壊されるため、低比誘電率膜に対してCMPを直接行うことは殆ど不可能である。したがって、通常は、非ポーラス構造からなる他の絶縁膜を低比誘電率膜の上に設けて、CMPによる低比誘電率膜の破壊を防いでいる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この絶縁膜および低比誘電率膜からなる積層膜の殆どは、その界面における密着力が極めて弱い。このため、積層膜に対してCMPを行うと、殆どの場合、絶縁膜が低比誘電率膜から剥がれてしまう。また、積層膜を単層で用いる場合にはその界面における膜剥がれを生じ難くすることができても、積層膜を複数層に積層すると各層間の界面において膜剥がれが生じ易くなる。したがって、積層膜としての層間絶縁膜を複数層に積層した多層配線構造を実現するに際しては、各層間における膜同士の密着力がCMPの負荷よりも強い膜構造が必要とされる。特に、システムLSI(System−LSI)や、高速ロジックLSI(高速Logic−LSI)などの次世代の半導体装置で要求される10層を超える層間絶縁膜を形成する場合には、各層間における膜同士の密着力がさらに大きな膜構造が必要となる。
【0005】
本発明は、以上説明したような課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、絶縁膜の積層数に拘らず、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性の向上が図られ、CMPによる膜剥がれが低減された半導体装置、およびそのような半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、基板と、この基板上に設けられ、比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の表面上に設けられ、比誘電率が前記所定の値よりも大きい第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて設けられた配線用凹部内に形成された配線と、この配線が形成されている領域から所定の範囲内で前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて設けられたダミー配線用凹部内に形成されたダミー配線と、を具備することを特徴とするものである。
【0007】
この半導体装置においては、比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜が基板上に設けられている。それとともに、第1の絶縁膜の表面上に比誘電率が所定の値よりも大きい第2の絶縁膜が設けられている。そして、第1の絶縁膜および第2の絶縁膜の配線が形成されている領域から所定の範囲内で、第2の絶縁膜を貫通して第1の絶縁膜の内部にかけて設けられたダミー配線用凹部内に、ダミー配線が形成されている。これにより、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とがダミー配線によって実質的に接続されている。この結果、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面における密着力がCMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上されている。すなわち、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性が向上されている。
【0008】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置は、基板と、この基板上に設けられ、少なくとも比誘電率が所定の値以下である絶縁膜からなる第n層目(nは1以上の整数)の層間絶縁膜と、この第n層目の層間絶縁膜上に設けられ、少なくとも比誘電率が所定の値以下である絶縁膜からなる第n+1層目の層間絶縁膜と、前記第n層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n層目の配線用凹部内に形成された第n層目の配線と、この第n層目の配線が形成されている領域から所定の範囲内で前記第n層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n層目のダミー配線用凹部内に形成された第n層目のダミー配線と、前記第n+1層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n+1層目の配線用凹部内に形成された第n+1層目の配線と、前記第n層目のダミー配線に連続するように、前記第n+1層目の層間絶縁膜をその厚さ方向に沿って略貫通して設けられた第n+1層目のダミー配線用凹部内に形成された第n+1層目のダミー配線と、を具備することを特徴とするものである。
【0009】
この半導体装置においては、基板上に設けられ、少なくとも比誘電率が所定の値以下である絶縁膜からなる第n層目(nは1以上の整数)の層間絶縁膜の内部に、第n層目の配線が形成されている。それとともに、第n層目の配線が形成されている領域から所定の範囲内で第n層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n層目のダミー配線用凹部内に、第n層目のダミー配線が形成されている。また、第n層目の層間絶縁膜上に、少なくとも比誘電率が所定の値以下である絶縁膜からなる第n+1層目の層間絶縁膜が設けられている。そして、第n+1層目の層間絶縁膜をその厚さ方向に沿って略貫通して設けられた第n+1層目のダミー配線用凹部内に、第n層目のダミー配線に連続するように第n+1層目のダミー配線が形成されている。これにより、第n層目の層間絶縁膜と第n+1層目の層間絶縁膜とが、第n層目のダミー配線および第n+1層目のダミー配線によって実質的に接続されている。この結果、第n層目の層間絶縁膜と第n+1層目の層間絶縁膜との界面における密着力がCMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上されている。すなわち、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性が向上されている。
【0010】
また、前記課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜を設ける工程と、前記第1の絶縁膜の表面上に比誘電率が前記所定の値よりも大きい第2の絶縁膜を設ける工程と、前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて配線用凹部を形成するとともに、この配線用凹部の形成領域から所定の範囲内で前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけてダミー配線用凹部を形成する工程と、前記第2の絶縁膜の表面上、前記配線用凹部の内側、および前記ダミー配線用凹部の内側に導電材料を設ける工程と、前記第2の絶縁膜の表面上の前記導電材料を研磨して除去することにより、前記導電材料を前記配線用凹部の内側に残して配線を形成するとともに、前記導電材料を前記ダミー配線用凹部の内側に残して前記配線の形成領域から所定の範囲内でダミー配線を形成する工程と、を含むことを特徴とするものである。
【0011】
この半導体装置の製造方法においては、基板上に比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜を設けた後、この第1の絶縁膜の表面上に比誘電率が所定の値よりも大きい第2の絶縁膜を設ける。続けて、第2の絶縁膜を貫通して第1の絶縁膜の内部にかけて配線用凹部を形成するとともに、この配線用凹部の形成領域から所定の範囲内で第2の絶縁膜を貫通して第1の絶縁膜の内部にかけてダミー配線用凹部を形成する。続けて、第2の絶縁膜の表面上、配線用凹部の内側、およびダミー配線用凹部の内側に導電材料を設けた後、第2の絶縁膜の表面上の導電材料を研磨して除去する。これにより、導電材料を配線用凹部の内側に残して配線を形成するとともに、導電材料をダミー配線用凹部の内側に残してダミー配線を形成する。そして、このダミー配線を用いて第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とを実質的に接続する。この結果、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面における密着力をCMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上させる。すなわち、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性を向上させる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る各実施形態を図面を参照しつつ説明する。
【0013】
(第1の実施の形態)
先ず、本発明に係る第1実施形態を図1〜図9を参照しつつ説明する。図1および図2は、それぞれ本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図3は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図および平面図である。図4は、本実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図および平面図である。図5は、層内または層間における絶縁膜の剥がれを示す断面図である。図6〜図9は、それぞれ本実施形態で形成するダミー配線の具体例を、それらの平面視でのパターン形状の種類ごとに分類して示す平面図である。
【0014】
この第1実施形態では、配線本体部とヴィアプラグ部(コンタクトプラグ部)とを一体に形成する、いわゆるデュアルダマシン構造を有する配線を4層に積層して設ける多層配線構造からなる半導体装置、およびその製造方法について説明する。また、本実施形態で採用するダミー配線は、これを上方から臨んだパターン形状が線対称であるダミー配線とする。具体的には、平面視でのパターン形状がいわゆるコ字形状であるダミー配線を採用する。以下、本実施形態の半導体装置およびその製造方法を、製造工程の順番に沿ってまとめて説明する。
【0015】
先ず、図1(a)に示すように、図示しない素子分離領域や各種半導体素子などが形成された半導体基板1上に、比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜2を設ける。具体的には、比誘電率が2.5以下の絶縁膜である低比誘電率膜(low−k膜)2として、例えばJSR社製のLKD−5109をCVD法により基板1の表面上に約300nm堆積させる。続けて、低比誘電率膜2上に比誘電率が所定の値よりも大きい第2の絶縁膜3を設ける。具体的には、比誘電率が2.5より大きい絶縁膜であるSiC膜3を、例えばCVD法により低比誘電率膜2の表面上に約60nm堆積させる。これにより、低比誘電率膜2およびSiC膜3からなる第1層目の層間絶縁膜4を半導体基板1上に形成する。
【0016】
なお、本実施形態においては、後述する第2層〜第4層のすべての層の低比誘電率膜2に、第1層目の低比誘電率膜2と同じJSR社製のLKD−5109を用いることとする。同様に、第2層〜第4層のすべての層の絶縁膜3に、第1層目の絶縁膜3と同じSiC膜3を用いることとする。
【0017】
次に、図1(b)に示すように、SiC膜3を貫通して低比誘電率膜2の内部にかけて、第1層目の配線用凹部(溝)5およびダミー配線用凹部(溝)6を形成する。これら配線用凹部5およびダミー配線用凹部6は、例えばRIE法によりそれぞれの深さが約200nmとなるように形成される。本実施形態では、配線用凹部5およびダミー配線用凹部6を並行して形成する。これは、後述する第2層〜第4層のすべての層の配線用凹部およびダミー配線用凹部についても同様である。つまり、本実施形態では、半導体装置内において実際に配線として機能する実効配線と、実際に配線としては機能しないダミー配線とを各層で並行して形成する。以下の説明においては、実効配線を単に配線と称することとする。
【0018】
なお、図1〜図5において、Aで示す領域が第1層目の配線を形成する領域である。また、図1〜図5において、Bで示す領域が第1層目のダミー配線を形成する領域である。また、図2〜図5において、Cで示す領域が第2層目の配線を形成する領域である。
【0019】
次に、図1(c)に示すように、SiC膜3の表面上、配線用凹部5の内側、およびダミー配線用凹部6の内側に、バリアメタル膜としてのTaN膜7をその膜厚が約20nmとなるように設ける。続けて、TaN膜7の表面上に、後述する配線9およびダミー配線10となる導電材料を設ける。具体的には、Cu膜8を、その膜厚が約800nmとなるようにTaN膜7の表面上に設ける。これらTaN膜7およびCu膜8は、それぞれ例えばスパッタリング(sputtering)法および鍍金により形成される。
【0020】
次に、図1(d)に示すように、不要なTaN膜7およびCu膜8を除去する。具体的には、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法を用いて、SiC膜3上のTaN膜7およびCu膜8を研磨して除去する。これにより、配線用凹部5およびダミー配線用凹部6の外側の不要なTaN膜7およびCu膜8をSiC膜3上から除去して、配線用凹部5およびダミー配線用凹部6の内側のみにTaN膜7およびCu膜8を残す。つまり、配線用凹部5およびダミー配線用凹部6の内側にのみバリアメタル膜となるTaN膜7、ならびに配線9およびダミー配線10となるCu膜8が埋め込まれる。この結果、SiC膜3を貫通して低比誘電率膜2の内部にかけて、第1層目のCu配線9およびCuダミー配線10が形成される。なお、本実施形態においては、後述する第2層〜第4層のすべての層の配線およびダミー配線を、この第1層目のCu配線9およびCuダミー配線10と同じくCu膜8を用いて形成する。同様に、第2層〜第4層のすべての層のバリアメタル膜を、第1層目のバリアメタル膜7と同じくTaN膜7を用いて形成する。
【0021】
この第1層目のCu配線9およびCuダミー配線10を形成する際のCMP工程の実施条件を次に示す。
【0022】
(第1研磨:1st. Polish)
スラリー(Slurry):CMS7303/7304(JSR社製)
スラリー流量:250cc/min
研磨パッド(Pad):IC1000(RODEL社製)
荷重:300gf/cm2
キャリアおよびテーブルの回転数:ともに100rpm
研磨時間(Polishing time):2min
(第2研磨:2nd. Polish)
スラリー(Slurry):CMS8301(JSR社製)
スラリー流量:200cc/min
研磨パッド(Pad):IC1000(RODEL社製)
荷重:300gf/cm2
キャリアおよびテーブルの回転数:ともに100rpm
研磨時間(Polishing time):1min
このように、本実施形態のCMP工程は2段階に分けて行われる。これらのCMP工程の実施条件は、第2層目〜第4層目のCu配線およびCuダミー配線を形成する際においても同じである。第1研磨(1st. Polish)は、主にCu膜8を研磨して除去するために行われる。また、第2研磨(2nd. Polish)は、主にTaN膜7を研磨して除去するために行われる。
【0023】
ここで、CMP工程により第1層目のCu配線9を形成する際に、併せて本実施形態のCuダミー配線10を形成する場合と、ダミー配線を全く形成しない場合との違いについて説明する。本発明者らが行った実験によれば、Cuダミー配線10を形成しない場合、図5(a)に示すように、第1研磨を行っている最中に低比誘電率膜2とSiC膜3との界面において膜剥がれが生じた。ところが、Cuダミー配線10を形成する本実施形態の場合、図1(d)に示すように、第1研磨はもちろんのこと、第2研磨を終了しても低比誘電率膜2とSiC膜3との界面において膜剥がれは殆ど生じなかった。これは、次のように説明できる。
【0024】
SiC膜3から低比誘電率膜2にかけてCuダミー配線10を形成することにより、Cuダミー配線10とSiC膜3とがTaN膜7を介して間接的に接触する。それとともに、Cuダミー配線10と低比誘電率膜2とがTaN膜7を介して間接的に接触する。Cuダミー配線10およびTaN膜7とSiC膜3とは、互いに異種の材料から形成されている。そして、CuおよびTaNとSiCとは、互いに密着し合う性質を有している。同様に、Cuダミー配線10およびTaN膜7と低比誘電率膜2とは、互いに異種の材料から形成されている。そして、CuおよびTaNと低比誘電率膜2の材料とは、互いに密着し合う性質を有している。したがって、SiC膜3と低比誘電率膜2とは、Cuダミー配線10およびTaN膜7を介して実質的に接続される。これにより、SiC膜3と低比誘電率膜2との界面における密着力は、CMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上される。この結果、第1層目のCu配線9およびCuダミー配線10を形成する際の、CMP工程における機械的なストレスに対する層間絶縁膜4の耐久性が向上され、層内における膜剥がれが低減される。
【0025】
本発明者らが行った実験によれば、Cuダミー配線10とSiC膜3との密着力は、それらの接触面積が大きい程強くなることが確認されている。同様に、Cuダミー配線10と低比誘電率膜2との密着力は、それらの接触面積が大きい程強くなることが確認されている。
【0026】
なお、SiC膜3は、主に次に述べる2つの理由により低比誘電率膜2の上に堆積されている。一つは、低比誘電率膜2がCMP工程の機械的なストレス(CMPストレス:CMP stress)を直接受けるのを保護するためである。そしてもう一つは、低比誘電率膜2の吸水作用を抑制するためである。このように、SiC膜3は低比誘電率膜2の品質の劣化を抑制するために設けられている。したがって、低比誘電率膜2を用いて層間絶縁膜4を構成する場合、SiC膜3が低比誘電率膜2の表面から剥がれることを避けるのが好ましい。
【0027】
なお、図示は省略するが、本実施形態とは異なるダミー配線を形成した場合においても、少なくともこの第1層目のCMP工程においては膜剥がれが生じないことが本発明者らによって確認されている。
【0028】
次に、図2(a)に示すように、Cu配線9およびCuダミー配線10の酸化および拡散を防止するために、第1層目の酸化および拡散防止膜となる第3の絶縁膜11を設ける。具体的には、Cu配線9、Cuダミー配線10、およびSiC膜3の表面上に、例えばCVD法によりSiC膜11をその膜厚が約50nmとなるように堆積させる。続けて、第2層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3を設ける。これにより、第2層目の層間絶縁膜4を形成する。具体的には、第2層目の低比誘電率膜2を、例えばCVD法によりSiC膜11の表面上に約600nm堆積させる。続けて、第2層目のSiC膜3を、例えばCVD法により第2層目の低比誘電率膜2の表面上に約60nm堆積させる。これにより、低比誘電率膜2およびSiC膜3からなる第2層目の層間絶縁膜4をSiC膜11上に形成する。
【0029】
次に、図2(b)に示すように、第2層目のSiC膜3および低比誘電率膜2から第1層目のSiC膜11にかけて、第2層目の配線用凹部12およびダミー配線用凹部13を形成する。前述したように、この第2層目においても、配線用凹部12およびダミー配線用凹部13を並行して形成する。つまり、第2層目の配線(実効配線)16と、第2層目のダミー配線17とを並行して形成する。この第2層目においては、Cu配線16を、その配線本体部19とコンタクトプラグ部(ヴィアプラグ部)18とを一体とする、いわゆるデュアルダマシン構造に形成する。したがって、第2層目の配線用凹部12も、その上側が配線本体部用凹部15、その下側がコンタクトプラグ用凹部(ヴィアプラグ用凹部)14からなる2段構造に形成される。それとともに、配線本体部用凹部15およびコンタクトプラグ用凹部14は一体に形成される。配線用凹部12は、第2層目のSiC膜3および低比誘電率膜2ならびに第1層目のSiC膜11を貫通して、第1層目のCu配線9の上面の一部を露出させるように形成される。
【0030】
具体的には、コンタクトプラグ用凹部14は、例えばRIE法によりその深さが約300nmとなるように形成される。また、配線本体部用凹部15は、コンタクトプラグ用凹部14の上部に連通して、第2層目のSiC膜3の表面に開口されるように形成される。具体的には、配線本体部用凹部15は、例えばRIE法によりその深さが約360nmとなるように形成される。
【0031】
また、ダミー配線用凹部13は、第1層目のCuダミー配線10の上面のすべてを露出させるように形成される。したがって、ダミー配線用凹部13も、第2層目のSiC膜3および低比誘電率膜2ならびに第1層目のSiC膜11を貫通して形成される。具体的には、ダミー配線用凹部13は、例えばRIE法によりその深さが約660nmとなるように、かつ、その幅が第1層目のダミー配線用凹部6と略同じ大きさになるように形成される。
【0032】
次に、図2(c)に示すように、第2層目のSiC膜3の表面上、配線用凹部12の内側、およびダミー配線用凹部13の内側に、第2層目のバリアメタル膜としてのTaN膜7をその膜厚が約20nmとなるように設ける。続けて、第2層目のTaN膜7の表面上に、Cu配線16およびCuダミー配線17となるCuを設ける。具体的には、Cu膜8を、その膜厚が約800nmとなるように第2層目のTaN膜7の表面上に設ける。これら第2層目のTaN膜7およびCu膜8は、例えばスパッタリング法および鍍金により形成される。
【0033】
次に、図3(a)に示すように、不要なTaN膜7およびCu膜8を除去する。具体的には、CMP法を用いて、第2層目のSiC膜3上のTaN膜7およびCu膜8を研磨して除去する。これにより、配線用凹部12の外側およびダミー配線用凹部13の外側の不要なTaN膜7およびCu膜8を除去して、配線用凹部12の内側およびダミー配線用凹部13の内側のみにTaN膜7およびCu膜8を残す。つまり、配線用凹部12およびダミー配線用凹部13の内側にのみバリアメタル膜となるTaN膜7、ならびに配線16およびダミー配線17となるCu膜8が埋め込まれる。この結果、第2層目のSiC膜3および低比誘電率膜2ならびに第1層目のSiC膜11を略貫通して、Cu配線16およびCuダミー配線17が形成される。なお、図3(a)は、図3(b)中一点鎖線X−Xに沿って示す断面図である。図3(b)は、第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17が形成された多層配線構造の一部を、その上方から臨んで示す平面図である。また、図3(b)においては、第1層目のCu配線9およびCuダミー配線10、ならびに第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17のそれぞれの相対的な関係を分かり易くするために、それら各配線9,10,16,17などの形成位置、寸法、および形状などを実際とは意図的にずらして描いて示してある。
【0034】
ここで、CMP工程により第2層目のCu配線16を形成する際に、併せて本実施形態のCuダミー配線17を形成する場合と、第1層目のCuダミー配線10と不連続なダミー配線24を形成する場合との違いについて説明する。第1層目のCuダミー配線10と不連続なダミー配線24は、図5(b)に示すように、第2層目の層間絶縁膜4を貫通しないダミー配線用凹部23内に形成される。本発明者らが行った実験によれば、不連続なダミー配線24を形成する場合、図5(b)に示すように、第1研磨を行っている最中に第1層目のSiC膜11と第2層目の低比誘電率膜2との界面で膜剥がれが生じた。すなわち、第1層目と第2層目との層間で膜剥がれが生じた。ところが、Cuダミー配線17を形成する本実施形態の場合、図3(a)に示すように、第1研磨はもちろんのこと、第2研磨を終了しても各層内および各層間で膜剥がれは殆ど生じなかった。これは、次のように説明できる。
【0035】
第2層目のSiC膜3から第1層目のSiC膜11にかけてCuダミー配線17を形成することにより、第2層目のSiC膜3および低比誘電率膜2ならびに第1層目のSiC膜11と、Cuダミー配線17とがTaN膜7を介して間接的に接触する。これにより、第1層目のCuダミー配線10を形成する場合と同様に、第2層目のSiC膜3、第2層目の低比誘電率膜2、および第1層目のSiC膜11は、それぞれCuダミー配線17およびTaN膜7を介して実質的に接続される。この結果、第2層目のSiC膜3、第2層目の低比誘電率膜2、および第1層目のSiC膜11のそれぞれの界面における密着力は、CMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上される。すなわち、第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17を形成する際の、CMP工程における機械的なストレスに対する第2層目の層間絶縁膜4および第1層目のSiC膜11の耐久性が向上され、各絶縁膜3,2,11間における膜剥がれが低減される。
【0036】
また、第2層目のCuダミー配線17は、図3(a)に示すように、第2層目のTaN膜7を介して第1層目のCuダミー配線10と積層方向において連続するように形成される。第2層目のCuダミー配線17および第1層目のCuダミー配線10はCuから形成されているとともに、金属元素のTaを主成分とするTaN膜7を介して間接的に接触している。したがって、第2層目のCuダミー配線17と第1層目のCuダミー配線10との密着力はCMPの物理的な負荷に十分耐え得る大きさになっている。また、第1層目のSiC膜11と第1層目のSiC膜3とは、それぞれ第2層目のCuダミー配線17およびTaN膜7ならびに第1層目のCuダミー配線10を介して実質的に接続される。さらに、第1層目のSiC膜11と第1層目のSiC膜3とは同じ材料により形成されているので、それら各SiC膜3,11の界面における密着力はCMPの物理的な負荷に十分耐え得る大きさになっている。この結果、第2層目の低比誘電率膜2、第1層目のSiC膜11、および第1層目のSiC膜3のそれぞれの界面における密着力は、CMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上される。すなわち、第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17を形成する際の、CMP工程における機械的なストレスに対する第2層目の層間絶縁膜4および第1層目のSiC膜11の耐久性が向上され、第1層目と第2層目との間における膜剥がれが低減される。
【0037】
このように、第1層目のCuダミー配線10に連続するように形成される第2層目のCuダミー配線17によって、第1層目のSiC膜11、第2層目の低比誘電率膜2、および第2層目のSiC膜3のCMPに対する耐久性が向上される。この結果、第2層目の層内における膜剥がれはもちろんこと、第1層目と第2層目との層間における膜剥がれも低減される。
【0038】
本発明者らが行った実験によれば、第1層目のCuダミー配線10と同様に、第2層目のCuダミー配線17と各絶縁膜2,3,11との密着力は、それらの接触面積が大きい程強くなることが確認されている。また、第2層目のCuダミー配線17と第1層目のCuダミー配線10との密着力も、それらのTaN膜7を介した接触面積が大きい程強くなることが確認されている。さらに、第1層目のSiC膜11と第1層目のSiC膜3との密着力も、第2層目のCuダミー配線17と第1層目のCuダミー配線10とのTaN膜7を介した接触面積が大きい程強くなることが確認されている。
【0039】
この後、以上説明した第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17を形成する工程と同様の工程を2回繰り返す。これにより、第3層目のCu配線16およびCuダミー配線17、ならびに第4層目のCu配線16およびCuダミー配線17などを形成する。第4層目のCu配線16およびCuダミー配線17などを形成した後、第4層目のSiC膜3、Cu配線16、およびCuダミー配線17のそれぞれの表面上に第4層目のSiC膜11を設ける。これにより、図4(a)に示すように、所望の半導体装置20を得る。すなわち、4層の多層配線構造を有する本実施形態の半導体装置20を得る。
【0040】
次に、本実施形態に係るダミー配線の平面視におけるパターン形状、およびダミー配線の形成領域などについて説明する。
【0041】
先ず、ダミー配線の平面視におけるパターン形状について説明する。図6〜図9に、ダミー配線の平面視におけるパターン形状として好ましいパターン形状を示す。図6(a)〜(l)には、ダミー配線の平面視におけるパターン形状が線対称図形であるダミーパターン(dummy pattern)の例を示す。前述した半導体装置20においては、図6(a)に示すように、平面視がコ字形状のダミーパターンを採用した。また、図7(a)〜(h)には、ダミー配線の平面視におけるパターン形状が点対称図形であるダミーパターンの例を示す。また、図8(a)〜(c)には、ダミー配線の平面視におけるパターン形状が、2つのパターンの対として線対称図形となるダミーパターンの例を示す。さらに、図9(a)〜(c)には、ダミー配線の平面視におけるパターン形状が、2つのパターンの対として点対称図形となるダミーパターンの例を示す。
【0042】
このように、本実施形態で好ましく用いられるダミー配線は、その単体の平面視におけるパターン形状が非直線形状に形成されている。特に、本実施形態で用いられ得るダミー配線のうちの幾つかは、その単体の平面視におけるパターン形状が、図形、文字、および数字のうちの少なくとも1種類を模した形状に形成される。これらのパターン形状を有するダミー配線は構成が簡素なので形成し易いとともに、CMPによる機械的ストレスなどの大きな応力(外力)に容易に耐えることができる。
【0043】
本実施形態において好ましくは、前述したような単体もしくは対として線対称または点対称となる形状を有するダミーパターンを用いてダミー配線を形成する。これにより、非対称な形状を有するダミーパターンを用いてダミー配線を形成する場合に比べて、CMP工程において発生する様々な方向へのCMPストレスに対する抗力(耐力)を向上できる。また、本発明者らが行った実験によれば、CMPストレスに対する耐力は、線対称図形よりも点対称図形の方が大きいことが分かっている。
【0044】
また、本発明者らが行った実験によれば、ダミー配線の平面視におけるパターン形状として、例えば円環形状、楕円環形状、あるいは長円環形状などはたとえ対称図形であっても好ましくないことが分かった。同様に、三角枠形状、あるいは四角枠形状などの多角枠形状も好ましくないことが分かった。これらのパターン形状は、ダミー配線の内側(内部)に低比誘電率膜などを閉じ込めて、ダミー配線の外側の低比誘電率膜などと分離させる形状である。すなわち、ダミー配線およびその内側の低比誘電率膜などに加えられたCMPストレスをダミー配線の外側(外部)に解放することができない、いわゆる閉じた系のパターン形状である。このような閉じた系のパターン形状からなるダミー配線にCMPストレスが加わると、CMPストレスをパターンの外部に逃がすことができないので、ダミー配線の内側でCMPストレスによる膜破壊が生じ易い。あるいは、ダミー配線の内側で膜剥がれが生じなくとも、ダミー配線の内側の膜にせん断破壊が生じている可能性がある。このような破壊された膜は、多層配線構造を形成する工程を経ていく間に、膜剥がれの核となる可能性を有している。
【0045】
さらに、ダミー配線の平面視におけるパターン形状は、たとえその内側に低比誘電率膜などを閉じ込める形状でなくとも、前述したような閉じた系の内側(内部)を配線材料で略完全に埋め込むような形状は好ましくない。すなわち、円形状、楕円形状、長円形状、三角形状、あるいは四角形状などは好ましくない。このような形状でも、前述したような閉じた系と同様の作用によりダミー配線自体にCMPストレスが集中し、膜破壊などが生じ易い。
【0046】
したがって、本実施形態のダミー配線の平面視におけるパターン形状は、ダミー配線の内側の低比誘電率膜などがダミー配線の外側の低比誘電率膜などと連続している形状であることが好ましい。すなわち、本実施形態のダミー配線の平面視におけるパターン形状は、ダミー配線およびその内側の低比誘電率膜などに加えられたCMPストレスをダミー配線の外側に解放することができる、いわゆる開いた系のパターン形状であることが好ましい。
【0047】
このように、本実施形態のダミー配線は、図6〜図9に列挙した図例のように、簡素な形状で対称性を有するともに、開いた系からなるパターン形状を有していることが好ましい。なお、本発明者らが行った実験によれば、前述したせん断などによる膜破壊は、ダミー配線の寸法がおおよそ1μm以下の場合に顕著に現われることが分かっている。すなわち閉じた系のパターン形状であっても、ダミー配線の寸法が約1μmよりも大きい場合には、前述した膜破壊を生じ難くすることが可能である。
【0048】
次に、ダミー配線の形成領域などについて、図4(b)を参照しつつ説明する。図4(b)は、図4(a)に示す第1実施形態の半導体装置20を、その上方から臨んで示す平面図である。ただし、ダミー配線の形成領域などを理解し易いように、Cu配線16(9)およびCuダミー配線17(10)の本数、形成位置、寸法、および形状などは、図4(a)と図4(b)とで意図的に相違させて描いて示してある。
【0049】
本発明者らが行った実験によれば、CMP工程による膜剥がれは、配線形成領域(実効配線部)およびその極近傍では殆ど生じないことが分かった。一方、配線形成領域から約100μm以内に、配線やダミー配線などが何も形成されていないフィールド部(field部)で殆どの膜剥がれが生じていることが分かった。したがって、配線形成領域の周りの約100×100μm2の領域中に、何がしかの構造物が存在すると、膜剥がれが生じ難くなることが予想される。本発明者らが行った実験によれば、例えば配線形成領域の周りの約100×100μm2のフィールド部中に少なくとも約0.01×0.01μm2の範囲でダミー配線を形成すれば、膜剥がれがより生じ難くなることが分かった。以下、具体例を挙げて説明する。
【0050】
前述した本実施形態の半導体装置の製造工程においては、理解を容易にするためにCu配線16(9)およびCuダミー配線17(10)が第1〜第4の各層の一箇所ずつに形成されるものとして説明した。しかし、実際の半導体装置の製造工程においては、図4(b)に示すように、Cu配線16(9)およびCuダミー配線17(10)は第1〜第4の各層の複数箇所に形成される。ここでは、第1〜第4の各層に複数本のCu配線16(9)がまとまって形成されるものとして説明する。また、第1〜第4の各層のフィールド部内に複数本のCuダミー配線17(10)がまとまって形成されるものとして説明する。
【0051】
例えば、図4(b)に示すように、第1〜第4の各層の所定の領域に複数本のCu配線16(9)がまとまって形成されている。これらの各層のCu配線16(9)が形成されている領域を配線形成領域とする。図4(b)中一点鎖線で囲んで示すように、配線形成領域の右側に隣接する領域が、本来、配線などが形成されないフィールド部21となる。ここで、各層のフィールド部21のLfおよびWfで示す部分の寸法を、それぞれ約100μmとする。すなわち、各層のフィールド部21の面積を約100×100μm2とする。これら各層のフィールド部21内に、複数本のCuダミー配線17(10)を形成する。具体的には、図4(b)中二点鎖線で囲んで示すように、各層のフィールド部21内の一部の領域に複数本のCuダミー配線17(10)をまとめて形成する。この各層のCuダミー配線17(10)を形成する領域をダミー配線形成領域22とする。そして、各層のダミー配線形成領域22のLdおよびWdで示す部分の寸法を、それぞれ少なくとも約0.01μmとする。すなわち、各層のダミー配線形成領域22の面積を少なくとも約0.01×0.01μm2とする。この設定によれば、各層のダミー配線形成領域22の面積は、各層のフィールド部21の面積の少なくとも約0.0001%を占有する大きさとなる。
【0052】
このような設定に基づいて、各層に複数本のCuダミー配線17(10)を形成することにより、各層のフィールド部21における膜剥がれ、および各層間の膜剥がれをより低減できる。また、図4(b)に示すように、複数本のCuダミー配線17(10)全体の配置パターンの形状が対称性を有するように、各層の各Cuダミー配線17(10)を形成するとよい。より好ましくは、Cuダミー配線17(10)全体の配置パターンの形状が点対称性を有するように、各層の各Cuダミー配線17(10)を形成するとよい。これにより、CMPストレスに対する抗力をより向上できる。
【0053】
ただし、図4(b)においては、各Cu配線16(9)および各Cuダミー配線17(10)の寸法や相対的な大きさ、ならびに各Cuダミー配線17(10)の配置パターンの形状などは、実際の各Cu配線16(9)および各Cuダミー配線17(10)の寸法や相対的な大きさ、ならびに各Cuダミー配線17(10)の配置パターンの形状などと一致していない。図面を見易くして本発明の趣旨を理解し易くするために、各Cu配線16(9)および各Cuダミー配線17(10)の寸法や相対的な大きさ、ならびに各Cuダミー配線17(10)の配置パターンの形状などを、実際の各Cu配線16(9)および各Cuダミー配線17(10)の寸法や相対的な大きさ、ならびに各Cuダミー配線17(10)の配置パターンの形状などと相違させて描いて示してある。
【0054】
以上説明したように、この第1実施形態によれば、第1層目〜第4層目の各層間絶縁膜4を形成している各SiC膜3から各低比誘電率膜2にかけてCuダミー配線17(10)を形成する。それとともに、各層のCuダミー配線17(10)が積層方向において連続するように、第2層目〜第4層目の各層間絶縁膜4および第1層目〜第3層目のSiC膜11を略貫通して各Cuダミー配線17(10)を形成する。これにより、各層の低比誘電率膜2およびSiC膜3とCuダミー配線17(10)との接触面積を増加させて、各層の低比誘電率膜2とSiC膜3との密着力を向上させることができる。また、各層間におけるSiC膜11を介した各層間絶縁膜4同士の密着力を向上させることができる。
【0055】
この結果、層間絶縁膜4の積層数に係らず、CMPストレスに対する層間絶縁膜4の耐久性の向上を図ることができ、各層内および各層間における膜剥がれを低減できる。すなわち、剥がれ易い各絶縁膜2,3,11を、それらの界面の密着力を向上できる異種材料を用いて実質的に繋ぎ合わせることにより、各層内および各層間における膜剥がれなどを低減できる。ひいては、半導体装置20の品質を向上させることができる。この効果は、特にシステムLSIや、高速ロジックLSIなどの次世代LSIで必須の高性能多層配線を形成する際に極めて有効である。また、各Cu配線9,16および各Cuダミー配線10,17を同じ材料および同じ方法で並行して形成することにより、半導体装置20の製造工程を簡素化して半導体装置20の製造コストの低減や生産効率の向上などを図ることができる。
【0056】
(第2の実施の形態)
次に、本発明に係る第2実施形態を図10を参照しつつ説明する。図10は、本実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図である。ただし、本来の配線の図示を省略している。なお、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0057】
本実施形態では、図10に示すように、半導体基板1の表面と連続するように第1層目のCuダミー配線33を形成する。それとともに、第1層目〜第4層目の各層間絶縁膜4の積層方向に沿って各層の各Cuダミー配線33が連続するように第2層目〜第4層目の各Cuダミー配線33を形成する。以下、具体的に説明する。
【0058】
先ず、半導体基板1の表面上に第1層目の層間絶縁膜4を設ける。続けて、半導体基板1の表面を露出するように、第1層目の層間絶縁膜4をその厚さ方向に沿って貫通して第1層目のダミー配線用凹部32を形成する。そして、このダミー配線用凹部32内にTaN膜7およびCu膜8を設けた後、CMP処理を行う。これにより、半導体基板1の表面と連続するように、第1層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して、第1層目のCuダミー配線33が形成される。
【0059】
次に、第1層目のCuダミー配線33が形成された第1層目のSiC膜3の表面上に第1層目の酸化・拡散防止膜としてのSiC膜11を設ける。続けて、SiC膜11の表面上に第2層目の層間絶縁膜4を設ける。続けて、第1層目のCuダミー配線33の表面を露出するように、第2層目の層間絶縁膜4および第1層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って貫通して、第2層目のダミー配線用凹部32を形成する。そして、このダミー配線用凹部32内にTaN膜7およびCu膜8を設けた後、CMP処理を行う。これにより、第1層目のCuダミー配線33と連続するように、第2層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3ならびに第1層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して、第2層目のCuダミー配線33が形成される。
【0060】
以後、第2層目のCuダミー配線33を形成する工程を2回繰り返すことにより、第3層目および第4層目のCuダミー配線33を形成する。この後、第4層目のCuダミー配線33が形成された第4層目のSiC膜3の表面上に第4層目の酸化・拡散防止膜としてのSiC膜11を設ける。これにより、所望の半導体装置31を得る。すなわち、第1層目〜第4層目の各Cuダミー配線33が層間絶縁膜4の積層方向に沿って連続するように、かつ、第1層目のCuダミー配線33が半導体基板1と連続するように形成された4層の多層配線構造を有する半導体装置31を得る。なお、本実施形態においては、第1層目〜第4層目の各層間絶縁膜4に、Cuダミー配線33を2本ずつ並べて形成する。
【0061】
以上説明したように、この第2実施形態によれば、前述した第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第1層目の2本のCuダミー配線33が半導体基板1の表面と連続するように形成されているので、半導体基板1と第1層目の層間絶縁膜4との密着力が向上されている。これにより、CMPストレスによる半導体基板1と第1層目の層間絶縁膜4との界面における膜剥がれが生じ難くなっている。ひいては、半導体基板1と第2層目〜第4層目の各層間絶縁膜4との密着力が向上されて、第1層目〜第4層目の各層内もしくは各層間における膜剥がれなどをより低減させている。
【0062】
(第3の実施の形態)
次に、本発明に係る第3実施形態を図11を参照しつつ説明する。図11は、本実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図である。ただし、本来の配線の図示を省略している。なお、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0063】
本実施形態では、図11に示すように、積層方向に沿って連続する3層の各Cuダミー配線によって、Cuダミー配線の組を2組形成する。この際、それぞれのCuダミー配線の組の断面視がいわゆるコ字形状となるように、各Cuダミー配線を形成する。また、各ダミー配線の組は、それぞれの組自体が対称性を有する形状に形成される。それとともに、各ダミー配線の組は、対として互いに対称性を有する位置に形成される。以下、具体的に説明する。
【0064】
先ず、半導体基板1の表面上に第1層目の層間絶縁膜4を設ける。続けて、第1層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3にかけて、第1層目のダミー配線用凹部42を形成する。この際、第1層目のダミー配線用凹部42を、その低比誘電率膜2とSiC膜3との界面付近で層間絶縁膜4(SiC膜3)の表面に沿って広がるように形成する。つまり、このダミー配線用凹部42を、その幅が略一定の大きさからなる浅底形状に形成する。そして、このダミー配線用凹部42内にTaN膜7およびCu膜8を設けた後、CMP処理を行う。これにより、SiC膜3を貫通して低比誘電率膜2の内部にかけて、SiC膜3と低比誘電率膜2との界面付近でSiC膜3の表面に沿って広がる形状を有する第1層目のCuダミー配線43が形成される。
【0065】
次に、第1層目のCuダミー配線43が形成された第1層目のSiC膜3の表面上に第1層目の酸化・拡散防止膜としてのSiC膜11を設ける。続けて、SiC膜11の表面上に第2層目の層間絶縁膜4を設ける。続けて、第1層目のCuダミー配線43の表面の一部を露出するように、第2層目の層間絶縁膜4および第1層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って貫通して第2層目のダミー配線用凹部44を形成する。そして、このダミー配線用凹部42内にTaN膜7およびCu膜8を設けた後、CMP処理を行う。これにより、第1層目のCuダミー配線43と連続するように、第2層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3ならびに第1層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して、第2層目のCuダミー配線45が形成される。第1層目のCuダミー配線43と実質的に連続する第2層目のCuダミー配線45は、第1層目のCuダミー配線43に比べてアスペクト比が高い縦長形状に形成されている。
【0066】
また、第2層目の層間絶縁膜4には、第1層目のCuダミー配線43と略同じCuダミー配線43を、第2層目のCuダミー配線45と別体に形成する。具体的には、第2層目のCuダミー配線43の一部と第1層目のCuダミー配線43の一部とが、積層方向において互いに重なり合う位置にCuダミー配線43を形成する。ここで、第2層目のCuダミー配線43と第1層目のCuダミー配線43とが積層方向において互いに重なり合う範囲を図11中Yで示す。
【0067】
次に、第2層目の2本のCuダミー配線45,43が形成された第2層目のSiC膜3の表面上に第2層目のSiC膜11を設ける。続けて、第2層目のSiC膜11の表面上に第3層目の層間絶縁膜4を設ける。続けて、第2層目のCuダミー配線45の表面を露出するように、第3層目の層間絶縁膜4および第2層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って貫通して、第3層目のダミー配線用凹部46を形成する。この際、第3層目のダミー配線用凹部46を、そのSiC膜3側が低比誘電率膜2側よりも層間絶縁膜4(SiC膜3)の表面に沿って広がるように形成する。具体的には、第3層目のダミー配線用凹部46を、そのSiC膜3と低比誘電率膜2との界面付近が、その下側の部分よりもSiC膜3の表面に沿って広がるように形成する。つまり、このダミー配線用凹部46を、その下部が積層方向に沿って延びるように、かつ、その上部がSiC膜3の表面に沿って広がるように、第3層目の層間絶縁膜4をその厚さ方向に沿って貫通して形成する。また、ダミー配線用凹部46の下部に対する上部の延びる向きは、第2層目のCuダミー配線45に対する第1層目のCuダミー配線43の延びる向きと一致させる。それとともに、ダミー配線用凹部46の上部のSiC膜3の表面に沿った長さは、第1層目のCuダミー配線43の幅と略同じ大きさに形成する。さらに、ダミー配線用凹部46の上部の深さは、第1層目のCuダミー配線43の深さと略同じ大きさに形成する。
【0068】
次に、このダミー配線用凹部46内にTaN膜7およびCu膜8を設けた後、CMP処理を行う。これにより、第3層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3ならびに第2層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して、かつ、SiC膜3と低比誘電率膜2との界面付近がSiC膜3の表面に沿って広がる形状を有する第3層目のCuダミー配線47が形成される。また、この第3層目のCuダミー配線47は、第2層目のCuダミー配線45と連続するように形成される。
【0069】
また、第3層目の層間絶縁膜4には、第2層目のCuダミー配線45と略同じCuダミー配線45を、第3層目のCuダミー配線47と別体に形成する。この第3層目のCuダミー配線45は、第2層目のCuダミー配線43と連続するように形成される。具体的には、この第3層目のCuダミー配線45と第2層目のCuダミー配線43との相対的な位置関係が、第2層目のCuダミー配線45と第1層目のCuダミー配線43との相対的な位置関係と対称性を有するような位置に第3層目のCuダミー配線45を形成する。
【0070】
これまでの工程により、積層方向に沿って実質的に連続する、横長形状の第1層目のCuダミー配線43、縦長形状の第2層目のCuダミー配線45、および下部が縦長形状で上部が横長形状の第3層目のCuダミー配線47からなる一組のダミー配線の組を形成する。この第1層目〜第3層目の層間絶縁膜4に形成されたダミー配線の組は、図11に示すように、その断面視がいわゆるコ字形状に形成されている。また、このダミー配線の組は、第2層目のCuダミー配線45の高さ方向の略半分の位置を対称中心として、上下方向に線対称な形状に形成されている。
【0071】
次に、第3層目の2本のCuダミー配線47,45が形成された第3層目のSiC膜3の表面上に第3層目のSiC膜11を設ける。続けて、第3層目のSiC膜11の表面上に第4層目の層間絶縁膜4を設ける。続けて、第3層目のCuダミー配線45の表面を露出するように、第4層目の層間絶縁膜4および第3層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って貫通して、第4層目のダミー配線用凹部48を形成する。この第4層目のダミー配線用凹部48は、第3層目のダミー配線用凹部46と略同じ大きさおよび形状を有する。ただし、この第4層目のダミー配線用凹部48は、その下部に対する上部の延びる向きが第3層目のダミー配線用凹部46の下部に対する上部の延びる向きと逆向きに形成される。そして、この第4層目のダミー配線用凹部48内にTaN膜7およびCu膜8を設けた後、CMP処理を行う。これにより、第4層目の低比誘電率膜2およびSiC膜3ならびに第3層目のSiC膜11をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して、かつ、SiC膜3と低比誘電率膜2との界面付近がSiC膜3の表面に沿って広がる形状を有する第4層目のCuダミー配線49が形成される。また、この第4層目のCuダミー配線49は、第3層目のCuダミー配線45と連続するように形成される。
【0072】
これまでの工程により、積層方向に沿って実質的に連続する、横長形状の第2層目のCuダミー配線43、縦長形状の第3層目のCuダミー配線45、および下部が縦長形状で上部が横長形状の第4層目のCuダミー配線49からなる一組のダミー配線の組を形成する。ここで、前述した第1層目〜第3層目の層間絶縁膜4に形成されたダミー配線の組を一方のダミー配線の組、もしくは第1のダミー配線の組と称することとする。それとともに、第1のダミー配線の組に対して1層上層にずらされて、第2層目〜第4層目の層間絶縁膜4に形成されたダミー配線の組を他方のダミー配線の組、もしくは第2のダミー配線の組と称することとする。この第2のダミー配線の組も、前述した第1のダミー配線の組と同様に、その断面視がいわゆるコ字形状に形成されている。また、この第2のダミー配線の組は、第3層目のCuダミー配線45の高さ方向の略半分の位置を対称中心として、上下方向に線対称な形状に形成されている。ただし、この第2のダミー配線の組と第1のダミー配線の組とは、それらの断面視が互いに反対向きのコ字形状となるように形成されている。
【0073】
このような設定によれば、第1のダミー配線の組と第2のダミー配線の組とは、図11に示すように、積層方向で嵌合するように形成されている。具体的には、第1のダミー配線の組の上下両端部のCuダミー配線43,47と、第2のダミー配線の組の上下両端部のCuダミー配線43,49とは、図11中Yで示す範囲内で積層方向において互いに重なり合っている。また、第1のダミー配線の組と第2のダミー配線の組とは、図11中Yで示す範囲の中心部、かつ、第3層目の低比誘電率膜2の厚さ方向の中心部を対称中心として、互いに点対称となる位置に形成されている。
【0074】
第4層目のCuダミー配線49、すなわち第2のダミー配線の組の上端部のCuダミー配線49を形成した後、第4層目のSiC膜3の表面上に第4層目のSiC膜11を設ける。これにより、所望の半導体装置41を得る。すなわち、一対の第1のダミー配線の組および第2のダミー配線の組が、それぞれの組自体が線対称な形状に形成されているとともに、互いに点対称となる位置に形成されており、かつ、積層方向において互いに部分的に重なり合う位置に形成された4層の多層配線構造を有する半導体装置41を得る。
【0075】
以上説明したように、この第3実施形態によれば、前述した第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、一対の第1および第2のダミー配線の組が、それぞれの組自体が線対称な形状に形成されているとともに、互いに点対称となる位置に形成されている。これにより、各Cuダミー配線43,45,47,49に対してCMPストレスが均等に掛かり易い。すなわち、各Cuダミー配線43,45,47,49のうちの特定のCuダミー配線にCMPストレスが集中するおそれが殆ど無い。したがって、CMPストレスを各Cuダミー配線43,45,47,49で略均等に受け止めて、逃がすことができる。
【0076】
さらに、第1および第2のダミー配線の組は、積層方向において互いに部分的に重なり合う位置に形成されている。これにより、各Cuダミー配線43,45,47,49は、CMPストレスによる各絶縁膜2,3,11を互いに引き離す力に対する耐力(抗力)をより強く発揮することができる。すなわち、各層内および各層間における各絶縁膜2,3,11同士の密着力がより向上されている。特に、各SiC膜3の表面に沿って広がる部分を有する各Cuダミー配線43,47,49が形成されている層間絶縁膜4においては、低比誘電率膜2とSiC膜3との界面における密着力が大幅に向上されている。本実施形態では、第1層目〜第4層目の全ての層間絶縁膜4に各Cuダミー配線43,47,49のうちのいずれかが形成されているので、全ての層間絶縁膜4で低比誘電率膜2とSiC膜3との密着力が大幅に向上されている。
【0077】
したがって、この第3実施形態によれば、第1層目〜第4層目の各層内もしくは各層間における膜剥がれなどがさらに低減されている。
【0078】
(第4の実施の形態)
次に、本発明に係る第4実施形態を図12を参照しつつ説明する。図12は、本実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図である。ただし、本来の配線の図示を省略している。なお、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0079】
本実施形態では、図12に示すように、積層方向に沿って連続する3層ないしは4層の各Cuダミー配線によって、Cuダミー配線の組を複数組形成する。具体的には、前述した第3実施形態のダミー配線の組を、10層を超える多層配線構造を有する半導体装置に応用するものである。以下、具体的に説明する。
【0080】
先ず、第1層目〜第3層目の層間絶縁膜4には、第3実施形態の第1のダミー配線の組を形成する。すなわち、第1層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線43を、第2層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線45を、そして第3層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線47をそれぞれ形成する。
【0081】
次に、第2層目〜第5層目の層間絶縁膜4に、新たなダミー配線の組を形成する。この新たなダミー配線の組を、第3のダミー配線の組と称することとする。この第3のダミー配線の組は、具体的には、第3実施形態の第2のダミー配線の組を積層方向に沿って1層分延長して形成したダミー配線の組である。つまり、この第3のダミー配線の組は、第2のダミー配線の組の下端部であるCuダミー配線43と上端部であるCuダミー配線49との間に、Cuダミー配線45を2層分形成して構成されている。したがって、第2層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線43を、第3層目および第4層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線45を、そして第5層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線49をそれぞれ形成する。これにより、第3のダミー配線の組が形成される。
【0082】
次に、第2層目〜第5層目の層間絶縁膜4に形成した第3のダミー配線の組と対をなす他のダミー配線の組を第4層目〜第7層目の層間絶縁膜4に形成する。この第3のダミー配線の組と対をなす他のダミー配線の組を、第4のダミー配線の組と称することとする。この第4のダミー配線の組は、具体的には、第3のダミー配線の組とは断面視が反対向きのコ字形状となるように形成して、かつ、第3のダミー配線の組よりも2層上層にずらして形成したダミー配線の組である。つまり、第3実施形態において説明した第1のダミー配線の組と第2のダミー配線の組との関係と同様に、第3のダミー配線の組と第4のダミー配線の組とは、それぞれの組自体が線対称な形状に形成されているとともに、互いに点対称となる位置に形成されている。したがって、第4層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線43を、第5層目および第6層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線45を、そして第7層目の層間絶縁膜4にはCuダミー配線47をそれぞれ形成する。これにより、第4のダミー配線の組が形成される。
【0083】
以後、同様の手順により、第3のダミー配線の組と第4のダミー配線の組とを積層方向に沿って交互に形成する。なお、第1のダミー配線の組、第3のダミー配線の組、および第4のダミー配線の組は、第3実施形態において説明した第1のダミー配線の組と第2のダミー配線の組との位置関係と同様に、積層方向において互いに部分的に重なり合う位置に形成される。第3のダミー配線の組あるいは第4のダミー配線の組を構成する、各Cuダミー配線43,45,47,49のいずれかが図示しない最上層の層間絶縁膜に形成されることにより、Cuダミー配線43,45,47,49の形成を終了とする。図示しない最上層のCuダミー配線を形成した後、図示しない最上層のSiC膜の表面上に最上層の酸化・拡散防止膜としてのSiC膜を設ける。これにより、所望の半導体装置51を得る。すなわち、第1のダミー配線の組、第3のダミー配線の組、および第4のダミー配線の組が積層方向に沿って3組以上形成された、10層を超える多層配線構造を有する半導体装置51を得る。
【0084】
以上説明したように、この第4実施形態によれば、前述した第1実施形態および第3実施形態と同様の効果を得ることができる。また、10層を超える多層配線構造を有する半導体装置51を製造する場合においても、第3実施形態と同様のダミー配線構造を適用することができる。したがって、この第4実施形態によれば、10層を超える多層配線構造においても、全ての層内もしくは各層間における膜剥がれなどが極めて低減されている。
【0085】
(第5の実施の形態)
次に、本発明に係る第5実施形態を図13を参照しつつ説明する。図13は、本実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図である。ただし、本来の配線の図示を省略している。なお、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0086】
本実施形態では、図13に示すように、第3実施形態もしくは第4実施形態のダミー配線の組を、第2実施形態と同様に半導体基板に連続するように形成する。以下、具体的に説明する。
【0087】
例えば、第3実施形態もしくは第4実施形態の第1のダミー配線の組の下端部を構成するCuダミー配線を、その組の上端部と同様のCuダミー配線47となるように形成する。それとともに、第3実施形態の第2のダミー配線の組、もしくは第4実施形態の第3のダミー配線の組を形成するのに先立って、第1層目の層間絶縁膜4にCuダミー配線45を形成する。このCuダミー配線45は、第2のダミー配線の組もしくは第3のダミー配線の組を構成するCuダミー配線45と積層方向において略一直線上に重なる位置に形成される。そして、第2のダミー配線の組もしくは第3のダミー配線の組のそれぞれの下端部を構成するCuダミー配線を、それら各組の上端部と同様のCuダミー配線49となるように形成する。
【0088】
以後は、第3実施形態もしくは第4実施形態と同様の手順により、所望の半導体装置61を得る。すなわち、第1のダミー配線の組と、第2のダミー配線の組あるいは第3のダミー配線の組とが、実質的に半導体基板1と接続されたダミー配線構造を有する半導体装置61を得る。
【0089】
以上説明したように、この第5実施形態によれば、前述した第1実施形態、第3実施形態、および第4実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導体装置61の下層部に形成されている第1のダミー配線の組、第2のダミー配線の組、もしくは第3のダミー配線の組は、実質的に半導体基板1と接続されている。これにより、半導体基板1と第1層目の層間絶縁膜4との界面における密着力も含めて、各層内および各層間における各絶縁膜2,3,11同士の密着力をさらに向上できる。したがって、この第5実施形態によれば、CMPストレスに対する耐力をさらに向上させて、10層を超える多層配線構造を有する半導体装置61を製造する場合においても、全ての層内もしくは各層間における膜剥がれなどが極めて低減されている。
【0090】
(第6の実施の形態)
次に、本発明に係る第6実施形態を、図1および図14を参照しつつ説明する。図14は、本実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図である。なお、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【0091】
本実施形態では、前述した第1〜第5の各実施形態において採用した層間絶縁膜4としてのSiC膜3と酸化・拡散防止膜としてのSiC膜11とを実質的に一体化させて低比誘電率膜2の上に設ける。すなわち、図14に示すように、各層のSiC膜72を1層構造として形成する。以下、具体的に説明する。
【0092】
先ず、図1(c)に示すように、第1層目の層間絶縁膜4上にTaN膜7およびCu膜8を設ける。続けて、第1層目の配線用凹部5およびダミー配線用凹部6内にのみTaN膜7およびCu膜8を残すように、CMP処理を行う。この際、配線用凹部5およびダミー配線用凹部6の外側のTaN膜7およびCu膜8とともに、第1層目のSiC膜3も研磨して除去する。これにより、図14に示すように、第1層目のCu配線9およびCuダミー配線10を第1層目の低比誘電率膜2の内部に形成する。この後、第1層目の低比誘電率膜2の表面上に、Cu配線9およびCuダミー配線10の露出表面を覆うように第4の絶縁膜72を設ける。具体的には、第1層目の酸化・拡散防止膜としてのSiC膜72を設ける。すなわち、第4の絶縁膜72は、第1〜第5の各実施形態において採用した第2の絶縁膜3(SiC膜3)と実質的に同じ膜である。本実施形態においては、後述する第2層〜第4層の各層間絶縁膜を、実質的に低比誘電率膜2とSiC膜72とによって構成する。また、第1層目の層間絶縁膜は、実質的に第1層目の低比誘電率膜2のみから構成される。
【0093】
次に、第1層目のSiC膜72の表面上に、第2層目の低比誘電率膜2および図示しない第2層目のSiC膜を設ける。続けて、第1層目のCu配線9および第1層目のCuダミー配線10の表面を露出するように、第2層目の低比誘電率膜2および第2層目のSiC膜を貫通して第2層目の配線用凹部12およびダミー配線用凹部13を形成する。続けて、第2層目のSiC膜の表面上、第2層目の配線用凹部12の内側、およびダミー配線用凹部13の内側にTaN膜7およびCu膜8を設ける。続けて、配線用凹部12およびダミー配線用凹部13内にのみTaN膜7およびCu膜8を残すように、CMP処理を行う。この際、配線用凹部12およびダミー配線用凹部13の外側のTaN膜7およびCu膜8とともに、第2層目のSiC膜も研磨して除去する。これにより、図14に示すように、第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17を、第1層目のSiC膜72および第2層目の低比誘電率膜2の内部に形成する。この後、第2層目の低比誘電率膜2の表面上に、Cu配線16およびCuダミー配線17の露出表面を覆うように第2層目のSiC膜72を設ける。
【0094】
以後、第2層目のCu配線16およびCuダミー配線17を形成する工程を2回繰り返すことにより、第3層目および第4層目のCu配線16およびCuダミー配線17を形成する。この後、第4層目のCu配線16およびCuダミー配線17が形成された第4層目の低比誘電率膜2の表面上に第4層目の酸化・拡散防止膜としてのSiC膜72を設ける。これにより、所望の半導体装置71を得る。すなわち、低比誘電率膜2単体、または低比誘電率膜2とSiC膜72との積層膜から構成される第1層目〜第4層目の各層間絶縁膜に、各Cu配線9,16および各Cuダミー配線10,17がそれぞれ積層方向に沿って連続するように形成された半導体装置71を得る。
【0095】
なお、CMP処理により低比誘電率膜2上のSiC膜を除去する工程から、低比誘電率膜2の表面上にSiC膜72を設ける工程までは、低比誘電率膜2が大気に曝露されない環境下で行うことが好ましい。例えば、それらの工程を窒素雰囲気下にて行うことが好ましい。これにより、低比誘電率膜2が酸化されたり、あるいは低比誘電率膜2が大気中の水分を余分に吸収したりするおそれを殆ど無くして、低比誘電率膜2の品質の劣化を抑制できる。
【0096】
以上説明したように、この第6実施形態によれば、前述した第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第1実施形態において低比誘電率膜2とともに層間絶縁膜4を形成していたSiC膜3をCMP処理により除去した後、低比誘電率膜2の表面上に新たに第4の絶縁膜(第2の絶縁膜)としてのSiC膜72を設ける。これにより、低比誘電率膜2の膜質を殆ど劣化させることなく、低比誘電率膜2とSiC膜3との界面における膜剥がれを実質的に無視してCMP処理を行うことができる。すなわち、各層の低比誘電率膜2の膜質を殆ど劣化させることなく、各層のCu配線9,16およびCuダミー配線10,17を形成する際のCMP工程を簡素化できる。
【0097】
なお、本発明に係る半導体装置および半導体装置の製造方法は、前述した第1〜第6の各実施形態には制約されない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。
【0098】
例えば、各層の配線を、シングルダマシン配線構造としても構わない。これに伴って各層のダミー配線を、上部および下部の2層構造に形成しても構わない。
【0099】
また、第3〜第5の各実施形態で採用したCuダミー配線47,49の上部の形状は、図11〜図12で示した形状には限られない。Cuダミー配線47,49の上部は、第2の絶縁膜であるSiC膜3の内部でのみSiC膜3の表面に沿って広がるように形成されても構わない。また、Cuダミー配線47,49は、いわゆるT字形状に形成されても構わない。同様に、Cuダミー配線43とCuダミー配線45とは、それらを併せた形状がT字形状となるように形成されても構わない。また、Cuダミー配線43とCuダミー配線47とは、層間絶縁膜の表面に沿って互いに反対の向きに延びるように形成されても構わない。同様に、Cuダミー配線43とCuダミー配線49とは、層間絶縁膜の表面に沿って互いに反対の向きに延びるように形成されても構わない。
【0100】
また、第6実施形態において形成した各Cuダミー配線10,17の形状や、それら各Cuダミー配線10,17全体の配置は、図14に示す形状や配置には限られない。例えば、第1層目のCuダミー配線10を、第2実施形態の半導体装置31のCuダミー配線33と同様の形状に形成しても構わない。あるいは第1層目〜第4層目の各Cuダミー配線10,17を、第3実施形態の半導体装置41の各Cuダミー配線43,45,47,49と同様の形状に形成しても構わない。また、半導体装置71を、第4実施形態の半導体装置51のように10層を超える多層配線構造に形成する。そして、各層の各Cuダミー配線10,17を、第4実施形態の各Cuダミー配線43,45,47,49と同様の形状に形成しても構わない。さらに、第1層目〜第3層目の各Cuダミー配線10,17を、第5実施形態の半導体装置61の各Cuダミー配線45,47,49と同様の形状に形成しても構わない。
【0101】
また、第1〜第6の各実施形態において、各配線および各ダミー配線をともに銅(Cu)により形成したが、これに限るものではない。例えば、Cu、Al、W、Ta、Nb、Ti、V、Ru、Moなどの金属元素のうちの1種類以上を主成分とする金属膜、あるいはこれらの元素を組み合わせた金属積層膜により形成しても構わない。また、配線とダミー配線とを互いに異なる導電材料によって形成しても構わない。少なくとも第1〜第4の各絶縁膜同士を実質的に接続して、それら各絶縁膜同士の密着力を向上させ、層間および層内における膜剥がれを低減できるる材料を用いてダミー配線を形成すればよい。
【0102】
また、低比誘電率膜である第1の絶縁膜としては、例えばポリシロキサン、ハイドロジェンシロセスキオキサン、ポリメチルシロキサン、メチルシロセスキオキサンなどのシロキサン骨格を有する膜や、ポリアリーレンエーテル、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾシクロブテンなどの有機樹脂を主成分とする膜や、あるいは多孔質シリカ膜などのポーラス膜などを挙げることができる。さらに、第2〜第4の各絶縁膜は、SiC膜には限られない。低比誘電率膜の膜質の劣化や、配線およびダミー配線の酸化および拡散などを防止できる材料を用いて形成すればよく、例えばSiO,SiOP,SiOF,SiON,SiCH,SiCN,SiOC,SiOCHなどを用いることができる。
【0103】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、基板上に設けられた第1の絶縁膜からこの第1の絶縁膜上に設けられた第2の絶縁膜にかけて形成されたダミー配線により、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とが実質的に接続されている。これにより、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面における密着力がCMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上されている。したがって、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性が向上されており、CMPによる膜剥がれが低減されている。
【0104】
また、本発明に係る半導体装置によれば、基板上に設けられた第n層目の層間絶縁膜に第n層目のダミー配線が形成されている。そして、この第n層目のダミー配線に連続するように、第n+1層目の層間絶縁膜をその厚さ方向に沿って略貫通して第n+1層目のダミー配線が形成されている。これにより、第n層目の層間絶縁膜と第n+1層目の層間絶縁膜とが、第n層目のダミー配線および第n+1層目のダミー配線によって実質的に接続されている。この結果、第n層目の層間絶縁膜と第n+1層目の層間絶縁膜との界面における密着力がCMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上されている。したがって、絶縁膜の積層数に拘らず、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性が向上されており、CMPによる膜剥がれが低減されている。
【0105】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、基板上に設けられた第1の絶縁膜の表面上に第2の絶縁膜を設けた後、第2の絶縁膜を貫通して第1の絶縁膜の内部にかけてダミー配線を形成する。これにより、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とをダミー配線によって実質的に接続して、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面における密着力をCMPの物理的な負荷に耐え得る大きさに向上させることができる。したがって、CMP工程における機械的なストレスに対する絶縁膜の耐久性が向上されて、CMPによる膜剥がれが低減された半導体装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図2】第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図。
【図3】第1実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図および平面図。
【図4】第1実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図および平面図。
【図5】層内または層間における絶縁膜の剥がれを示す断面図。
【図6】平面視におけるパターン形状が線対称図形であるダミー配線を示す平面図。
【図7】平面視におけるパターン形状が点対称図形であるダミー配線を示す平面図。
【図8】平面視におけるパターン形状が対として線対称図形となるダミー配線を示す平面図。
【図9】平面視におけるパターン形状が対として点対称図形となるダミー配線を示す平面図。
【図10】第2実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図。
【図11】第3実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図。
【図12】第4実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図。
【図13】第5実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図。
【図14】第6実施形態に係る半導体装置のダミー配線付近を示す断面図。
【符号の説明】
1…半導体基板
2…低比誘電率膜(第1の絶縁膜)
3…SiC膜(第2の絶縁膜)
4…層間絶縁膜
5,12…配線用凹部
6,13…ダミー配線用凹部
8…Cu膜(Cu配線、Cuダミー配線、導電材料)
9,16…Cu配線(実効配線、配線)
10,17,33,43,45,47,49…Cuダミー配線(ダミー配線)
11…SiC膜(第3の絶縁膜)
20,31,41,51,61,71…半導体装置
72…SiC膜(第2の絶縁膜、第4の絶縁膜)
Claims (24)
- 基板と、
この基板上に設けられ、比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の表面上に設けられ、比誘電率が前記所定の値よりも大きい第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて設けられた配線用凹部内に形成された配線と、
この配線が形成されている領域から所定の範囲内で前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて設けられたダミー配線用凹部内に形成されたダミー配線と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜からなる層間絶縁膜が前記基板上に2層以上設けられているとともに、第2層目以上の各層の前記層間絶縁膜には、それら各層の1つ下層の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線に連続するように、各層間絶縁膜をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して前記ダミー配線が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜からなる層間絶縁膜が前記基板上に3層以上設けられているとともに、第n層目(nは1以上の整数)の前記層間絶縁膜には前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて前記ダミー配線が形成されており、第n+2層目以上の所定の層の前記層間絶縁膜には前記第2の絶縁膜および前記第1の絶縁膜をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して、かつ、前記第2の絶縁膜側が前記第1の絶縁膜側よりも前記層間絶縁膜の表面に沿って広がるように前記ダミー配線が形成されており、さらに第n層目と第n+2層目以上の所定の層との間の1層ないしは複数層の前記層間絶縁膜には、上下に隣接する層の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線に連続するように、前記第2の絶縁膜および前記第1の絶縁膜をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して前記ダミー配線が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 第n層目の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線は、その前記第2の絶縁膜側が前記第1の絶縁膜側よりも前記層間絶縁膜の表面に沿って広がるように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記層間絶縁膜が前記基板上に4層以上設けられているとともに、第n層目の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線、第n+2層目以上の前記所定の層の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線、および第n層目と第n+2層目以上の前記所定の層との間の1層ないしは複数層の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線を一方のダミー配線の組として、この一方のダミー配線の組と対をなす他方のダミー配線の組が、少なくともその最下層のダミー配線が前記一方のダミー配線の組の最上層のダミー配線よりも下層に形成されるように、前記一方のダミー配線の組に対して少なくとも1層上層にずらされて形成されていることを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記一方のダミー配線の組と前記他方のダミー配線の組とが、前記層間絶縁膜の積層方向に沿って3組以上形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記一方のダミー配線の組と前記他方のダミー配線の組とは、前記層間絶縁膜の積層方向で互いに嵌合するように形成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置。
- 前記一方のダミー配線の組と前記他方のダミー配線の組とは、互いに対称となる位置に形成されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記一方のダミー配線の組および前記他方のダミー配線の組のうち、最も下側に形成されている前記一方のダミー配線の組は、第1層目〜第3層目の前記各層間絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項5〜7のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記基板上に設けられた前記第1の絶縁膜およびこの第1の絶縁膜の表面上に設けられた前記第2の絶縁膜に形成された前記ダミー配線は、前記基板の表面に連続するように、前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜をそれらの厚さ方向に沿って略貫通して形成されていることを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一方のダミー配線の組のうち最も下側に形成されているダミー配線の組の最下層のダミー配線は、前記層間絶縁膜をその厚さ方向に沿って略貫通して形成されているとともに、前記他方のダミー配線の組のうち最も下側に形成されているダミー配線の組の最下層のダミー配線およびこの最下層のダミー配線が形成されている層と前記基板との間の1層ないしは複数層の前記層間絶縁膜に形成されている前記ダミー配線は、前記最下層のダミー配線と前記基板の表面とが連続するように前記層間絶縁膜をその厚さ方向に沿って略貫通して形成されていることを特徴とする請求項5〜9のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 基板と、
この基板上に設けられ、少なくとも比誘電率が所定の値以下である絶縁膜からなる第n層目(nは1以上の整数)の層間絶縁膜と、
この第n層目の層間絶縁膜上に設けられ、少なくとも比誘電率が所定の値以下である絶縁膜からなる第n+1層目の層間絶縁膜と、
前記第n層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n層目の配線用凹部内に形成された第n層目の配線と、
この第n層目の配線が形成されている領域から所定の範囲内で前記第n層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n層目のダミー配線用凹部内に形成された第n層目のダミー配線と、
前記第n+1層目の層間絶縁膜の内部に設けられた第n+1層目の配線用凹部内に形成された第n+1層目の配線と、
前記第n層目のダミー配線に連続するように、前記第n+1層目の層間絶縁膜をその厚さ方向に沿って略貫通して設けられた第n+1層目のダミー配線用凹部内に形成された第n+1層目のダミー配線と、
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 前記ダミー配線は、その単体の平面視におけるパターン形状が非直線形状に形成されていることを特徴とする請求項1〜12のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ダミー配線は、その単体の平面視におけるパターン形状が、図形、文字、および数字のうちの少なくとも1種類を模した形状に形成されていることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
- 前記ダミー配線は、その単体の平面視におけるパターン形状が、線対称図形、点対称図形、対になることにより線対称となる図形、および対になることにより点対称となる図形のうちの少なくとも1種類の図形となるように形成されていることを特徴とする請求項13または14に記載の半導体装置。
- 前記ダミー配線は、その単体の平面視におけるパターン形状が、その内側に絶縁膜を閉じ込めない形状に形成されていることを特徴とする請求項13〜15のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ダミー配線は、前記配線が形成されている領域から所定の範囲内で複数箇所に設けられていることを特徴とする請求項1〜16のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記所定の範囲内で複数箇所に設けられている前記ダミー配線は、それら全体の配置パターンの形状が対称性を有するように配置されていることを特徴とする請求項17に記載の半導体装置。
- 前記配線が形成されている領域から所定の範囲内は、前記配線が形成されている配線形成領域から100μm以内であることを特徴とする請求項1〜18のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ダミー配線は、前記配線が形成されている配線形成領域から100μm以内の領域で、その領域の0.0001%以上の面積を占有するように形成されていることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置。
- 前記比誘電率の所定の値は2.5であることを特徴とする請求項1〜20のうちのいずれかに記載の半導体装置。
- 基板上に比誘電率が所定の値以下である第1の絶縁膜を設ける工程と、
前記第1の絶縁膜の表面上に比誘電率が前記所定の値よりも大きい第2の絶縁膜を設ける工程と、
前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけて配線用凹部を形成するとともに、この配線用凹部の形成領域から所定の範囲内で前記第2の絶縁膜を貫通して前記第1の絶縁膜の内部にかけてダミー配線用凹部を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の表面上、前記配線用凹部の内側、および前記ダミー配線用凹部の内側に導電材料を設ける工程と、
前記第2の絶縁膜の表面上の前記導電材料を研磨して除去することにより、前記導電材料を前記配線用凹部の内側に残して配線を形成するとともに、前記導電材料を前記ダミー配線用凹部の内側に残して前記配線の形成領域から所定の範囲内でダミー配線を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線および前記ダミー配線を形成した後、前記第2の絶縁膜、前記配線、および前記ダミー配線のそれぞれの表面上に第3の絶縁膜を設ける工程と、
この第3の絶縁膜の表面上に前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を設ける工程と、
前記配線および前記ダミー配線に連続するように、前記第3の絶縁膜、ならびに前記第3の絶縁膜上の前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を貫通して配線用凹部およびダミー配線用凹部をそれぞれ形成する工程と、
前記第3の絶縁膜上の前記第2の絶縁膜の表面上、ならびに前記第3の絶縁膜から前記第2の絶縁膜にかけて形成された前記配線用凹部および前記ダミー配線用凹部のそれぞれの内側に導電材料を設ける工程と、
前記第3の絶縁膜上の前記第2の絶縁膜の表面上の前記導電材料を研磨して除去することにより、前記導電材料を前記配線用凹部の内側に残して配線を形成するとともに、前記導電材料を前記ダミー配線用凹部の内側に残して前記配線の形成領域から所定の範囲内でダミー配線を形成する工程と、
をさらに1回以上行うことを特徴とする請求項22に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線および前記ダミー配線を形成する際に、前記導電材料とともに前記第2の絶縁膜を研磨して除去した後、前記第1の絶縁膜、前記配線、および前記ダミー配線のそれぞれの表面上に第4の絶縁膜を設ける工程と、
前記第4の絶縁膜の表面上に前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を設ける工程と、
前記配線および前記ダミー配線に連続するように、前記第4の絶縁膜、ならびに前記第4の絶縁膜上の前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜を貫通して配線用凹部およびダミー配線用凹部をそれぞれ形成する工程と、
前記第4の絶縁膜上の前記第2の絶縁膜の表面上、ならびに前記第4の絶縁膜から前記第2の絶縁膜にかけて形成された前記配線用凹部および前記ダミー配線用凹部のそれぞれの内側に導電材料を設ける工程と、
前記第4の絶縁膜上の前記第2の絶縁膜の表面上の前記導電材料を研磨して除去することにより、前記導電材料を前記配線用凹部の内側に残して配線を形成するとともに、前記導電材料を前記ダミー配線用凹部の内側に残して前記配線の形成領域から所定の範囲内でダミー配線を形成する工程と、
をさらに1回以上行うことを特徴とする請求項22に記載の半導体装置の製造方法。
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